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徐叙

作品数:24 被引量:51H指数:4
供职机构:北京交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学医药卫生一般工业技术更多>>

文献类型

  • 24篇中文期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 8篇理学
  • 2篇医药卫生
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 15篇发光
  • 10篇电致发光
  • 4篇光材料
  • 4篇发光材料
  • 3篇光学
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇氧化硅
  • 2篇肿瘤
  • 2篇极化率
  • 2篇光激励
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇发光器件
  • 2篇发光特性
  • 2篇发光中心
  • 2篇非线性光学
  • 2篇TFEL器件
  • 2篇LB膜
  • 2篇掺杂
  • 2篇新结构
  • 2篇EU

机构

  • 12篇天津理工学院
  • 7篇北京交通大学
  • 6篇北方交通大学
  • 4篇中国科学院长...
  • 4篇中国科学院长...
  • 3篇吉林省人民医...
  • 2篇南开大学
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇国防科学技术...
  • 1篇河北大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇天津理工大学

作者

  • 24篇徐叙
  • 7篇徐征
  • 6篇王永生
  • 4篇孟继武
  • 4篇徐春祥
  • 4篇陈立春
  • 3篇于磊
  • 3篇娄志东
  • 3篇任新光
  • 3篇滕枫
  • 3篇孙力
  • 3篇马焕璞
  • 3篇华玉林
  • 3篇邓振波
  • 2篇侯延冰
  • 2篇熊光楠
  • 2篇赵谡玲
  • 2篇李加
  • 1篇张光寅
  • 1篇张志娴

