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卢寅梅

作品数:3 被引量:2H指数:1
供职机构:湖北大学材料科学与工程学院功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖北省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:理学化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇电学性能
  • 1篇压电
  • 1篇压电陶瓷
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇水热法合成
  • 1篇陶瓷
  • 1篇热法
  • 1篇热法合成
  • 1篇钛酸铅
  • 1篇锆钛酸铅
  • 1篇相变特性
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇脉冲激光沉积...
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇功率
  • 1篇功率型
  • 1篇光电

机构

  • 3篇湖北大学

作者

  • 3篇卢寅梅
  • 3篇何云斌
  • 2篇常钢
  • 2篇尚勋忠
  • 1篇高小琴
  • 1篇周虎

传媒

  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇中国材料科技...
  • 1篇材料科学

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
沉积氧压对二氧化钒薄膜结构、光电性能及其MIT相变特性的影响研究被引量:1
2018年
本工作中我们采用脉冲激光沉积法,以金属钒靶作为烧蚀靶材、高纯氧气作为反应气体,通过改变薄膜生长时的氧压,在TiO2 (110)衬底上制备VO2薄膜。利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱分析仪、紫外-可见-近红外光谱测试仪、四探针测试仪系统测试并研究了薄膜生长氧压对VO2薄膜的结构、成分、光学性能及金属-绝缘体相变特性的影响。实验结果表明:不同氧压下制备的VO2薄膜(011)晶面X射线衍射摇摆曲线半高宽都很小(在0.12?~0.27?范围),表明薄膜的面外取向度很高;当氧压为6.5 Pa时,制备的VO2薄膜摇摆曲线半高宽最小(0.116?),相变前后薄膜对太阳能调制最大、其电阻开关比达到4个数量级,薄膜相变温度接近63℃,金属-绝缘体转变特性显著。
陶欣陆浩李派卢寅梅何云斌
关键词:VO2薄膜脉冲激光沉积法
水热法合成锆钛酸铅PZT纳米线
2013年
压电材料锆钛酸铅(PZT)纳米线具有优异的传感和驱动性能,同时其尺寸小,比表面积大,在纳米器件方面具有良好的应用前景,如纳米级的压电传感器和驱动器,超声装置等。相比较于大多数文献要通过加入表面活性剂PVA或者PAA等合成PZT纳米线,本文在不使用任何表面活性剂的条件下,采用ZrC102(8H20),(C4H20)tTi,Pb(N03)3为前驱物,KOH为矿化剂,两步水热合成直径为200~500m、长度为10~50μm的PZT纳米线,水热过程所得产物并非钙钛矿结构,而是体心四方相结构(简称PX相)的P打纳米线。该纳米线经过退火处理(650℃退火20min),可以实现晶型从体心四方到钙钛矿结构的转变。
高小琴常钢尚勋忠卢寅梅周桃生何云斌
关键词:水热法锆钛酸铅纳米线
MgO掺杂对功率型PZT压电陶瓷性能的影响被引量:1
2013年
通过掺入不同比例的MgO,采用固相烧结法,制备出一种Pb0.95Sr0.05(Zr0.525Ti0.475)O3+1.1mol%CaFeO5/2+0.3mol%Fe2O3+0.2mol%Li2CO3+xmol%MgO压电陶瓷材料。实验表明:适量MgO掺杂可以改善材料压电介电性能,在保持较高压电性能基本不变的前提下,提高机械品质因数Qm,降低介电损耗tanδ。当x=0.2时,陶瓷的综合性能最佳,具体性能参数为:压电应变常数d33=254 pC/N,平面机电耦合系数Kp=54.5%,相对介电常数ε3T3/ε0=960,介电损耗tanδ=0.34%,机械品质因子Qm=822。其性能满足大功率压电器件的要求,能较好地应用于压电变压器、超声换能器等器件中。
周虎尚勋忠周桃生常钢卢寅梅何云斌
关键词:压电陶瓷PZT电学性能
共1页<1>
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