朱学亮
- 作品数：15 被引量：9H指数：2
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- 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管
- 本实用新型涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、蒸发、...
- 贾海强李卫李永康彭铭曾朱学亮
- 文献传递
- 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
- 本发明涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、...
- 贾海强李卫李永康彭铭曾朱学亮
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- 蓝宝石图形衬底上生长GaN的微区拉曼光谱研究(英文)
- 2010年
- 采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征,侧向外延区域显示了低的位错密度,具有较高的晶体质量。另外通过对不同生长区域的拉曼纵光学声子与等离子体激元形成的耦合模高频支进行拟合,结果显示侧向外延区域具有较低的背底载流子浓度。研究认为,由于采用图形衬底,侧向外延区域悬空生长降低了位错密度,同时侧向外延区域不与蓝宝石接触,因此采用该方法生长的GaN材料具有较低的压应力和较低的背底载流子浓度。
- 于乃森郭丽伟彭铭征朱学亮王晶贾海强陈弘周均铭
- 关键词：氮化镓金属有机化学气相沉积
- 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
- 本发明涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、...
- 贾海强李卫李永康彭铭曾朱学亮
- 文献传递
- n型Al_xGa_(1-x)N材料的电学和光学性质
- 2006年
- 文章介绍了无裂纹高导电性n型A lxGa1-xN的MOCVD生长及其电学、光学和表面形貌性质。通过A lN两步生长法,有效地解决了A lxGa1-xN外延薄膜易裂的难题。并且对其生长进行优化,减少了A lxGa1-xN外延薄膜中的受主补偿缺陷,从而实现了高导电性的n型A lxGa1-xN薄膜,其载流子浓度为4.533×1018cm-3,并且电子迁移率高达77.5cm2/V.s,已经达到了目前国际上报道的先进水平。另外光学吸收谱说明A lxGa1-xN外延薄膜在302nm处具有陡峭的带边吸收,同时结合原子力显微镜分析材料的表面形貌,证实了材料表面光滑且平整。
- 彭铭曾张洁朱学亮郭丽伟贾海强陈弘周均铭
- 关键词：MOCVD光学吸收
- r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延生长a面GaN薄膜及应力研究被引量：5
- 2007年
- 采用MOCVD技术在r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延制备了a面GaN薄膜.利用高分辨X射线衍射技术和Raman散射技术分析了样品的质量以及外延膜中的残余应力.实验结果表明:样品的(11■0)面的X射线双晶摇摆曲线的半峰宽仅为0.193°,Raman光谱中E2高频模的半峰宽仅为3.9cm-1,这些说明a面GaN薄膜具有较好的晶体质量;X射线研究结果表明样品与衬底的位相关系为:[11■0]GaN‖[1■02]sapphire,[0001]GaN‖[■101]sapphire和[■100]GaN‖[11■0]sapphire;高分辨X射线和Raman散射谱的残余应力研究表明,采用两步AlN缓冲层法制备的a面GaN薄膜在平面内的残余应力大小与用低温GaN缓冲层法制备的a面GaN薄膜不同,我们认为这是由引入AlN带来的晶格失配和热失配的变化引起的.
- 颜建锋张洁郭丽伟朱学亮彭铭曾贾海强陈弘周均铭
- 关键词：X射线衍射RAMAN谱
- InN基材料的MOCVD生长及特性研究
- InN和富In的InGaN材料具有直接带隙，可作为长波长发光器件的有源区;随In/Ga组分的变化，这类材料的吸收边和太阳光谱非常匹配，可应用在全谱太阳能电池中。本论文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了In...
- 朱学亮
- 关键词：INGAN薄膜薄膜生长光学性质
- n型AlxGa1-xN材料的电学和光学性质
- 本文介绍了无裂纹高导电性n型AlxGa1-xN的MOCVD生长及其电学、光学和表面形貌性质。通过AlN两步生长法,有效地解决了AlxGa1-xN外延薄膜易裂的难题，并且对其生长进行优化,减少了AlxGa1-xN外延薄膜中...
- 彭铭曾张洁朱学亮郭丽伟贾海强陈弘周均铭
- 关键词：半导体薄膜
- 文献传递
- 一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、蒸发、剥离...
- 贾海强李卫李永康彭铭曾朱学亮
- 文献传递
- 使用SiN_x原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究被引量：3
- 2005年
- 采用低压MOCVD系统,在生长过程中使用SiNx原位淀积的方法产生纳米掩模,并在纳米掩模上进行选区生长和侧向外延制备了GaN外延薄膜.使用拉曼光谱和光荧光的手段对GaN外延膜中的残余应力进行了研究.研究发现,用SiNx原位淀积出纳米掩模后,GaN生长将由二维向三维转变,直到完全合并为止.利用拉曼光谱和光荧光谱分别研究了薄膜中的残余应力,两者符合得很好;这种方法生长出的GaN薄膜的应力分布较传统的侧向外延更加均匀;并且从中发现随着生长过程中SiNx原位淀积时间的增加,生长在其上的GaN外延膜中的残余应力减小.这是因为,随着SiNx原位淀积时间的增加,SiNx纳米掩模的覆盖度也增大.因此侧向外延区的比例增大,残余应力随之减小.
- 秦琦于乃森郭丽伟汪洋朱学亮陈弘周均铭
- 关键词：SINX外延膜应力研究MOCVD系统残余应力
