奚益明
- 作品数：11 被引量：35H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家科技部专项基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 透明氮化铝陶瓷的制备被引量：9
- 1999年
- 以碳热还原法制备的氮化铝粉体为原料 ,CaC2 为烧结助剂 ,采用常规的热压烧结和无压烧结工艺在高温和低温下制备了透明的氮化铝陶瓷 .实验结果表明 ,碳热还原法制得的AlN粉纯度较高 ,粒度较小 ,粒径分布较窄 ,适宜制备透明AlN陶瓷 .在AlN陶瓷的致密化过程中 ,由于CaC2 的挥发从而使晶界得到净化 ,高度致密化导致AlN陶瓷透明 .所制备的AlN陶瓷从紫外、可见光到近红外波段均透明 ,对其显微结构的初步观察表明晶粒完整规则 ,紧密排列 。
- 周艳平王岱峰奚益明庄汉锐温树林郭景坤
- 关键词：透明陶瓷氮化铝陶瓷
- 太阳能热利用中的两种新材料——透明蜂窝和定形贮能相变材料
- 本文对作者所在单位多年来在透明蜂窝和定形贮能相变材料（PCM）的研究工作进行了综述。透明蜂窝既能透过太阳辐射,又能抑制自然对流和减小辐射传热,是透明隔热材料（TIM）族中的重要“成员”;定形贮能PCM在相变过程中可保持形...
- 葛新石叶宏许勤堂王军奚益明
- 关键词：太阳能热利用透明蜂窝定形相变材料
- 文献传递
- 瞬态卡计法测定涂层的半球总发射率被引量：2
- 1993年
- 本文描述了一台瞬态卡计法测定涂层的半球总发射率(?)的装置.用它可以在一次测试过程中连续测定样品在常温和低温相当宽的范围(-130～+140℃)内的半球总发射率值,误差<6%.本文详细地介绍了测试和数据处理方法,分析了误差,并提供了若干金属、阳极氧化铝、涂料型无机涂层和等离子喷涂涂层等样品在不同温度下发射率的测试结果,并进行了讨论.
- 奚益明徐秀兰徐强兵
- 关键词：发射率涂层金属
- 复即过程中的分色机理探讨
- 1994年
- 本文通过对复印机显影过程的分析，阐述了对复印原稿分色处理的基本原理，以及影响分色的几个关键因素，并从感光体的光色灵敏度着手，研究了感光材料中的Ｔｅ含量对分色特性的影响，并成功地实现了对红、黑两色的分色处理．
- 吴召平张干城陆家福奚益明
- 关键词：复印分色感光体
- 低温一次烧结高介电常数晶界层电容器材料被引量：8
- 2002年
- 报道了一种在较低温度一次烧结制备的具有高介电常数，较低损耗和良好显微结构的晶界层电容器材料（简称GBBLC）。材料的有效介电常数高达37×10^4，损耗可控制在4％，晶粒5μm左右，△C/C<±3％（20－150℃），频率色散较小，且制备工艺简单。
- 沈辉潘晓明宋元伟奚益明王评初
- 关键词：介电常数SRTIO3
- 透明氮化铝陶瓷的制备被引量：14
- 1999年
- 本文采用碳热还原法制得的 Ａｌ Ｎ 粉， 使用烧结剂 Ｃａ Ｃ２ ， 热压制备了透明氮化铝陶瓷实验证明， 纯度高、粒径较小、且均匀的 Ａｌ Ｎ 粉是制备透明 Ａｌ Ｎ 陶瓷的必要条件 Ａｌ Ｎ 陶瓷从紫外、可见光到近红外均透明， 显微结构研究表明， Ａｌ Ｎ 陶瓷透明是由于晶粒完整规则， 紧密排列， 晶界干净， 而气孔、晶粒内和晶界第二相杂质。
- 周艳平王岱峰奚益明庄汉锐温树林郭景坤严东生
- 关键词：透明陶瓷氮化铝陶瓷
- 一种汞盐光色涂层的光学性能
- 1996年
- 本文介绍了一种汞盐可逆光色涂层．该涂层强烈吸收紫外线，具有变色快、复色慢的特点．在基本吸收边５２０ｎｍ处，紫外辐照前后涂层的吸收光谱和反射光谱本身及其相对变化都发生明显的转折．涂层的颜色座标ｘ和ｙ随辐照剂量增大或涂层厚度增加而减小，但很快趋于稳定．相同的总紫外辐照剂量产生相同的颜色变化，表明这种涂层遵循互易性定律．室温下的复色速度很慢．升高温度会大大加快复色速度．７０°Ｃ水中，复色只要１０ｓ．该涂层硬度好．在酸、碱、盐溶液中十分稳定．
- 奚益明夏继余
- 关键词：光学性质光致变色涂料
- 高效太阳能空气加热器
- 本实用新型提供了一种高效太阳能空气加热器。它包括隔热箱、透明覆盖和吸热板,吸热板设置在隔热箱底部的隔热材料上,隔热箱的侧壁上设置有进气口和出气口,其特征在于还包括透明蜂窝结构,透明蜂窝结构设置在隔热箱内,位于透明覆盖和吸...
- 葛新石叶宏许勤堂奚益明
- 文献传递
- 热控涂层材料的“原位”测试方法
- 一种涉及航天器用热控材料的“原位”测试方法，属于热控材料真空—紫外辐照测试方法领域。“原位”测试的含义是在地面模拟宇宙空间环境的真空—紫外辐照后不将试样取出而直接进行光性太阳吸收比测定。本发明提供的方法包括被测试样真空玻...
- 奚益明陈杰锋
- 文献传递
- 低温烧结SrTiO_3晶界势垒高度的研究被引量：4
- 1996年
- 本文利用双Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒模型依据ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器材料的Ｒ～Ｔ特性和室温下的Ｉ～Ｖ特性获得了晶界势垒高度随温度变化的关系．结果表明，势垒高度随温度的升高而增加．这一结果与用各不同温度下的Ｉ～Ｖ特性拟合所得到的势垒值基本相符．
- 王评初康颖李峥徐保民奚益明徐建鸣
- 关键词：钛酸锶电容器晶界陶瓷材料
