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文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇光刻
  • 6篇悬架
  • 6篇光刻胶
  • 4篇刻蚀
  • 4篇胶膜
  • 2篇电极
  • 2篇电泳沉积
  • 2篇悬架结构
  • 2篇掩模
  • 2篇应力
  • 2篇应力释放
  • 2篇用料
  • 2篇阵列
  • 2篇阵列结构
  • 2篇质量传感器
  • 2篇室温条件
  • 2篇通孔
  • 2篇自对准
  • 2篇微柱
  • 2篇牺牲层

机构

  • 12篇中国科学院

作者

  • 12篇吴紫阳
  • 12篇杨恒
  • 10篇李昕欣
  • 10篇王跃林
  • 4篇吴燕红
  • 4篇戴斌
  • 2篇成海涛
  • 2篇陆松涛
  • 2篇丁萃

年份

  • 3篇2013
  • 5篇2012
  • 4篇2011
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法
本发明提供一种利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法,首先在待进行光刻的半导体材料结构上制备金属薄膜,然后将两片沉积有金属薄膜的半导体材料结构相对固定在预设浓度的金属化合物胶粒溶液中,并将两者分别连接到电源的正负两极...
吴紫阳杨恒李昕欣王跃林
文献传递
一种借助悬架光刻胶实现硅通孔互连的方法
本发明提供一种借助悬架光刻胶制作硅通孔互连的方法。其具体步骤为:首先在减薄或未减薄的硅片上刻蚀出通孔,再利用自组装方法在硅片上表面形成跨越通孔的悬架光刻胶膜并光刻形成悬架光刻胶对通孔一端的封口,溅射形成金属种子层后再去胶...
吴紫阳杨恒陆松涛李昕欣王跃林
文献传递
一种悬架结构光刻胶的涂胶方法
本发明涉及一种悬架结构光刻胶的涂胶方法,具有能够在沟槽、孔洞、微柱等结构上形成悬架结构,并用于光刻掩膜的特性。其具体步骤为:首先将少量一定浓度的光刻胶滴于极性溶液表面,使之在气-液界面自组装形成一定厚度的光刻胶膜,再将该...
吴紫阳杨恒李昕欣王跃林
可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法
本发明提出一种可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法,用于基于梁结构的谐振式痕量质量传感器。该结构包括梁结构、设置于梁结构上的若干微型柱状电极、设置于微型柱状电极上的<111>晶向占优的金膜、...
杨恒吴燕红成海涛戴斌吴紫阳
一种借助悬架光刻胶实现硅通孔互连的方法
本发明提供一种借助悬架光刻胶制作硅通孔互连的方法。其具体步骤为:首先在减薄或未减薄的硅片上刻蚀出通孔,再利用自组装方法在硅片上表面形成跨越通孔的悬架光刻胶膜并光刻形成悬架光刻胶对通孔一端的封口,溅射形成金属种子层后再去胶...
吴紫阳杨恒陆松涛李昕欣王跃林
一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺
本发明提供一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺,首先将自组装方法制作的光刻胶薄膜粘覆转移于存在沟槽或间隙的半导体材料表面形成平整的悬架光刻胶结构,曝光显影以选择性去除不需要部位的光刻胶膜并坚膜,之后在室温条件下在光...
吴紫阳杨恒李昕欣王跃林
可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法
本发明提出一种可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法,用于基于梁结构的谐振式痕量质量传感器。该结构包括梁结构、设置于梁结构上的若干微型柱状电极、设置于微型柱状电极上的<111>晶向占优的金膜、...
杨恒吴燕红成海涛戴斌吴紫阳
文献传递
一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺
本发明提供一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺,首先将自组装方法制作的光刻胶薄膜粘覆转移于存在沟槽或间隙的半导体材料表面形成平整的悬架光刻胶结构,曝光显影以选择性去除不需要部位的光刻胶膜并坚膜,之后在室温条件下在光...
吴紫阳杨恒李昕欣王跃林
文献传递
利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法
本发明提供一种利用金属化合物的电泳沉积图案进行光刻的方法,首先在待进行光刻的半导体材料结构上制备金属薄膜,然后将两片沉积有金属薄膜的半导体材料结构相对固定在预设浓度的金属化合物胶粒溶液中,并将两者分别连接到电源的正负两极...
吴紫阳杨恒李昕欣王跃林
采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构及制作方法
本发明涉及一种采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构与实现该压阻结构的自对准加工工艺。用于检测纳米梁位移。该结构用SOI硅片的顶层硅制作纳米梁,用硅衬底作为栅极,腐蚀去除梁与硅衬底间的埋层二氧化硅形成间隙,硅衬底、间隙与纳米...
杨恒吴燕红丁萃吴紫阳戴斌李昕欣王跃林
共2页<12>
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