张淑芝
- 作品数：16 被引量：24H指数：4
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- (Al_xGa_(1-x))_yIn_(1-y)P表面氧化特性
- 1999年
- 利用双层吸收膜模型，采用消光式椭圆偏振仪，对用ＭＯＣＶＤ方法生长的（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（本征）、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｍｇ）和（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｓｉ）３个样品及它们的表面氧化膜的光学参数进行了测量和计算，并对其结果加以讨论．另外还在室温下对（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（本征）表面氧化膜的生长速率及其厚度进行研究。
- 连洁张淑芝许进黄柏标崔德良秦晓燕
- 关键词：氧化膜光学参数ALGAINP
- 用消光式椭圆偏振仪测薄膜的椭圆偏振光谱被引量：3
- 1989年
- 我们提出一种简便宜行的测试方法，即利用固定波长下的消光椭圆偏振仪中补偿器材料的色散曲 线计算对不同波长的光产生的位相差，实现可变波长的消光椭圆偏振测量．以Ｓｉ－ＳｉＯ２膜为例测椭圆 偏振光谱和理论计算，两者结果一致。
- 张淑芝
- 关键词：椭圆偏振光谱硅
- 用椭圆偏振光谱法研究Ga_xIn_(1-x)P的光学性质(Ⅰ)被引量：4
- 1998年
- 用变入射角椭圆偏振技术测量了用金属有机气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ样品在可见光区室温下的光学常数．对其结果进行了讨论，给出了带隙Ｅｇ和跃迁Ｅｇ＋Δ０的能量值，Δ０的实验值与计算值符合的很好．
- 张淑芝张燕锋黄伯标黄根生秦晓燕
- 关键词：带隙椭圆偏振光谱化合物半导体光学性质
- Al_xGa_(0.51-x)In_(0.49)P中Al的组分研究被引量：1
- 1999年
- 本文利用椭圆偏振光谱法测量了用ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＡｌＧａＩｎＰ及ＡｌＧａＩｎＰ掺Ｓｉ两个样品，在可见光区室温下的光学常数，求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系。用有效介质近似理论（ＥＭＡ）和线性内插法计算了样品中Ａｌ的组分，并与Ｘ射线微区分析法（能谱法）的测量结果加以比较。
- 张淑芝连洁魏爱俭黄伯标崔德良秦晓燕王海涛
- 关键词：椭偏光谱
- Al_xGa_(0.51-x)In_(0.49)P光学性质的研究被引量：2
- 2000年
- 用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品。用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数 ,并求其介电函数的三级微商谱。用三点比例内插法分析介电函数的三级微商谱 ,精确地得到样品的带隙Eg、Eg+Δ0 以及Eg 以上成对结构跃迁的能量位置 ,并对其结果加以分析。同时与沟道分析等方法相结合对材料的性能进行了鉴定。
- 连洁张淑芝卢菲魏爱俭黄伯标崔德良秦晓燕王海涛
- 关键词：ALGAINP光学性质砷化镓光学性质MOCVD
- 精确确定半导体材料临界点的能量值
- 1999年
- 分析表明波长调制反射谱的实质，是介电函数对能量的一级微商。导出了弱电场调制反射谱与介电函数对能量的三级微商成正比，将ＭＯＣＶＤ方法生长的ＧａＩｎＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ三个样品，用椭偏光谱法测量得到可见光区的介电函数谱，并求其一级和三级微商谱。将用于分析电反射谱的三点法推广用于分析介电函数的一级和三级微商谱，得到波长调制和弱电场调制反射谱的实验结果，并与介电函数谱的结果加以比较。
- 张淑芝张燕峰连洁
- 关键词：半导体材料椭圆偏振光谱
- SnO_2(F)、Fe_2O_3和ZnSe(Fe)薄膜厚度的测量被引量：5
- 1993年
- 用RBS技术、椭偏法和微量天平称重法测量了掺氟SnO_2(FTO)透明导电膜、掺铁ZnSe磁性半导体膜和Fe_2O_3气敏元件膜的薄膜厚度.实验结果表明,RBS技术的测量数值与椭偏法以及微量天平称重法测得的结果符合得较好。
- 谭春雨夏曰源张汝贞刘吉田刘向东许炳章李淑英陈有鹏张淑芝
- 关键词：FTO硒化锌
- 铝镓铟磷的带隙分析被引量：3
- 2001年
- 本文利用椭圆偏振光谱法研究了铝镓铟磷 (Al Ga In P)以及掺 Si样品 ,获得样品的光学常数随光子能量的变化关系和可见光区的介电函数谱 ;对该谱进行数值微分 ,得到介电函数的三级微商谱 ;应用介电函数的三级微商理论 ,求得样品的带隙 。
- 连洁魏爱俭王青圃李桂秋张淑芝张晓阳
- 关键词：椭偏光谱能带隙铝镓铟磷发光器件
- 非镜面膜的椭偏研究被引量：5
- 1992年
- 本文提出了SnO_2:F绒面膜的三层膜模型;从表示平面波传播性质的界面矩阵和膜层矩阵出发,导出了三层膜系统的散射矩阵和总反射系数,建立了反射式椭偏术的基本公式;利用反射式椭偏光谱法,测得SnO_2:F绒面膜的厚度和色散关系.
- 张淑芝王志刚李淑英
- 用椭圆偏振光谱精确确定半导体材料临界点的位置
- 1998年
- 分析了波长调制反射谱，实际是介电函数对能量的一级微商。导出了弱电场调制反射谱与介电函数对能量的三级微商成正比，将ＭＯＣＶＤ方法生长的ＧａＩｎＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ三个样品，用椭偏光谱法测量得到可见光区的介电函数谱，并求其一级和三级微商谱。将用于分析电反射谱的三点法推广用于分析介电函数的一级和三级微商谱，得到波长调制和弱电场调制反射谱的实验结果，并与介电函数谱的结果加以比较，使灵敏度和分辨率有很大提高。
- 张淑芝张燕峰
- 关键词：椭圆偏振光谱半导体材料
