李晓川
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：湖南大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金创新研究群体科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 水热法制备Ge/SiO_x纳米电缆被引量：1
- 2008年
- 以混合的氧化锗粉和硅粉为原料,采用水热法在高温高压下制备出具有核-壳同轴结构的Ge/SiOx纳米电缆。扫描和透射电镜研究表明这种Ge/SiOx纳米同轴电缆的产量高,直径分布均匀,长度可达微米级,并证实其为非晶态SiOx包裹Ge内核的核-壳结构。Ge芯线沿着[211]方向生长。Ge/SiOx纳米同轴电缆的生长过程遵循气-液-固和氧化物辅助生长机制,与原料中GeO2与Si的比率有关。
- 袁媛唐元洪李晓川林良武谭艳
- 关键词：纳米电缆锗水热法
- 无金属催化剂制备碳纳米管的研究进展被引量：2
- 2008年
- 本文综述了目前无金属催化剂制备碳纳米管工艺的研究进展,介绍了电弧法、激光辅助热解法、等离子蒸发法等方法的制备原理、过程及特点。并对无金属催化剂制备碳纳米管技术的应用前景提出了展望。
- 李晓川唐元洪林良武李甲林
- 关键词：碳纳米管
- 一维纳米碳材料的无金属催化CVD法制备与生长机理研究
- 1991年,人们发现了碳纳米管,纳米碳材料成为了研究者们关注的焦点,迄今,纳米碳材料的研究依然是热点课题。纳米碳材料优异的电学、力学、光学和化学性能,使其应用涉及到了纳米制造、电子材料和器件、生物医学、化学、物理、复合材...
- 李晓川
- 关键词：碳纳米管纳米碳纤维
- 文献传递
- 硅纳米线的发光性能研究及其应用前景被引量：4
- 2008年
- 硅纳米线是一种具有优异的物理、化学及力学性能的半导体材料,其独特的光致发光性能使硅纳米线有望在低维纳米材料发展的基础上实现硅基纳米结构的光集成电路。文中重点介绍了硅纳米线光致发光特性的研究现状及其发光机制的理论研究,最后对硅纳米线的应用前景加以展望。
- 李甲林唐元洪李小祥李晓川
- 关键词：硅纳米线光致发光量子限制效应发光机制
- 多重气固反应制备一维SiC纳米线被引量：1
- 2008年
- 以硅片、石墨和SiO2粉末为原料,通过多重气固反应成功地制备出一维SiC纳米线.X射线衍射仪分析表明生成产物为立方结构的β-SiC.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）观察,该一维SiC纳米线的直径为30~50nm,长度可达几十甚至上百微米,为沿[111]方向生长的单晶β-SiC纳米线.根据多次对比实验的结果,由多重气固（VS）反应提出了该方法制备SiC纳米线的生长机理.
- 李甲林唐元洪李小祥李晓川
- 关键词：SIC纳米线
