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卫永霞
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
苏州大学物理科学与技术学院(能源学院)江苏省薄膜材料重点实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
钱晓梅
苏州大学物理科学与技术学院能源...
叶超
苏州大学物理科学与技术学院能源...
梁荣庆
复旦大学现代物理研究所
俞笑竹
苏州大学物理科学与技术学院能源...
宁兆元
苏州大学物理科学与技术学院能源...
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卫永霞
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梁荣庆
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叶超
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钱晓梅
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物理学报
年份
1篇
2007
共
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O_2掺杂对SiCOH低k薄膜结构与电学性能的影响
被引量:1
2007年
以十甲基环五硅氧烷(D5)和氧气(O2)作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了k=2.62的SiCOH薄膜.研究了O2掺杂对薄膜结构与电学性能的影响.结果表明,采用O2掺杂可以在保持较低介电常数的前提下极大地降低薄膜的漏电流,提高薄膜的绝缘性能,这与薄膜中Si-O立体鼠笼、Si-OH结构含量的提高有关.
卫永霞
钱晓梅
俞笑竹
叶超
宁兆元
梁荣庆
关键词:
介电性能
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