周天明
- 作品数：20 被引量：49H指数：4
- 供职机构：华南师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>
- p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质被引量：4
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg,Zn,Si,O和Mn共掺GaN,分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质,并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度(TC).计算表明:共掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.p型共掺杂(GaN:Mn-Mg\Zn)后体系具有较GaN:Mn更稳定的FM态且能使TC升高;而n型共掺杂(GaN:Mn-Si\O)后体系FM态稳定性和TC较GaN:Mn降低.
- 邢海英范广涵周天明
- 关键词：磁学性质
- 扫描电镜用于人工蛋白石模板中填充InP的形貌研究
- 2005年
- 扫描电子显微镜是对人工欧泊光子晶体进行形貌观察、研究的重要手段。本文利用扫描电子显微镜对人工欧泊晶体及其填充InP后的形貌进行了分析。结果发现,二氧化硅微球短程有序而在较大的区域则出现台阶、空位和失配等缺陷;在选定生长条件下,InP在SiO2 球空隙间具有较高的填充率和较好的结晶质量。此项研究为制备三维InP光子晶体提供了科学依据。
- 谭春华范广涵许静李述体周天明龙永福孙慧卿
- 关键词：形貌二氧化硅微球蛋白石失配短程
- GaN衬底生长GaP薄膜以及GaP为p型接触层的GaN基LED外延片
- 采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及GaP为p型接触层的GaN基LED外延片进行了研究.通过优化生长条件,在GaN上生长出了单晶GaP薄膜,其(111)面X射线衍射半高宽为408弧秒.对p型GaP的掺杂...
- 李述体周天明范广涵章勇郑树文苏军曹健兴周昕妹
- 关键词：半导体照明LED外延片MOCVD
- 文献传递
- 生长模式控制对MOCVD生长GaN性能的影响被引量：3
- 2005年
- 采用MOCVD以A l2O3为衬底对GaN生长进行了研究.用X射线双晶衍射、电化学CV技术对GaN的结晶性能和电学性能进行了表征.研究表明,GaN的生长模式对其电学性能和结晶性能影响很大.在高温GaN生长初期,适当延长GaN的三维生长时间,能明显改善GaN薄膜的结晶性能,降低薄膜的缺陷密度和本底载流子浓度,使GaN质量明显提高.
- 李述体范广涵周天明孙慧卿郑树文郭志友
- 关键词：半导体GANMOCVDX射线双晶衍射
- 退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度的影响被引量：1
- 2004年
- 采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.相关研究表明退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5 6×1018cm-3增大到6 5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6 0×1017cm-3增大到1 1×1018cm-3.这可能是由于退火破坏了Mg-H复合体,恢复了Mg受主的活性导致的.
- 李述体范广涵周天明孙慧卿王浩郑树文郭志友
- 关键词：砷化镓载流子浓度退火
- Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性
- 2005年
- 低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级。
- 谭春华范广涵李述体周天明黄琨雷勇
- 关键词：光电子学X射线双晶衍射金属有机化学气相沉积光荧光
- 入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响被引量：2
- 2007年
- 利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器(DBR)进行了反射谱的理论分析。计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系。根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射率公式。分析了从空气和Al_(0.4)Ga_(0.5)In_(0.1)N入射介质下不同GaN基DBR结构的反射光谱差异。为减弱入射介质对DBR反射谱的影响以及改善材料结构的质量,设计了半混合GaN基DBR结构。分析指出,半混合DBR在材料结构生长和光谱方面比传统DBR更有优势。
- 郑树文范广涵李述体周天明
- 关键词：光电子学布拉格反射器传输矩阵法
- 广州市LED工业研究开发基地
- 范广涵易柱臻李述体章勇郭志友何苗郑树文张涛董海平周天明孙慧卿
- 1、通过项目实施，建立了产、学、研相结合的LED半导体照明研发基地，形成了完整的LED外延片、芯片、封装的研发和生产体系，为广州市进一步发展LED半导体照明事业搭建了有较高水平的技术平台。2、2007年12月即研发出高质...
- 关键词：
- 关键词：半导体照明发光二极管
- 采用MOCVD技术在GaN衬底上生长p型GaP薄膜的研究
- 采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及p型GaP层进行了研究。通过优化生长条件,在GaN上生长出了单晶GaP薄膜,其(111)X射线衍射半高宽为408弧秒。以Cp2Mg为掺杂剂,对p型GaP的掺杂生长进行...
- 周天明李述体范广涵孙慧卿周昕妹董海平王立辉张康卢太平
- 关键词：GAPMOCVDX射线衍射原子力显微镜
- 文献传递
- Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响被引量：1
- 2004年
- 采用LP MOCVD技术在n GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片。以X射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征 ,研究了Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响。研究表明 :掺Si能大大提高 (Al0 .3 Ga0 .7) 0 .5In0 .5P/Ga0 .5In0 .5P多量子阱的发光强度。相对于未故意掺杂的样品 ,多量子阱垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了 13倍 ,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了 2 8倍。外延片的X射线双晶衍射测试表明 。
- 李述体范广涵周天明王浩孙慧卿郑树文郭志友
- 关键词：ALGAINPX射线双晶衍射光致发光
