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张猛

作品数:16 被引量:2H指数:1
供职机构:四川大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 12篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇理学
  • 4篇电子电信
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 10篇纳米
  • 6篇团簇
  • 5篇发光
  • 5篇半导体
  • 4篇导体
  • 4篇衍生物
  • 4篇有机配体
  • 4篇诱导期
  • 4篇元素周期表
  • 4篇配体
  • 4篇周期表
  • 4篇纳米晶
  • 4篇纳米团簇
  • 4篇幻数
  • 4篇激光
  • 4篇光材料
  • 4篇光催化
  • 4篇光催化剂
  • 4篇红移
  • 4篇发光材料

机构

  • 16篇四川大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 16篇张猛
  • 6篇陈晓琴
  • 3篇李永贵
  • 3篇林理彬
  • 3篇邹睿
  • 2篇王俊
  • 2篇何丽
  • 2篇黄文
  • 2篇梁斌
  • 2篇张国庆
  • 1篇张国庆

传媒

  • 2篇中国激光
  • 1篇强激光与粒子...

年份

  • 1篇2024
  • 5篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 4篇2003
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
自由电子激光辐照半导体多量子阱的研究被引量:1
2003年
利用低温光荧光谱研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱光学性质的影响。用波长为 8 92μm ,光功率密度相应于电场强度为 2 0kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱 6 0min ,发现量子阱特征峰 797nm经过辐照后峰值发生红移至 812nm ,波形展宽 ,峰高降低。对此结果进行了讨论 ,并与电子辐照的情况做了比较。
邹睿林理彬张猛张国庆李永贵
关键词:激光技术红移
一种有机胺配位CdSe纳米片及其作为光催化剂的用途
本发明属于半导体纳米片催化材料技术领域,具体涉及一种有机胺配位CdSe纳米片及其作为光催化剂的用途。该有机胺配位CdSe纳米片包括CdSe纳米片和通过配位键连接在所述CdSe纳米片表面的有机胺,其中,在制备所述有机胺配位...
刘跃辉余睽沈悦海孙郭程港张猛田小强王俊
自由电子激光对量子阱材料的辐照效应研究
当前对自由电子激光和量子阱材料的研究同处于高科技的前沿,但自由电子激光对量子阱材料的辐照效应研究却进行得很少,因而这是一个相当新颖的课题.该论文首先介绍了自由电子激光和量子阱材料,然后讨论了激光作用于量子阱材料的辐照效应...
张猛
关键词:自由电子激光光致发光谱霍耳效应
文献传递
一种有机胺配位CdSe纳米片及其作为光催化剂的用途
本发明属于半导体纳米片催化材料技术领域,具体涉及一种有机胺配位CdSe纳米片及其作为光催化剂的用途。该有机胺配位CdSe纳米片包括CdSe纳米片和通过配位键连接在所述CdSe纳米片表面的有机胺,其中,在制备所述有机胺配位...
刘跃辉余睽沈悦海孙郭程港张猛田小强王俊
一种CdSeS幻数纳米团簇及其作为光催化剂的用途
本发明属于半导体幻数纳米团簇催化材料技术领域,具体涉及一种CdSeS幻数纳米团簇及其作为光催化剂的用途。该CdSeS幻数纳米团簇是通过如下方法制备而成:它是由镉源、含硒原料、含硫原料制备而成,其中,原料中Cd、Se与S的...
刘跃辉余睽沈悦海孙郭程港张猛陈晓琴栾超然
半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究
2003年
 利用低温光荧光谱(PL)和光瞬态电流谱(OTCS)研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料的光学性质以及缺陷能级的影响。用波长为8.92μm,光功率密度相应于电场强度为20kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60min,分析PL谱发现量子阱特征峰(797nm)经过辐照后峰值发生红移至812nm,波形展宽,峰高降低。分析OTCS谱发现自由电子激光辐照引入了新的缺陷能级,量子阱结构发生变化,对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较。
邹睿林理彬张猛张国庆李永贵
关键词:红移半导体材料
一种发光幻数纳米团簇、其制备方法及其用途
本发明属于半导体发光材料技术领域,具体涉及一种幻数纳米团簇、其制备方法及其用途。本发明提供的幻数纳米团簇是以CdS单体置换CdSe幻数纳米团簇表面的CdSe单体后形成的CdSeS幻数纳米团簇。本发明还提供上述幻数纳米团簇...
朱金铭余睽刘跃辉傅敏张猛陈晓琴栾超然黄文李幼萍张伯礼
文献传递
以离子交换的间接方式制备幻数团簇纳米晶的方法
以离子交换的间接方式制备幻数团簇纳米晶的方法。分别以按常规方式由含有元素周期表中ⅡB族、ⅢA或ⅣA族金属元素的化合物,与含有ⅥA族或ⅤA族的非金属元素为原料形成的常规纳米晶成核前的诱导期中间体作为原料A;以元素周期表中Ⅱ...
梁斌陈檬刘尚谱张猛余睽
自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响被引量:2
2003年
自由电子激光(FEL)辐照样品前和辐照样品时,使用变温霍尔测量系统测试了这种n型调制掺杂GaAs/AlGaAs异质结构材料中准二维电子气(2DEG)的迁移率、电子浓度和电阻率。对比这两种情况下的结果可以发现:1)迁移率随温度升高而降低,光照使迁移率增大;2)电子浓度随温度变化关系相对较为复杂,但是平均而言,光照会使电子浓度减小;3)电阻率随温度升高而升高,光照使电阻率减小,但这种影响不明显。对这些现象给出了具体的分析。
张猛林理彬邹睿张国庆李永贵
关键词:电学性质自由电子激光异质结构材料二维电子气辐照效应
一种CdSeS幻数纳米团簇及其作为光催化剂的用途
本发明属于半导体幻数纳米团簇催化材料技术领域,具体涉及一种CdSeS幻数纳米团簇及其作为光催化剂的用途。该CdSeS幻数纳米团簇是通过如下方法制备而成:它是由镉源、含硒原料、含硫原料制备而成,其中,原料中Cd、Se与S的...
刘跃辉余睽沈悦海孙郭程港张猛陈晓琴栾超然
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