张立
- 作品数：5 被引量：22H指数：1
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 衬底偏压对纳米碳化硅薄膜的微观结构和能带结构的影响
- 采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术(HWP-CVD)以SiH4、CH4和H2为反应气体在Si(100)和康宁玻璃衬底进行了纳米SiC薄膜沉积.傅立叶红外光谱显示,吸收谱中800cm-1附近Si-C吸收峰谱线线型中洛伦兹成...
- 于威崔双魁路万兵张立傅广生
- 关键词：化学气相沉积
- 文献传递
- ZnO纳米网状结构的制备被引量：1
- 2006年
- 采用热蒸发技术在镀金Si衬底上实现了ZnO纳米网状结构制备.利用扫描电子显微镜、X射线衍射及光致发光技术对ZnO纳米结构的形貌、晶态结构及发光特性进行了分析.结果表明,源材料ZnO和C的质量比为6∶1时有利于ZnO纳米网状结构的形成,该结构由一维纳米线和二维纳米片状结构组成.纳米网状结构主要由晶态ZnO组成.室温的光致发光谱分析结果显示,所制备的纳米ZnO网状结构呈现出了较强的紫外光发射的特征.
- 孙伟于威路万兵蔡淑珍张立吕雪芹许贺菊
- 纳米β-SiC薄膜过剩载流子衰减特性分析
- 2006年
- 利用微波吸收技术对Si衬底上微晶及纳米β-SiC薄膜的过剩载流子瞬态行为进行了分析.所用样品采用PECVD技术制备,微波吸收测量采用脉宽35 ps,波长355 nm脉冲激光.所测得的载流子浓度衰减分为快、慢2个过程,微波吸收瞬态特性满足双指数衰减规律.该结果表明,样品光生载流子衰减过程主要决定于2种陷阱作用,其中快过程与SiC薄膜中浅能级陷阱的载流子弛豫效应相关,而慢过程则是深能级陷阱的载流子弛豫行为占优势的结果.纳米碳化硅晶粒界面较高的缺陷态密度导致载流子俘获几率增加,非辐射复合几率减小,纳米β-SiC薄膜表现较长的载流子衰减时间.
- 韩晓霞于威张立崔双魁路万兵
- 关键词：微波吸收
- 衬底偏压对纳米碳化硅薄膜的微观结构和能带结构的影响
- 采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术（HWP-CVD）以SiH4、CH4和 H2为反应气体在Si（100）和康宁玻璃衬底进行了纳米SiC薄膜沉积。傅立叶红外光谱显示,吸收谱中800cm-1附近Si-C吸收峰谱线线型中洛伦兹...
- 于威崔双魁路万兵张立傅广生
- 关键词：碳化硅化学气相沉积
- 文献传递
- 氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征及其能带结构分析被引量：21
- 2006年
- 对氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征和薄膜能带结构之间的关系进行了研究.所用样品采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术制备,利用Raman散射、红外吸收和光学吸收技术对薄膜的微观结构、氢的键合特征以及能带结构特性进行了分析.Raman结果显示不同衬底温度下所生长薄膜的微观结构存在显著差异,从非晶硅到纳米晶硅转化的衬底温度阈值为200℃.薄膜中氢的键合特征与薄膜的能带结构密切相关.氢化非晶硅薄膜具有较高的氢含量,因键合氢引起的价带化学位移和低衬底温度决定的结构无序性,使薄膜呈现较大的光学带隙和带尾宽度.升高衬底温度主要导致氢化纳米硅薄膜中纳米硅界面的键合氢含量增加,使薄膜光学带隙和带尾宽度呈减小趋势,该结果主要关联于键合氢对纳米晶粒表面悬键的中止作用.对应更高的衬底温度,因薄膜中的氢不能完全中止纳米晶粒界面的悬键,使薄膜能带带尾加宽.
- 于威张立王保柱路万兵王利伟傅广生
- 关键词：螺旋波等离子体微观结构
