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卫永霞

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）江苏省薄膜材料重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电性能
  • 1篇电学
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇掺杂
  • 1篇O

机构

  • 1篇复旦大学
  • 1篇苏州大学

作者

  • 1篇卫永霞
  • 1篇宁兆元
  • 1篇俞笑竹
  • 1篇梁荣庆
  • 1篇叶超
  • 1篇钱晓梅

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
O_2掺杂对SiCOH低k薄膜结构与电学性能的影响被引量：1
2007年
以十甲基环五硅氧烷(D5)和氧气(O2)作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了k=2.62的SiCOH薄膜.研究了O2掺杂对薄膜结构与电学性能的影响.结果表明,采用O2掺杂可以在保持较低介电常数的前提下极大地降低薄膜的漏电流,提高薄膜的绝缘性能,这与薄膜中Si-O立体鼠笼、Si-OH结构含量的提高有关.
卫永霞钱晓梅俞笑竹叶超宁兆元梁荣庆
关键词：介电性能
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共1页<1>
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