刘瑞聪
- 作品数：9 被引量：16H指数：3
- 供职机构：厦门大学更多>>
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- 相关领域：化学工程冶金工程电气工程理学更多>>
- 湿法提纯制备太阳能级硅过程的研究
- 太阳能是一种来源稳定、储量丰富、清洁无污染的可再生能源。随着能源需求的剧烈增加，太阳能的优势和发挥的作用已越来越明显。多晶硅作为光伏产业中的一种重要的基础原料，其材料成本的降低是推动光伏产业发展的重要动力。采用湿法冶金提...
- 刘瑞聪
- 关键词：太阳能级硅光伏产业表面形貌
- 文献传递
- 沉淀法制备高比表面积SiO2的工艺研究
- 以Na2SiO3·9H2O、H2SO4为原料,沉淀法路线合成高比表面积SiO2.实验考察了反应温度、H2SO4溶液浓度、Na2SiO3溶液浓度、反应终点pH值、表面活性剂添加量、后处理试剂、干燥方式等因素对SiO2比表面...
- 游淳毅汤培平刘碧华林康英刘瑞聪
- 文献传递
- 农用低成本超强吸水剂的制备工艺被引量：1
- 2013年
- 概述了合成类吸水树脂在农用上的进展,提出采用低成本且工艺成熟的水溶液法,以丙烯酸(AA)、丙烯酰胺(AM)为基体、接枝可溶性淀粉进行三元单体共聚,经钠基膨润土改性,复合引发剂、复合交联剂制备低成本、易降解的合成类吸水性树脂。经实验改进和工艺条件优化后,树脂吸去离子水倍率可达1 940.9 g/g,吸自来水899.8g/g。采用红外光谱仪、热重分析仪、扫描电镜、X射线衍射仪等分析手段对合成树脂进行了分析表征,证实了产物为淀粉、丙烯酸及丙烯酰胺的共聚物。
- 刘碧华汤培平林康英游淳毅刘瑞聪
- 关键词：丙烯酰胺钠基膨润土生物降解性吸水剂
- 一种立式低压非接触式反应器的轴封装置
- 一种立式低压非接触式反应器的轴封装置，涉及釜式反应器。设有搅拌轴、静环、动环、反应器本体、联轴器、电机支座、搅拌电机；所述搅拌轴通过联轴器与搅拌电机的主轴连接，所述静环与反应器本体相连，动环与搅拌轴相连，静环与动环之间的...
- 汤培平王泉游淳毅汤亦非朱丽李竞菲林康英刘碧华刘瑞聪
- 文献传递
- 湿法提纯制备太阳能级硅过程的研究被引量：5
- 2014年
- 采用盐酸和氢氟酸两步法湿法提纯制备太阳能级多晶硅,当工艺条件为w(HCl)=8%,w(HF)=6%,可使铁中杂质质量分数降到26×10-6,去除率达到99.1%;铝中杂质质量分数降低到60×10-6,去除率为82.3%。分析和讨论了酸浸过程中硅晶体的形貌和结构的变化。FESEM图像表明杂质在硅的表面呈现集中链状分布,晶粒沿着高应力和缺陷区直线式分裂;XRD数据显示,在反应过程中,杂质的析出对硅晶格结构的影响有限,晶格因温度增加、应力不平衡等因素反而呈现膨胀的趋势。研究和分析湿法冶金中硅晶体结构和形貌的变化,对于了解酸浸过程反应机理,提高湿法提纯的除杂效率,优化太阳能级硅生产工艺具有重要意义。
- 刘瑞聪汤培平林康英刘碧华游淳毅王泉
- 关键词：湿法冶金
- 农用低成本超强吸水剂的制备工艺研究
- 以丙烯酸、丙烯酰胺为基体,接枝可溶性淀粉进行三元单体共聚,经钠基膨润土改性,复合引发剂、复合交联剂制备低成本、易降解的超强吸水性树脂.经实验改进和工艺条件优化后,树脂吸去离子水倍率可达1940.9g/g,吸自来水899....
- 刘碧华汤培平林康英游淳毅刘瑞聪
- 关键词：吸水剂合成树脂复合引发剂
- 沉淀法制备高比表面积SiO_2的工艺研究被引量：1
- 2013年
- 以Na2SiO3·9H2O、H2SO4为原料,沉淀法路线合成高比表面积SiO2.实验考察了反应温度、H2SO4溶液浓度、Na2SiO3溶液浓度、反应终点pH值、表面活性剂添加量、后处理试剂、干燥方式等因素对SiO2比表面积的影响.采用BET低温液氮吸附比表面分析仪、热重分析仪、场发射扫描电镜、激光粒度分析仪、傅里叶变换红外光谱仪等分析仪器对SiO2样品进行表征.结果表明,在c(H2SO4)=1.5mol/L、w(Na2SiO3)=6.3%、反应温度t=60℃、pH值为5,用正丁醇置换水等实验条件下,可制得SiO2粉末比表面积为841m2/g,相较于一般沉淀SiO2300～400m2/g的比表面积有明显提高.
- 游淳毅汤培平刘碧华林康英刘瑞聪
- 关键词：SIO2高比表面积沉淀法
- 太阳能硅制备过程湿法提纯SiO_2的工艺优化被引量：5
- 2011年
- 考察了HF质量分数、H2C2O4质量分数、HNO3质量分数、酸浸时间、粒径、液体质量与固体质量的比值(简称液固比,下同)等因素对混酸法提纯SiO2工艺过程的影响,利用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、场发射扫描电子显微镜(SEM)进行表征。结果表明,最佳工艺条件为:w(HF)=2%、w(H2C2O4)=3%、w(HNO3)=30%、酸浸时间4 h、粒径100～120目、液固比4∶1、酸浸温度30℃。Fe、Al、Ca、P杂质的去除率分别达到99.99%、14.02%、73.27%、60.00%,经混酸法处理后SiO2中杂质总量的质量分数降至1.465×10-4。
- 林康英洪金庆汤培平刘宏宇王文宾游淳毅刘碧华刘瑞聪
- 关键词：湿法冶金酸浸提纯
- 湿法冶金去除太阳能级硅中硼的研究被引量：4
- 2011年
- 湿法提纯作为冶金法制备太阳能级硅的前处理工序,可以去除大部分金属和硼杂质。研究了以氢氟酸-硫酸混合酸为浸出剂,有机溶剂甲醇作为后处理剂,去除硅粉中硼杂质的方法。采用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP)等对产品进行表征。酸浸过程优化工艺条件:硫酸质量分数为55%,氢氟酸质量分数为7%,酸浸温度为70℃、酸浸时间为4 h、液固质量比为8∶1。酸浸后可使硅粉中的硼杂质质量分数由6.893×10-6降至3.867×10-6,去除率为41.9%。在酸浸基础上采用有机溶剂甲醇作为后处理剂,杂质硼质量分数降至3.84×10-6,去除率为44.29%。从硼酸浸后形成的产物入手探索提高硼去除率的方法,实验验证了该方法的可行性,为研究湿法冶金预处理太阳能级硅提供了新的参考。
- 汤培平刘瑞聪陈晓敏陈云霞朱丽刘宏宇王文宾金燕红
- 关键词：湿法冶金有机溶剂提纯
