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唐晋发

作品数:106 被引量:422H指数:11
供职机构:杭州科汀光学技术有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金高等学校国家重点实验室和教育部重点实验室访问学者专项基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 93篇期刊文章
  • 6篇专利
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  • 2篇科技成果

领域

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  • 5篇一般工业技术
  • 2篇自动化与计算...
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  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇建筑科学

主题

  • 31篇光学
  • 21篇发光
  • 19篇电致发光
  • 18篇光学薄膜
  • 12篇滤光片
  • 11篇液晶
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  • 9篇液晶光阀
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  • 6篇液晶投影
  • 6篇发光器件
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机构

  • 106篇浙江大学
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  • 4篇中国科学院
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  • 2篇南京大学
  • 1篇南京师范大学
  • 1篇杭州科汀光学...

作者

  • 106篇唐晋发
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  • 18篇章岳光
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传媒

  • 27篇光学学报
  • 17篇光学仪器
  • 9篇激光与红外
  • 6篇仪器仪表学报
  • 5篇半导体光电
  • 4篇光电子.激光
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  • 3篇光子学报
  • 3篇光电子技术
  • 2篇强激光与粒子...
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  • 1篇光学技术
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇中国激光
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇应用光学
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇电子测量与仪...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2005
  • 7篇2004
  • 1篇2003
  • 6篇2002
  • 12篇2001
  • 7篇2000
  • 11篇1999
  • 4篇1998
  • 4篇1997
  • 9篇1996
  • 10篇1995
  • 2篇1994
  • 6篇1993
  • 11篇1992
  • 3篇1991
  • 4篇1990
  • 4篇1989
  • 1篇1987
  • 2篇1985
106 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
有机电致发光薄膜的制备与测试
2004年
用喔星铝作发光层、铝作负电极 ,镀制了有机电致发光薄膜器件 ,测量了其特性曲线 ,定性分析了发光原因 。
范希智李刚正刘旭顾培夫唐晋发
关键词:发光薄膜
S枪磁控溅射淀积非晶硅光电导薄膜的制备工艺及特性研究被引量:2
1992年
本文介绍用直流磁控S枪在H_2/Ar混合气体中反应溅射单晶硅靶淀积a-Si:H光电导薄膜的制备工艺。研究了用这种技术制备的a-Si:H薄膜的光学特性(透射率光谱、光学常数和光学带隙等)、晶相结构(用电子衍射图谱)、红外吸收光谱和光电导性能。并讨论了制备工艺条件与薄膜微结构和性能的关系。
朱振才顾培夫唐晋发
关键词:磁控溅射非晶硅
全文增补中
ZnS和MgF_2薄膜的离子辅助淀积被引量:1
1989年
用Ar离子辅助制备了ZnS和MgF_2薄膜,依据滤光片吸潮波长漂移的测量,MgF_2膜的聚集密度大约从未轰击时的0.8上升到轰击后的0.9~0.95,实验发现,高能离子轰击(>1keV),膜层的吸收散射损耗增加,而低能离子轰击(<700eV)可以保持优良的光学性质,并显著地增加膜层的牢固度,这对于温度敏感的基底制备耐久薄膜是一个重要的应用.
顾培夫陈宇明胡学群唐晋发
关键词:滤光片硫化锌
用离子束溅射淀积的氧化物薄膜的折射率被引量:23
2002年
介绍了用于波长为 15 5 0nm光通讯波分复用 /解复用滤光片的离子束溅射的Ta2 O5和SiO2 薄膜在法里珀罗多层膜中的折射率的实时拟合方法及拟合结果 ,给出了它们的淀积时间、淀积速率和计算的光学厚度 。
顾培夫李海峰章岳光刘旭唐晋发
关键词:氧化物薄膜折射率滤光片光通信
稀土有机配合物电致发光器件的研究进展被引量:5
2002年
概述了稀土有机配合物电致发光薄膜器件的材料、结构、发光机理以及目前研究的状况。
范希智刘旭顾培夫唐晋发
关键词:稀土有机配合物电致发光
液晶投影机中的分色合色元件的光谱检测仪
液晶投影机中的分色合色元件的光谱检测仪,依次包括白光光源、透镜、单色仪、准直透镜、滤色片转盘、偏振器、样品台、光电探测器。光电探测器中的光电倍增管接信号转换与程控放大模块,经A/D卡与计算机相连;单色仪、滤色片转盘、偏振...
李海峰刘旭黄文标刘向东顾培夫唐晋发
文献传递
用IAD法制作的高密集型分波复合器滤光片的特性(英文)被引量:5
1999年
随着高密集型分波复合器需要的不断增加,在光纤通讯领域中,光学薄膜滤光片已经成为了一个很关键的光学元件。在高密集分波复合器中,我们用IAD方法制作了低损失、高稳定性的超窄带滤光片并在本文加以讨论。在湿度环境试验中,这种高堆积密度的光学薄膜显示了没有任何波漂。在温度环境试验中,它的热稳定性为0.0012nm /℃。在使用Ta2O5/SiO2,用于100GHz的滤色片的场合下,窄带滤色片的插入损失为0.34dB。在使用Nb2O5/SiO2,用于200GH2 的滤色片的场合下,插入损失为0.17dB,两者都显示了极好的分光光谱特性,甚至半宽为0.66nm 的情况下,它们的截面SEM 微结构显示了非晶结构,平坦的表面与界面。
唐骐孙大雄菊池和夫李正中马仁勇吕晶唐晋发顾培夫刘旭
关键词:滤光片光谱特性微结构IAD
电致变色氧化钨薄膜的干法锂化研究被引量:3
1998年
采用电子束加热蒸发金属Li对WO3电致变色薄膜进行干法锂化,利用X光电子能谱和电化学方法分析不同锂化程度WO3薄膜的化学组分和电致变色性能。实验表明,当锂化WO3薄膜中Li原子与W原子的数目比在0.15左右时有良好的可逆性和着色效率。利用该方法制备了性能良好的单片式导Li+全固态电致变色薄膜器件Glass/ITO/WO3·Li/LiF·AlF3/V2O5/Al。
叶永红张家雨顾培夫唐晋发
关键词:电致变色氧化钨太阳能
一种改进型HOPFIELD神经网络模型及其单通道光学实现
1991年
提出一种改进型HOPFIELD神经网络模型。通过对存贮模式进行互补扩展,消除了存贮模式中0和1个数不等问题。利用扩展模式互补性和由扩展模式所形成的连接权的镜象对称性,在不增加神经元个数和连接权矩阵维数的情况下,提高了网络的存贮能力和容错能力。在此基础上设计了全正光学连接权矩阵,在单通道内实现了双极寻址,降低了光学系统的复杂性。
余飞鸿吴平凡李正民唐晋发
关键词:光学神经网络模型单通道
低损耗液晶光开关器件用透明电极的制备被引量:7
2002年
液晶可以用来制作光通讯系统中的光开关,液晶器件的损耗主要取决于透明电极的透射率, ITO(氧化铟锡)在可见光范围具有高的透射率,但在红外损耗较大。在测定ITO复折射率的基础上,本文借鉴光学薄膜中诱导滤光片的设计思想,设计、制备出了在红外1.5mm^1.6mm范围内高透射率的透明电极,使整个器件的损耗<0.4dB,相应的方块电阻为350W/□。
白胜元黄昱勇李海峰刘旭顾培夫唐晋发
关键词:光开关光学薄膜透明电极液晶
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