李德尧
- 作品数：8 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 蓝紫光InGaN多量子阱激光器被引量：2
- 2007年
- 在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为GaN的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3kA/cm2,特征温度为145K.
- 李德尧张书明王建峰陈俊陈良惠种明朱建军赵德刚刘宗顺杨辉梁骏吾
- 关键词：GAN基激光器多量子阱
- 不对称的脊形波导氮化镓基半导体激光器及其制作方法
- 一种不对称的脊形波导氮化镓基半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底依次生长的欧姆接触层、下限制层、下波导层、有源层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、覆盖层，经过刻蚀后该上限制层形成台阶状结构，并制作绝缘层及欧姆电极。其是利...
- 李德尧张书明杨辉梁俊吾
- 文献传递
- GaN基蓝紫光激光器研究
- 本论文主要进行GaN基蓝紫光激光器材料生长、器件结构与工艺以及激光器光学电学性质的研究，包括以下内容：
1.制备了增益波导GaN基激光器。对激光器的直流Ⅰ-Ⅴ，变温Ⅰ-Ⅴ进行了测试分析。对脉冲电流注入时，电流低于阈...
- 李德尧
- 关键词：GAN基激光器金属有机化学气相沉积INGAN阈值电流
- 氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性被引量：1
- 2005年
- 用直流和脉冲电流的方法研究了氮化镓基紫色和蓝色发光二极管的发光光谱和功率特性.结果表明,紫色发光二极管的发光中心波长在直流情况下随电流的增加发生红移,在脉冲情况下随电流的增加发生蓝移;蓝色发光二极管的发光中心波长在直流和脉冲情况下都发生蓝移.两种发光二极管的功率在直流情况下会发生饱和,并随电流的进一步增加而急剧减小,以上现象可能是由于热效应和量子阱中的压电效应引起的.
- 张书明朱建军李德尧杨辉
- 关键词：氮化镓发光二极管压电效应
- 氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性
- 本文用直流和脉冲电流的方法研究了氮化镓基紫色和蓝色发光二极管的发光光谱和功率特性,结果表明,紫色发光二极管的发光中心波长在直流情况下随电流的增加发生红移,在脉冲情况下随电流的增加发生蓝移;蓝色发光二极管的发光中心波长在直...
- 张书明朱建军李德尧杨辉
- 关键词：氮化镓发光二极管压电效应发光光谱功率特性
- 文献传递
- 脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响(英文)被引量：1
- 2006年
- 利用含时二维热传导模型分析了蓝宝石衬底上生长、制作的脊形InGaN激光器内波导层的温度分布和时间演化规律.由于较大的阈值电流和电压以及较差的衬底导热性能,脊形下波导层内会产生较高温升并在脊形内外形成较大的温度台阶.由于脊形波导的弱自建波导特性,这一温度台阶会对侧向模式的限制产生较大的影响.短脉冲工作下的时间分辨L-I测试以及时间分辨远场和光谱测试结果显示,脊形内外的温度台阶会改善波导对高阶模的限制,导致器件的阈值电流下降,斜率效率升高.而有源区的温升又会导致斜率效率的严重下降.
- 李德尧黄永箴张书明种明叶晓军朱建军赵德刚陈良惠杨辉梁骏吾
- 关键词：脊形波导热模拟阈值电流斜率效率
- GaN基蓝紫光激光器的材料生长和器件研制(英文)被引量：1
- 2005年
- 报道了国内首次研制成功的GaN基蓝紫光激光器的材料外延生长、器件工艺和特性 .用MOCVD生长了高质量的GaN及其量子阱异质结材料 ,以及异质结分别限制量子阱激光器结构材料 .GaN材料的X射线双晶衍射摇摆曲线 (0 0 0 2 )对称衍射和 (10 12 )斜对称衍射半宽分别为 180″和 185″ ;3μm厚GaN薄膜室温电子迁移率达到85 0cm2 /(V·s) .基于以上材料 ,分别成功研制了室温脉冲激射增益波导和脊型波导激光器 ,阈值电流密度分别为 5 0和 5kA/cm2 ,激光发射波长为 4 0 5 9nm ,脊型波导结构激光器输出光功率大于 10 0mW .
- 杨辉陈良惠张书明种明朱建军赵德刚叶小军李德尧刘宗顺段俐宏赵伟王海史永生曹青孙捷陈俊刘素英金瑞琴梁骏吾
- 关键词：GAN基激光器多量子阱阈值电流密度
- 不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法
- 一种不对称的脊形波导氮化镓基半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底依次生长的欧姆接触层、下限制层、下波导层、有源层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、覆盖层，经过刻蚀后该上限制层形成台阶状结构，并制作绝缘层及欧姆电极。其是利...
- 李德尧张书明杨辉梁俊吾
- 文献传递
