张正海
- 作品数：2 被引量：6H指数：1
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 铝氮共掺制备p型ZnO薄膜的电学性能研究被引量：6
- 2004年
- 本文通过直流反应磁控溅射 ,采用Al+N共掺的方法在N2 O—O2 气氛下制备p型ZnO薄膜。结果表明 ,衬底温度为 5 0 0℃时共掺所得p型ZnO的载流子浓度最高 ,并且比单独掺氮时高近 3个数量级。本文还讨论了生长气氛对薄膜电学性能的影响 ,当衬底温度为 5 0 0℃时 ,在纯N2 O气氛下制备的p型ZnO的空穴浓度最高 ,为 7 5 6× 10 17cm-3 ,同时薄膜的电阻率和载流子的迁移率分别为 94 3Ω·cm和 0 0 9cm2 V-1s-1。
- 张正海叶志镇朱丽萍赵炳辉诸葛飞吕建国
- 关键词：ZNO薄膜掺氮载流子浓度衬底温度直流反应磁控溅射
- Al—N共掺N<,2>O—O<,2>气氛中制备p型ZnO薄膜
- 本文采用Al·N共掺的方法在N<,2>O-O<,2>气氛中制备p型ZnO薄膜,并讨论了薄膜的电学性能随靶材中铝含量以及气氛中N<,2>O分压比的变化情况.在靶材中铝含量为0.04wt﹪,N<,2>O分压较低以及铝含量0....
- 诸葛飞朱丽萍叶志镇马德伟赵炳辉张正海吕建国
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射
- 文献传递
