戴大康
- 作品数：6 被引量：7H指数：1
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- 单电子器件的电路模型
- 随着超大规模集成电路的发展，半导体器件的特征尺寸越来越小，数字集成电路的芯片集成度越来越高，半导体器件由微米级逐渐进入纳米级，量子效应对器件的影响越来越大，传统微电子技术的各个方面诸如器件结构、加工技术以及材料选用等都将...
- 戴大康
- 关键词：单电子器件电路模型半导体器件
- 文献传递
- 基于压控单元的单电子晶体管宏模型被引量：1
- 2009年
- 在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上,笔者采用等效电路的方法,提出了基于压控单元的SET宏模型,仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比,得出曲线的走势与理想曲线基本一致,偏差不大.并且通过计算表明,数值的精度在合理范围内,验证了模型的合理性.
- 周少华熊琦杨红官戴大康曾健平曾云
- 关键词：等效电路宏模型单电子晶体管
- 堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的计算模型被引量：1
- 2007年
- 采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应,建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用该模型数值,研究了Si3N4/SiO2、Al2O3/SiO2、HfO2/SiO2和La2O3/SiO2四种堆叠栅介质结构MOS器件的栅极漏电流随栅极电压和等效氧化层厚度变化的关系。依据计算结果,讨论了堆叠栅介质MOS器件按比例缩小的前景。
- 杨红官朱家俊喻彪戴大康曾云
- 关键词：直接隧穿MOS器件
- 基于压控单元的单电子晶体管宏模型
- 2008年
- 采用等效电路的方法,将单电子晶体管(SET)等效为由电容、电阻、多个压控电压源和压控电流源构成的电路,并从SET的结构出发,利用正统理论和量子力学理论,得到了单电子晶体管的电压与电流的关系。该模型可以较好模拟SET稳态时的工作状态,并可以由此出发,研究SET反相器和存储器电路,解决SET/MOS混合电路仿真的问题,对未来单电子电路的研究会有一定的帮助。
- 戴大康杨红官喻彪曾云
- 关键词：单电子晶体管等效电路SPICE模型宏模型
- 5GHz高线性度CMOS混频器的设计被引量：1
- 2008年
- 文中分析了混频器的线性度与转换增益之间的关系,提出了一种提高Gilbert混频器线性度的方法,并设计了5GHz频段适用于802.11a标准的高线性度混频器。电路采用0.18μm CMOS工艺,通过Cadence SpectreRF仿真与优化,得到10.25dBm的1dB压缩点,-2.24dB的转换增益,26dB的噪声系数,整个混频器达到了较高的线性度。
- 喻彪杨红官戴大康曾云
- 关键词：混频器线性度CMOS
- 纳米级MOS器件中电子直接隧穿电流的研究被引量：4
- 2006年
- 文章从分析量子力学效应对纳米级MOS器件的影响出发,采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法,建立了纳米级MOS器件直接隧穿栅电流的计算模型。通过和实验数据的比较,证明了该模型的有效性。计算结果表明,在纳米级MOS器件中,采用SiO2作栅介质时,1.5 nm厚度是按比例缩小的极限。该计算模型还可以用于高介电常数栅介质和多层栅介质MOS器件的直接隧穿电流的计算。
- 杨红官李晓阳喻彪戴大康
- 关键词：器件物理直接隧穿电流
