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宋志伟

作品数：49 被引量：0H指数：0
供职机构：国家纳米科学中心更多>>
相关领域：化学工程理学文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 49篇中文专利

领域

  • 5篇化学工程
  • 2篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 15篇衬底
  • 14篇等离子体
  • 14篇高密度等离子...
  • 12篇气相沉积
  • 12篇纳米
  • 11篇膜材料
  • 11篇硅膜
  • 10篇反应气体
  • 10篇不均匀性
  • 7篇金属膜
  • 7篇光刻
  • 7篇光学
  • 7篇磁控
  • 6篇偏振
  • 6篇金属
  • 6篇刻蚀
  • 6篇溅射
  • 5篇电容
  • 5篇消光
  • 5篇光刻胶

机构

  • 49篇国家纳米科学...

作者

  • 49篇宋志伟
  • 46篇褚卫国
  • 23篇徐丽华
  • 22篇闫兰琴
  • 15篇董凤良
  • 7篇田毅
  • 6篇李晓军
  • 5篇陈佩佩
  • 5篇刘颖
  • 5篇赵修臣
  • 4篇苗霈
  • 4篇张先锋
  • 3篇胡海峰
  • 2篇梁明会
  • 2篇谢黎明
  • 2篇亓丽梅
  • 1篇方英
  • 1篇江鹏

年份

  • 4篇2022
  • 4篇2021
  • 5篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 9篇2017
  • 4篇2016
  • 11篇2015
  • 8篇2014
  • 1篇2013
共 49 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种结构型吸波材料及其制作方法
一种在硅衬底材料上制作的吸波材料及其制备方法，所述方法包括：在衬底上沉积一层金属膜；然后采用ICPECVD沉积含硅层；旋涂电子束光刻胶，曝光光刻胶，形成周期结构的光刻胶图形；再沉积一层金属膜并进行剥离，最终形成金属膜/含...
董凤良徐丽华宋志伟褚卫国
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一种耐高温光学反射膜及其制备方法和用途
本发明提供了一种耐高温光学反射膜及其制备方法和用途，所述光学反射膜包括金属膜和抗氧化层；所述抗氧化层位于所述金属膜的任意一侧；所述金属膜的原料包括纯金属或合金；所述纯金属包括铂、铑或铱中的任意一种或至少两种的组合；所述合...
谢黎明赵朝阳宋志伟
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一种表面增强拉曼基底及其制备方法
本发明提供了一种表面增强拉曼基底的制备方法，所述方法包括以下步骤：在基片上制备银膜，得到镀银基片；将所述镀银基片进行等离子体干法刻蚀，得到多孔结构的表面增强拉曼基底。此方法可制备颗粒度大小可调的银多孔结构，无需任何掩膜，...
徐丽华褚卫国陈佩佩宋志伟田毅
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一种在大面积衬底上磁控溅射制备薄膜的方法
本发明涉及一种在大面积衬底上磁控溅射制备薄膜的方法。所述方法包括：采用直径为2英寸的靶材在直径为6英寸的衬底上制备薄膜，所述靶材和衬底的距离≤17cm，靶材相对衬底的夹角≤90°，得到薄膜厚度的非均匀性≤5％。本发明使用...
宋志伟褚卫国
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一种超薄氮化硅膜材料及其制备方法
本发明提供了一种超薄硅氮化合物膜材料及其制备方法：将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，通入NH<Sub>3</Sub>气体和SiH<Sub>4</Sub>气体作为反应气体，通入氩气作为载体和保护气体，进行...
宋志伟褚卫国
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一种结构型吸波材料及其制作方法
一种在硅衬底材料上制作的吸波材料及其制备方法，所述方法包括：在衬底上沉积一层金属膜；然后采用ICPECVD沉积含硅层；旋涂电子束光刻胶，曝光光刻胶，形成周期结构的光刻胶图形；再沉积一层金属膜并进行剥离，最终形成金属膜/含...
董凤良徐丽华宋志伟褚卫国
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一种金属铝膜纳米结构刻蚀方法
本发明提供了一种针对不同颗粒度的金属铝膜的纳米结构刻蚀方法，通过调节BCl<Sub>3</Sub>和Cl<Sub>2</Sub>的气体比例来调整侧壁的陡直度以及纳米结构的关键尺寸偏差。该方法包括以下步骤：(1)用导热油将...
徐丽华宋志伟闫兰琴董凤良褚卫国
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一种耐高温减反光学膜及其制备方法和用途
本发明提供了一种耐高温减反光学膜及其制备方法和用途，所述方法包括以下步骤：对升华性材料和二氧化硅的混合膜，进行高温处理，得到具有纳米孔隙结构的二氧化硅膜。采用本发明的方法制备得到的减反光学膜可以降低反射率到0.3％以下，...
谢黎明赵朝阳王新胜宋志伟
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一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途
一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法：将衬底置于化学气相沉积设备腔体中，通入NH<Sub>3</Sub>、O<Sub>2</Sub>气体和含有SiH<Sub>4</Sub>的气体作为反应气体，通入载体和保护气体，进行气相沉...
宋志伟褚卫国
一种低温制备多晶硅膜材料的方法、得到的产品和用途
本发明涉及一种低温制备多晶硅膜材料的方法、得到的产品和用途。所述方法包括：采用高密度等离子体增强化学气相沉积设备制备多晶硅膜材料，气相沉积的温度≤300℃，所述高密度等离子体增强化学气相沉积设备的功率≥500W。本发明所...
宋志伟褚卫国徐丽华闫兰琴
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