姬洪
- 作品数：46 被引量：50H指数：4
- 供职机构：电子科技大学能源科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 液相外延单晶钇铁石榴石薄膜晶格匹配度的XRD研究
- 液相外延制备的石榴石薄膜在磁光和微波器件方面已经应用了很长时间[1-3],如移相器、光隔离器、磁光开关、微波环行器、静磁波滤波器、延迟线等[4]。在液相外延制备过程中,薄膜和衬底的晶格匹配和热膨胀系数匹配是获得单晶薄膜的...
- 杨青慧张怀武刘颖力文岐业姬洪
- 文献传递
- 利用高分辨X射线衍射仪表征GaN薄膜的结构特性被引量：4
- 2009年
- 使用高分辨X射线衍射法(HRXRD)对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长GaN薄膜进行微结构表征.首先采用绝对测量法精确测试了GaN薄膜的晶格常数,由此获得该GaN薄膜的应变与弛豫的信息.采用面内掠入射(IP-GID)法测定了GaN薄膜的位错密度以及位错扭转角.
- 陈勇邓宏姬洪
- 关键词：高分辨X射线衍射GAN晶格常数位错密度
- SrTiO3薄膜的X射线衍射和X射线反射率分析研究
- 薄膜的结构和性能的差异与薄膜形成过程中的许多因素密切相关。其中主要的因素有膜沉积系统的选择、基片的选择、基片温度、膜层厚度、晶粒尺寸、残余应力、基片的平整度、晶体学织构情况以及随后热处理等。X射线衍射(XRD)作为一种无...
- 姬洪李言荣周晓媛王雨
- 文献传递
- 基于IEP的高密度等离子体刻蚀过程终点检测技术被引量：1
- 2006年
- 高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。随着集成电路中器件尺寸的缩小及器件集成密度的提高,对刻蚀过程终点的准确判断是目前所面临的一个严峻考验,传统的 OES 终点检测技术已经远远不能满足深亚微米刻蚀工艺需求.讨论 IEP 终点检测技术的原理,针对多晶硅栅的等离子体刻蚀工艺,讨论了 IEP 终点检测技术在深亚微米刻蚀工艺中的应用,IEP 预报式终点检测技术已经运用在新近研发的 HDP 刻蚀机的试验工艺上,最后对 IEP 终点检测技术未来的发展趋势进行了展望.
- 王巍兰中文吴志刚姬洪
- 关键词：高密度等离子体刻蚀工艺
- Pt/Ti双层电极应力的微观分析研究
- 2010年
- 常温下用直流溅射法在Si(100)上淀积Pt/Ti电极薄膜.采用X射线衍射、原子力显微镜检测不同退火温度的薄膜,结果表明,退火初期Pt层内首先产生了压应力,从而使Pt表面形成了小丘凸起;退火过程产生的热应力在Pt层残余应力的产生中占主导地位,这种热应力使得Pt层最后的应力状态为张应力状态并且随着Pt层中Pt3Ti金属间化合物数量的增多而增大.
- 王敬宇左长明姬洪
- 关键词：PT/TI电极X射线衍射应力
- HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变
- 2010年
- 为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了Si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系。研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽。
- 杨洪东于奇王向展李竞春罗谦姬洪
- 关键词：氮化硅
- Sr/Si(001)上完全c轴取向SrTiO_3薄膜制备与表征
- 姬洪周晓媛
- LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜界面结构分析被引量：1
- 2005年
- 通过研究发现,利用激光分子束外延技术生长的 LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜具有良好的电学性能,其剩余极化可达到25μc/cm^2。性能决定于结构,因此本文分析研究了 LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜的界面结构。首先通过高能电子衍射技术在薄膜生长过程中对各层的生长及界面状况进行观测,再通过小角 X 射线衍射曲线及其计算机拟合曲线进一步确定超晶格薄膜的界面及结构参数,如界面的粗糙度、单层厚度等。通过研究发现,由于晶格之间的差异,LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜中 LaAlO_3和 BaTiO_3层的生长过程及微结构存在着一定的差异。
- 郝兰众李燕邓宏刘云杰姬洪
- 关键词：超晶格薄膜生长小角X射线衍射BATIO3
- 日盲探测器高Al组分n-Al_(0.6)Ga_(0.4)N欧姆接触(英文)
- 2008年
- 研究了应用于日盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti(20nm)/Al(100nm)之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,金属制作后再在N2氛围中做快速热退火处理.使用高精度XRD测试样品表面特性,并对不同温度下的情况进行比较.样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过I-V测试得到.670℃下90s退火得到最优ρc为3.42×10-4Ω·cm2.将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中,探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化.
- 朱雁翎杜江锋罗木昌赵红赵文伯黄烈云姬洪于奇杨谟华
- 关键词：欧姆接触退火
- 高分辨X射线衍射测定GaN外延膜的晶格常数
- 用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)方法在蓝宝石(A1203)衬底上生长GaN外延膜，用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析该外延膜的晶格常数，探讨GaN自缓冲层的引入实现较高质量的GaN外延膜的基本结构特性...
- 姬洪李言荣李超左长明
- 关键词：高分辨X射线衍射外延膜晶格常数氮化镓
- 文献传递
