张金虎
- 作品数：10 被引量：6H指数：1
- 供职机构：沈阳工业大学更多>>
- 发文基金：辽宁省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- Ni(BN)纳米胶囊的制备及性能研究
- 利用直流电弧等离子法蒸发Ni-B非晶合金,成功地制备了BN包裹Ni纳米颗粒。高分辨电镜显示该颗粒为具有核壳结构的纳米胶囊,颗粒的尺寸为10-80nm,壳的厚度为4-8nm.X-Ray衍射研究表明该纳米胶囊核为Ni纳米颗粒...
- 史桂梅宋歌董阳张金虎
- 关键词：纳米胶囊磁性质
- 文献传递
- 一种零维多面体Fe纳米胶囊的制备方法
- 本发明涉及一种磁性纳米材料，具体地说是一种零维多面体Fe纳米胶囊的制备方法。其特征在于：在非高真空条件下，以Fe-Al合金为原料作为阳极(Al含量不超过阳极Fe-Al合金总量的10at％)，以金属钨作为阴极，把Fe-Al...
- 史桂梅张进冰宋歌张金虎廉舒
- Ni(BN)纳米胶囊的制备及性能研究
- 利用直流电弧等离子法蒸发Ni-B非晶合金,成功地制备了BN包裹Ni纳米颗粒。高分辨电镜显示该颗粒为具有核壳结构的纳米胶囊,颗粒的尺寸为10-80nm,壳的厚度为4-8m。X-Ray衍射研究表明该纳米胶囊核为Ni纳米颗粒;...
- 史桂梅宋歌董阳张金虎
- 关键词：电弧法纳米胶囊磁性质
- 文献传递
- 零维纳米胶囊氮化硼包覆钴的制备方法
- 本发明是一种零维纳米胶囊的制备方法，属于一种纳米材料，其主要技术特征是，以非晶Co-B合金为原料作为阳极(阳极靶材是由固相化学反应制备的非晶Co-B纳米合金粉体压制而成)，以金属钨作为阴极，利用等离子电弧法制备出BN包覆...
- 史桂梅黄炎董阳张金虎
- 文献传递
- 一种零维多面体Fe纳米胶囊的制备方法
- 本发明涉及一种磁性纳米材料，具体地说是一种零维多面体Fe纳米胶囊的制备方法。其特征在于：在非高真空条件下，以Fe-Al合金为原料作为阳极(Al含量不超过阳极Fe-Al合金总量的10at％)，以金属钨作为阴极，把Fe-Al...
- 史桂梅张进冰宋歌张金虎廉舒
- 文献传递
- BN包覆Co纳米胶囊的制备和性能
- 2008年
- 用直流电弧等离子法蒸发Co-B非晶合金,以Co-B非晶合金靶材,制备了BN包裹Co和少量CoB合金的纳米颗粒,用高分辨电镜、X-Ray衍射及选区电子衍射和光致发光光谱及红外光谱对其进行了表征.结果表明,所制备的纳米颗粒是一种具有核壳结构的纳米胶囊,尺寸为10-100 nm,核由Co和少量CoB合金组成,壳是厚度为3-5 nm的BN;Co/CoB作为催化剂在蒸发时促使B与N反应,生成BN包覆在其表面形成纳米胶囊.壳核结构能防止纳米Co颗粒的氧化和团聚.这种纳米胶囊的饱和磁化强度为63.16 Am^2/kg,矫顽力为23.16 kA/m.其矫顽力比相应的块体材料提高的主要原因,是颗粒尺寸变小和多畴粒子畴壁的钉扎作用.
- 史桂梅董阳黄炎张金虎
- 关键词：无机非金属材料电弧法纳米胶囊磁性质
- 化学镀法合成Fe/Ni纳米复合粉体被引量：1
- 2008年
- 目的为实现由直流电弧法所获得的Fe纳米粉体表面活性,合成非晶Ni-P包覆Fe纳米胶囊.方法利用化学镀法对由直流电弧法所获得的Fe纳米粉体表面改性,合成Ni及Ni-P包覆Fe纳米胶囊.结果高分辨电镜（HRTEM）和能量散射谱（EDS）以及XPS光电子能谱研究表明该复合粉体颗粒具有壳核结构,颗粒的尺寸为20~200 nm,核为Fe纳米颗粒,壳为Ni-P合金,其厚度为3~10 nm.同时磁性研究表明该Fe/Ni复合粉体的饱和磁化强度和初始材料Fe粉的饱和磁化强度没有明显差别,分别为141.39 Am2/kg、143.28 Am2/kg;而矫顽力略有增加.结论由于非晶合金壳层的存在,减弱核纳米粒子Fe的氧化程度,提高了Fe纳米粒子的稳定性,利用化学镀法可以实现粉体的表面改性,实现双金属粉体合成.
- 单亚拿史桂梅张金虎董阳司明皓田素贵
- 关键词：化学镀法微观结构磁性
- SiC包覆过渡金属纳米吸波材料的制备与研究
- 本文采用等离子电弧法,通过改变阳极合金组成和成分、反应气体组成和比例以及控制电弧电流等手段,制备了Fe（χ-C-Fe-Si/SiC）纳米胶囊、Ni（SiC）纳米胶囊。利用X射线粉末衍射（XRD）、高分辨透射电镜（HRTE...
- 张金虎
- 关键词：纳米胶囊吸波性能
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- 零维纳米胶囊氮化硼包覆钴的制备方法
- 本发明是一种零维纳米胶囊的制备方法，属于一种纳米材料，其主要技术特征是，以非晶Co－B合金为原料使用等离子体电弧法、蒸发法制备出BN包覆Co纳米胶囊。其优点是纯度高、产率大、成本低，操作简单、合成时间短。因此是一种获得高...
- 史桂梅黄炎董阳张金虎
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- 晶体Si能带的密度泛函及第一性原理计算被引量：4
- 2009年
- 针对晶体Si在二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路中的应用与其能带结构密切相关的问题,采用密度泛函理论及第一性原理的赝势平面波方法,从理论上计算了晶体Si的电子能带.计算结果表明:Si的晶格常数为0.540 nm,与实验参考值相吻合;其价带宽度为11.80 eV,导带宽度为9.58 eV,该结果与其他学者用OPW方法所计算的结果相符合;价带与导带之间的禁带宽度为0.80 eV,进一步说明了Si是良好的半导体材料.
- 郭连权刘嘉慧宋开颜张金虎马贺武鹤楠李大业
- 关键词：半导体禁带宽度密度泛函第一性原理赝势
