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电子辐照诱发固态相变导致的氮化硼纳米结构生长被引量：4: 2002年; 报道了N+离子轰击产生的氮化硼 (BN)纳米结构 ,及在电子辐照时结构演化的高分辨透射电子显微镜的原位测定结果 .应当强调的是 ,这种类富勒烯和发夹结构的演化 ,实际上是电子辐照诱发固态相变的发展 ,观察中发现的一些BN颗粒、卷曲物 ,可以被认为是类富勒烯等纳米结构形成的前体或早期阶段 .提出了一种类富勒烯等结构的电子辐照动力学模型 ,并进行了讨论 .; 王震遐李学鹏余礼平马余刚何国伟胡岗陈一段晓峰; 关键词：氮化硼电子辐照透射电子显微镜固态相变

掺镧抑制氟化钡晶体闪烁光慢成分的机理研究被引量：3: 1995年; 运用局域密度近似的Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ－Ｓｌａｔｅｒ理论和嵌入分子集团的方法分别对氟化钡（ＢａＦ２）和掺镧氟化钡（ＢａＦ２：Ｌａ３＋）的能级结构进行了计算，发现掺Ｌａ对抑制ＢａＦ２晶体闪烁光慢成分的直接原因可能并非Ｌａ本身，而是由它所引入的填隙氟离子（Ｆ１）。; 顾牡陈玲燕黎青王利明项开华郑万辉李学鹏俞方华; 关键词：氟化钡镧闪烁晶体晶体

OH^-和氧离子杂质对BaF_2晶体辐照损伤的影响被引量：5: 1995年; 从理论和实验两方面研究ＯＨ－和氧离子杂质对ＢａＦ２晶体辐照损伤的影响，并对其机理进行讨论．理论上用（ＨＦＳ－ＤＶＭ－Ｘα）局域密度离散变分法计算ＯＨ－和氧离子杂质心在ＢａＦ２中的电子结构，得到ＯＨ－，Ｈｓ－（Ｕ心），Ｏｓ－，Ｏｓ２－和（Ｏｓ２－－Ｆ＋）都可能是引起辐照损伤的源泉．实验发现，ＢａＦ２晶体水解处理后，ＯＨ－和氧离子杂质很容易进入ＢａＦ２，在晶体中的存在形式主要是：ＯＨ－占据阴离子位置，氧离子以Ｏｓ２－的形式占据Ｆ－的晶格位置，并由氟空位（Ｆ＋）作电荷补偿，较大可能以（Ｏｓ２－Ｆ＋）形式存在．γ辐照前后水解处理样品的光吸收谱（ＶＵＶ，ＵＶ，ＩＲ）和电子顺磁共振谱（ＥＰＲ）验证了理论计算的正确性．综合理论和实验，我们认为ＯＨ－氧离子杂质引起ＢａＦ２晶体辐照损伤的主要原因是：ＯＨ－和（Ｏｓ２－Ｆ＋）辐照分解成Ｈｓ－（Ｕ心）和Ｏｓ－．上海硅酸盐研究所在晶体生长工艺中，有意识地对ＯＨ－和氧离子给予特别的注意，在改进辐照损伤上获得较好的效果．; 陈玲燕顾牡王利明项开华杜杰李培俊谢幼玉赵元龙殷之文郑万辉李学鹏俞方华; 关键词：氟化钡晶体辐照损伤氧离子

甲硝唑及CM对胸腺嘧啶辐射敏化效应的ESR研究: ＜正＞本实验室自1978年以来曾对多种类型辐射保护剂尤其是含硫与碱性氨基酸等进行大量ESR研究,又针对Adams等人提出的亲电子敏化机制在大量的MO计算基础上揭示了电荷转移本质,连同激发能转; 屠铁城董继荣林念芸李学鹏; 文献传递

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李学鹏

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