宋鹏
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- He离子辐照6H-SiC引入缺陷的光谱研究
- 2014年
- 实验采用300 keV的He2+辐照6H-SiC,辐照温度分别为室温,450,600和750?C,辐照剂量范围为1×1015—1×1017cm-2,辐照完成后对样品进行拉曼散射和紫外可见透射光谱测试与研究.这两种分析方法的实验结果表明,He离子辐照产生的缺陷以及缺陷的恢复与辐照剂量和辐照温度有着直接关系.室温下辐照会使晶体出现非晶化,体现在拉曼特征峰消失,相对拉曼强度达到饱和(同时出现了较强的Si-Si峰);高温下辐照伴随着晶体缺陷的恢复过程,当氦泡未存在时,高温辐照很容易导致Frenkel对、缺陷团簇等缺陷恢复,当氦泡存在时,氦泡会抑制缺陷恢复,体现在相对拉曼强度和相对吸收系数曲线斜率的变化趋势上.本文重点讨论了高温辐照情况下氦泡对缺陷聚集与恢复的影响,并与高温下硅离子辐照碳化硅结果进行了对比.
- 杜洋洋李炳生王志光孙建荣姚存峰常海龙庞立龙朱亚滨崔明焕张宏鹏李远飞王霁朱卉平宋鹏王栋
- 关键词：6H-SIC拉曼散射光谱