传媒

  • 6篇功能材料
  • 3篇激光生物学报
  • 3篇发光学报
  • 3篇天津理工学院...
  • 2篇光谱学与光谱...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇核技术
  • 1篇光学学报
  • 1篇塑料科技
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2006
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 3篇1998
  • 6篇1997
  • 5篇1995
  • 5篇1994
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电致发光材料MGa_2S_4:Ce的合成及其发光特性被引量:1
1997年
用固相反应法制备 CaS, SrS, Ga2S3及 Ce2S3,进而合成了MGa2S4:Ce(M=Ca,Sr)电致发光材料.CaGa2S4和SrGa2S4同属D空间群中斜方晶系结构用430nm的光激发时,CaGa2S4:Ce3和SrGa2S4:Ce具有相似的发射谱带,都具有蓝、绿两个发射峰,它们分别对应着Ce3的2D(5d)→F5/2(4f)和2D(5d)→F7/2(4f)的跃迁MGa2S4:Ce粉末的光致发光光谱随 Ce3浓度的增加略向长波方向移动;浓度相同的SrGa2S4:Ce的光谱相对于CaGa2S4:Ce蓝移约10nm.MGa2S4:Ce的电致发光与粉 末材料的光致发光相比明显向短波方向移动// 关键词##4//
徐春祥娄志东滕枫于磊徐征徐叙马龙刘行仁
关键词:固相反应X射线衍射电致发光材料
光激励发光材料BaFCl:Eu中的发光中心
1994年
本文研究了光激励发光材料BaFCl:Eu中的发光中心。在不同的反应气氛下BaFCl:Eu具有不同的发光性质。利用光谱的方法、X射线光电子能谱的方法,研究了在不同条件下制备的BaFCl:Eu样品中,稀土离子Eu的性质。
王永生熊光楠徐叙张光寅
关键词:X射线辐射光激励发光中心发光材料
电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率被引量:11
1998年
根据非晶态半导体的能带理论,讨论了分层优化薄膜电致发光方案中非晶二氧化硅加速层中的电子在高电场中的输运行为.研究结果表明:在高电场下,由于电场的存在降低了陷阱之间的平均势垒高度.在费密能级附近处的杂质及缺陷定域态和导带尾定域态中,电子的输运主要表现为电场增强的热辅助式跳跃传导;而在导带扩展态中,电子的输运仍像晶态半导体那样表现为共有化运动.此外,以实验数据为基础,计算出了非晶二氧化硅中电子的迁移率、最小金属电导率、导带迁移率边界状态密度及费密能级处的状态密度.
娄志东徐征徐春祥于磊滕枫徐叙
关键词:电子输运二氧化硅电致发光高电场
血卟啉光分解性质的研究被引量:1
1997年
本文阐述了血卟啉的光分解性质。Hückel分子轨道理论指出,共轭分子随着π电子数的增加,分子的πM0能级变密,激发能降低,分子的激发带边红移。因此通过红移分析可以计算出共轭分子的π电子数。在强紫外光照射下血卟啉发生了光分解,其激发光谱发生了明显的变化,根据光谱数据可计算出血卟啉开环。
孟继武任新光徐叙马焕璞
关键词:卟啉血卟啉光分解
ZnS:Ag^+AC TFEL器件的制备及发光特性研究
1995年
通过对ZnS:Ag ̄+薄膜电致发光(TFEL)器件的光学性质的研究,探讨了能获得稳定兰色发光的TFEL器件的制备及有利于ZnS:Ag ̄+兰色发光的实验条件,同时讨论了光的干涉对ZnS:Ag ̄+TFEL光谱的影响。在实验中得到的ZnS:Ag ̄+TFEL光谱是包含几个隆起的宽带,通过计算证明这些隆起的出现与光的干涉有关。Ag ̄+的浓度对ZnS:Ag ̄+TFEL器件的发光亮度和稳定性有显著的影响,Ag ̄+浓度约为0.03mol%时,器件亮度较高,稳定性也较好。浓度再大时,亮度和稳定性较低。较高的电压有利于ZnS:Ag ̄+兰色发光的提高,激发频率也存在一个最佳值。
徐春祥卫常红华玉林徐叙
关键词:薄膜电致发光发光强度
掺杂不同一维纳米材料的空穴缓冲层对有机电致发光器件性能的影响被引量:2
2006年
对一维纳米材料在空穴缓冲层PEDOT中的作用进行了研究。光致发光表明在PEDOT中掺杂一维纳米材料(二氧化钛纳米管和氧化锌纳米棒)可以提高双层样品PEDOT/MEH-PPV的发光效率。拉曼光谱的结果说明正是由于一维纳米材料与PEDOT之间存在的强相互作用,才减少了PEDOT/MEH-PPV界面上猝灭发光的缺陷态的产生。在以MEH-PPV作为发光层的聚合物电致发光器件中,在PEDOT中掺杂二氧化钛纳米管和氧化锌纳米棒后,器件的最大效率分别提高了2倍和2.5倍。
钱磊滕枫徐征权善玉刘德昂王元敏王永生徐叙
关键词:一维纳米材料空穴缓冲层掺杂
血清荧光法恶性肿瘤的普查被引量:9
1997年
动物实验和临床实验结果表明,癌患者卟啉代谢异常。我们采用对血清中卟啉荧光分析进行恶性肿瘤普查。通过400例健康普查,发现3例血清荧光呈阳性。后经临床诊断对照,1例肺癌,1例肝癌。
孟继武候尚公徐叙马焕璞
关键词:肿瘤
SPC-A-1肺癌细胞的荧光研究被引量:1
1997年
在368nm光激发下,SPC—A—1肺癌细胞在410nm处有一条荧光带,带宽70nm。在同样条件激发下,正常人肺细胞在465nm处有一条荧光带,带宽65nm。两者有明显的差别。这说明两者的发光中心结构不同。通过肺细胞对牛血清荧光猝灭的研究。
孟继武任新光徐叙马焕璞文乾享苑学军董永兰于鸿华新民
关键词:肺肿瘤癌细胞荧光
氟氧化物中Er^(3+)的上转换发光被引量:3
2001年
研究了Er3 + 离子氟氧化物的上转换发光。在 980nm光的激发下 ,测量了Er3 + 离子浓度 (分别为 1mol%、2mol %、3mol% )不同时材料的上转换发光光谱。在可见光范围内 ,观察到了强红光和绿光 ,并且在短波段也观察到了光的发射 ,波峰分别位于 661、5 45、45 6、40 9和 3 80nm处。还测量了各样品的上转换发光强度随激发强度的变化情况 ,由LogIvis-LogIin曲线可知 ,红光为双光子过程和三光子过程 ,绿光为三光子过程。并初步研究了此材料的上转换过程和上转换通道。
赵谡玲侯延冰孙力徐叙
关键词:氟氧化物上转换发光
SiO_2/SiO界面能级位移光电发射的研究
1994年
芯层光电子能谱(XPS)和价带光电子能谱(UPS)是研究不同半导体之间界面价带落差的有效手段,由SiO2/SiO界面处的芯层和价带光电子能谱,我们确定SiO2/SiO界面能级落差为2.0eV,覆盖引起能带位移为0.9eV,同时发现SiO和SiO2中的化学组分是较复杂的。
陈立春刘先明邓振波徐叙
关键词:光电子能谱半导体
共3页<123>
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