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曹子祥

作品数：22 被引量：28H指数：5
供职机构：西北大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 14篇电子电信
  • 4篇化学工程
  • 4篇理学
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 17篇染料
  • 15篇光敏染料
  • 13篇键合
  • 9篇单晶
  • 9篇单晶硅
  • 6篇半导体
  • 5篇菁染料
  • 5篇硅
  • 3篇光谱响应
  • 3篇非晶硅
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇压力传感器
  • 2篇压阻
  • 2篇碳菁
  • 2篇退火
  • 2篇氢化非晶硅
  • 2篇力传感器
  • 2篇化学键
  • 2篇化学键合

机构

  • 22篇西北大学
  • 1篇黑龙江八一农...
  • 1篇兰州大学

作者

  • 22篇曹子祥
  • 16篇张祖训
  • 13篇王兰英
  • 13篇郝纪祥
  • 5篇张成路
  • 3篇王思杰
  • 3篇郭志新
  • 3篇辜继先
  • 3篇张晓红
  • 2篇杨金燕
  • 1篇马国营
  • 1篇陈沁闻
  • 1篇王思杰
  • 1篇张耀君
  • 1篇潘鑫复
  • 1篇王雪文
  • 1篇李凤梅
  • 1篇张颖
  • 1篇张智军
  • 1篇陶鹰翔

传媒

  • 9篇西北大学学报...
  • 3篇功能材料
  • 2篇科学通报
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国科学（B...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中国科技协会...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2003
  • 2篇2001
  • 2篇1999
  • 4篇1996
  • 2篇1995
  • 2篇1994
  • 3篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1991
  • 2篇1989
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多功能染料-菁染料的合成及其对半导体敏化的研究
王兰英郝纪祥曹子祥张祖训张耀君郭志新陶鹰翔张成路张智军辜继先陈沁闻李凤梅杨金燕
该研究成果从开发新型光电转换材料入手，首次将四十多种光敏染料共价键合在了半导体硅、锗表面，使其吸光能力得到了提高、光谱响应范围得到了扩大；提出了将硅碳双键处在菁染料的大共轭体系中，使极性大的π电子重新分配，达到减弱硅碳双...
关键词：
关键词：菁染料
若丹菁染料键合于单晶锗表面的研究被引量：2
2001年
将两种若丹菁染料直接键合在抛光的单晶锗表面 ,对键合有若丹菁的锗片进行了激光 Ra-man光谱及 XPS谱分析 ,结果表明 ,两种染料通过锗氧键共价键合于锗表面。键合有染料的 n-型锗片的 In( Pt) /染料 /n- Ge器件具有整流作用。
王兰英张成路张晓红张祖训曹子祥
关键词：键合光敏染料半导体材料
光敏染料的键合及其对单晶硅的光敏化作用
王兰英曹子祥
关键词：光敏材料键合工艺染料
单晶硅表面湿氧化及光敏染料的键合
1995年
利用湿氧化法在单晶硅表面引入活性基团（Ｓｉ－ＯＨ），然后与１，２－二溴乙基三乙氧基硅烷及染料中间体进行多步化学反应，最终在单晶硅表面生成光敏染料２，２＇，菁衍生物，并对所得键合光敏染料硅片进行了椭偏参数、拉曼光谱及ｘ－射线光电子能谱的测试，结果表明光敏染料被键合在单晶硅表面．
王兰英张成路张颖郝纪祥张祖训曹子祥
关键词：光敏染料化学键合单晶硅半导体硅
全文增补中
单晶硅表面键合复合份菁及其伏－安特性
1996年
用化学方法将３种复合份菁化学键合于单晶硅表面，并用激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱进行了表征。暗的和光照的伏安特性测量表明键合染料的ｎ—Ｓｉ表面具有光生伏特效应，证实了ｎ－Ｓｉ－侧存在电子势垒。
马国营王兰英郝纪祥张祖训曹子祥
关键词：光敏染料单晶硅键合伏安特性半导体
单晶硅表面键合菁染料的表面增强拉曼散射被引量：1
1996年
用表面增强拉曼散射技术研究单晶硅表面键合光敏染料，可获得信噪比强的ＳＥＲＳ图。因染料分子中含有孤对电子的氮原子和起增强作用的银离子相互作用，使Ａｇ＋成为连结染料分子间的锁，增加染料分子极化率，使拉曼散射截面积增大，从而起到增强效果的作用。
辜继先王兰英张祖训郝纪祥曹子祥
关键词：键合表面增强拉曼散射光敏染料
单晶硅表面键合两种甲川菁及其光谱响应的研究被引量：10
1994年
单晶硅表面键合两种甲川菁及其光谱响应的研究王兰英，郝纪祥，张祖训，曹子祥（西北大学化学系，西安，７１００６９）（西北大学电子科学系）关键词光敏染料，单晶硅表面，光谱响应半导体表面化学键合光敏染料的研究是当今化学与材料科学研究的前沿课题之一［１］，近年...
王兰英郝纪祥张祖训曹子祥
关键词：光敏染料单晶硅光谱键合
硅表面内铵盐型碳菁膜及光电特性
1999年
通过硅氧碳键（ Ｓｉ－ Ｏ－ Ｃ） 将两个内铵盐型碳菁染料在硅表面化学成膜，利用表面增强喇曼光谱（ Ｓ Ｅ Ｒ Ｓ） 和 Ｘ 射线光电子能谱（ Ｘ Ｐ Ｓ） 确证其结构，并测定了键合染料膜硅片的光谱响应和表面光电压。结果表明染料可使硅敏化。
王兰英辜继先张晓红张祖训曹子祥
关键词：硅光敏染料光电特性
供压敏元件用的氢化微晶硅薄膜的制备
1989年
供压敏元件用的n型氢化微晶硅薄膜用射频辉光放电法己被制成,并对它进行了研究。用改变工艺参数的办法可得到电导率为2.SScm^(-1)～16Scm^(-1)的微晶硅薄膜。由X-射线衍射图和喇曼谱,测定晶粒尺寸和结晶体体积比分别为42～68A和60～70％。随着工艺条件的改变,在玻璃衬底上8000A厚的n型微晶硅膜的纵向效应灵敏系数(G因子)可达到-24.4～-30.5。
曹子祥陈怀溥王思杰
关键词：非晶硅
吡啶菁衍生物键合于单晶硅表面的研究
1994年
用化学方法将两种光敏染料２，４－吡啶等衍生物及噻－４’－吡啶等衍生物分别键合于单晶硅表面，对所得键合光敏染料之硅片进行了拉曼光谱及ｘ－射线光电子能谱的测试，结果表明：两种光敏染料都被键合在单晶硅表面。同时，测定了用键合了光敏染料的半导体硅片制成的Ｉｎ／染料／ｎ－Ｓｉ多层结构器件的光谱响应，与无覆盖抗反射膜的硅ｐ－ｎ结光电池的光谱响应曲线相比较，发现除在６５０ｎｍ处出现对应于硅衬底的吸收峰外，在短波范围内出现与光敏染料的最大吸收相对应的吸收峰。由此可见光敏染料的键合可拓宽半导体硅的光谱响应。
王兰英郝纪祥张祖训曹子祥
关键词：光敏染料键合
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