张希清
- 作品数：48 被引量：82H指数：6
- 供职机构：北京交通大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法
- 一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为ZnLi<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>O或ZnMg<Sub>z</Sub>Li<Sub...
- 张希清周东站王海龙李彬高耸彭云飞王永生
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- 在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法
- 本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该方法的步骤为：步骤1，将清洗过的ITO衬底传入MBE系统，在750-850℃下高温处理20-60分钟；步骤2，在500-700℃下，...
- 张希清孙建黄海琴刘凤娟胡佐富赵建伟
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- 光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法
- 本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上，衬底(3)的对面或侧壁上，设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为：1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传...
- 张希清刘凤娟孙建黄海琴姚志刚王永生
- 文献传递
- 一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法
- 一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为InZn<Sub>x</Sub>Li<Sub>y</Sub>N<Sub>z</Sub>O；InZn<Sub...
- 张希清李彬王海龙周东站彭云飞高耸衣立新王永生
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- 一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法
- 一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法，属于光电子信息领域，解决了ZnO光电导探测器响应速度比较慢的问题，它包括以下步骤：步骤一，用化学清洗方法将石英衬底清洗干净；步骤二，在清洗干净的石英衬底上生长Ga掺杂...
- 孙建张希清刘凤娟黄海琴王永生
- 非晶Mg-In-Sn-O薄膜晶体管的制备及有源层厚度对其电学性能的影响
- 2018年
- 制备了Mg-In-Sn-O薄膜晶体管(MITO-TFT)并探究了其电学性能.作为薄膜晶体管有源层的MITO薄膜在室温条件下通过射频磁控溅射沉积在SiO2/p-type Si衬底上.为了优化MITO-TFT的器件性能,研究了有源层厚度对器件性能的影响.结果表明25nm厚度的器件拥有最高的迁移率,为12.07cm2/Vs,同时阈值电压为4.8V,开关比为1.95×106.
- 王韬张希清
- 关键词：薄膜晶体管有源层厚度场效应迁移率
- 苯甲酰水杨酸铽的合成与发光特性研究被引量：6
- 2005年
- 合成了一类以苯甲酰水杨酸(BenzoylSalicylicAcid,BSA)为配体的稀土铽配合物,将导电高分子材料PVK引入到配合物中,制成了结构为ITO PVK :Tb(BSA) 4 LiF Al的电致发光器件。并对该配合物的吸收特性及电致发光和光致发光性能进行了研究,实验数据表明,在PVK与Tb(BSA) 4之间存在着能量传递,在电致发光中,PVK的发光完全被抑制,这与光致发光的表现不同,这是由于两种发光(光致和电致)机理不同造成的。文章同时比较了几种不同PVK掺杂浓度对于器件性能的影响。
- 林鹏梁春军邓振波白峰张志峰熊德平张希清
- 关键词：稀土电致发光
- 石英衬底阳极氧化铝膜的制备及其光致发光的研究被引量：2
- 2005年
- 报道了用15wt%H2 SO4 为电解液,在恒温0℃,4 0V电压条件下制备阳极氧化铝膜,用原子力显微镜观察其形貌,表明在简单条件下在石英衬底上制备了致密的氧化铝微晶膜。研究了不同电压条件下制备的氧化铝膜的常温光致发光,并监测了其激发光谱,发现其常温光致发光相对强度和发射峰位置与阳极氧化电压关系密切,有相对强度变小和发射峰位置红移的趋势,在4 0V电压条件下出现了35 6nm新的发射峰,而其不同的发射峰激发光谱都为2 10nm ,说明其来源存在关联。详细分析了4 0V电压下的阳极氧化铝膜中出现的35 6 ,386nm近紫外发射,并认为其发光来源于与F心和F+ 心有关的氧缺陷。
- 熊德平张希清林鹏王丽
- 关键词：氧化铝膜阳极氧化法光致发光
- ITO表面研磨处理对有机电致发光器件性能的影响被引量：3
- 2005年
- 用一种特制的纳米研磨粉磨擦方法处理ITO表面,用扫描探针显微镜研究了ITO表面形貌,发现ITO表面尖峰明显减少,表面粗糙度降低;研究了ITO处理与没做处理的双层结构有机电致发光器件,发现ITO处理的器件在亮度和效率方面都有明显提高。分析了器件性能提高的原因,认为是由于ITO处理的器件提高了注入载流子并且降低了界面势垒。
- 王丽张希清林鹏熊德平黄世华
- 关键词：OLEDITO表面处理
- CdS薄膜的化学沉积法制备及其特性的研究被引量：10
- 2007年
- 用化学沉积方法在沉积温度为90℃下制备了CdS薄膜。研究了直接退火处理和涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理对CdS薄膜的影响。利用X射线衍射、扫描电子显微镜对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了研究,发现没有任何处理的CdS薄膜没有明显的晶型;直接退火处理促进了CdS立方相的结晶,晶粒没有增大且生长出许多细小的晶粒;涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理不仅极大地促进了CdS六角相的结晶,而且晶粒增粗增大,表面更加光滑。用吸收光谱研究了薄膜的光学特性,发现退火使薄膜的禁带宽度变窄,涂敷CdCl2甲醇溶液后退火处理使吸收边变陡和带尾变小。表明涂敷CdCl2甲醇溶液退火处理明显改善CdS薄膜的结晶质量和光学性质。
- 孙学柏张希清杜鹏常笑薇王俊玲黄世华
- 关键词：化学沉积CDS薄膜退火
