姬成周
- 作品数：60 被引量：72H指数：4
- 供职机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺电气工程一般工业技术更多>>
- GaAs中的离子注入技术被引量：1
- 1997年
- 在ＧａＡｓ集成电路和器件研制中，离子注入是关键技术之一．介绍了用离子注入ＧａＡｓ形成ｎ型和ｐ型区，以及离子注入ｐ型和ｎ型ＧａＡｓ形成绝缘层、形成ｎ＋ＧａＡｓ深埋层等重要技术．对有关物理机制进行了讨论并提出了一些新见解；该离子注入新工艺已经应用于ＧａＡｓ器件和集成电路的研制，获得了多种新型器件．
- 李国辉姬成周刘伊犁罗晏韩德俊
- 关键词：离子注入砷化镓半导体器件
- 高剂量强流Ti注入不锈钢的Mssbauer效应研究
- 1996年
- 金属Ti离子注入,可以改善钢材表面的耐摩擦、耐磨损性能。研究结果表明大注剂量(>1×10^(17)cm^(-2))将会产生明显的效果,而近来研制成功的金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA源)恰好能满足这一要求。该源以脉冲方式工作,发出的离子束脉冲电流可高达1A,平均束流密度可高达mA/cm^2量级;如此强的束流注入,既可产生足够厚的处理深度。
- 曾贻伟姬成周林文廉
- 关键词：离子注入穆斯堡尔效应
- ＭｅＶ硅离子注入ＩｎＰ、ＧａＡｓ制作ｎ型埋层
- 姬成周张燕文
- 关键词：半绝缘体半导体工艺
- 离子束混合Al(Ti),Al(Pd)表面合金层的钝化
- 1999年
- 用三扫描极化测量、背散射和电镜方法研究了离子束混合Ａｌ（Ｔｉ），Ａｌ（Ｐｄ）非晶合金层在ＮａＨＣＯ３溶液（中的钝化．Ｔｉ３５Ａｌ６５的腐蚀速率为纯铝的１／２４，而Ｐｄ３０Ａｌ７０的腐蚀速率比纯铝增大了４４％．这说明用离子轰击方法制备耐腐蚀合金材料时，合金元素的电化学性质仍然是起主导作用的因素．
- 姬成周王安民郑金山
- 关键词：离子束混合非晶合金钝化表面合金层
- 用改进的EM模型研究数字集成晶体管中的寄生晶体管效应被引量：1
- 2003年
- 利用基尔霍夫电流定律修改双极晶体管的EM (Ebers Moll)模型 ,使得它适合描述 4层结构的数字集成晶体管 .这样通过流经各个PN结的电流的变化 ,可以研究数字集成晶体管在不同工作状态下寄生晶体管的效应 .
- 蔡一茂姬成周李国辉
- 关键词：基尔霍夫电流定律PN结双极晶体管
- 一种新型PNP晶体管的数值分析被引量：1
- 2003年
- 从基本半导体方程出发 ,用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布 ,载流子浓度分布和输出特性 .晶体管的有效基区宽度约为 50nm .证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制 ,它的输出特性与MOS场效应管的输出特性相似 .这种晶体管有望用作数字电路中的高速器件 .
- 郭慧民周会姬成周
- 关键词：PNP晶体管数值模拟电场分布载流子浓度
- 钇离子注入的H13钢的抗氧化研究被引量：4
- 1993年
- 研究了强束流钇注入的H13钢高温氧化特性,同时分析了氧化层的结构和钢中注入钇后抗氧化的原因。结果表明,钇的注入改变了钢表面的氧化模式,同未注入区相比,注入区的氧化膜致密,与基体结合好,氧化速率下降。
- 张通和谢晋东姬成周孙贵如陈俊
- 关键词：钇离子注入抗氧化
- MeV Si^+注入SI-GaAs的激活能研究被引量：1
- 1993年
- 报导不同注量下MeV硅离子注入半绝缘砷化镓衬底的激活能,随注量增加激活能增大。对相同注入条件分别经一步或两步快退火处理样品的电特性进行了比较,认为MeV硅离子注入砷化镓衬底的退火行为可以分为损伤恢复和杂质激活两步,其杂质激活与点缺陷的运动有关。从能量角度分析了两步快退火优于一步快退火的原因。
- 张燕文姬成周李国辉
- 关键词：MEV离子注入砷化镓激活能
- 高灵敏度穿通型异质结光电晶体管被引量：4
- 1995年
- 报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管（ＧＲ－ＰＴＨＰＴ），在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽，基极电流基本为零，输出噪声电流大大下降，使光电增益提高了一个量级以上。已研制成的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ穿通型光电晶体管（发射极直径φ＝４μｍ）。在５Ｖ工作电压下，对０．８μｍ，１．３ｎｗ和４３ｎｗ弱光的光电增益分别为１２６０和８１０８。折合到输入端暗电流为０．８３ｎＡ。
- 李国辉韩德俊韩卫姬成周朱恩均周均铭黄绮
- 关键词：高灵敏度穿通型异质结光电晶体管
- 全离子注入锗光电晶体管的研制
- 2001年
- 采用锗材料研制出了工作在 1.55μm波长的全离子注入光电晶体管 .选用 (12 0 keV ,2 .5× 10 12 cm- 2 ) +(2 6 0keV ,5× 10 12 cm- 2 )的硼注入和 16 0keV ,5× 10 14 cm- 2 磷注入 ,6 50℃ 15s快速退火 ;采用聚酰亚胺作为钝化膜以及台面结构 .NPNGe光电三极管的hFE=4 0～ 180 .在波长为 1.55μm、功率为 0 .7μW的光照下得到了 4 0 A·W-
- 杜树成于理科姬成周李国辉
- 关键词：锗离子注入光电晶体管半导体材料锗晶体管
