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杨啸林

作品数:15 被引量:38H指数:4
供职机构:电子科技大学更多>>
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相关领域:理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
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领域

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主题

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机构

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作者

  • 15篇杨啸林
  • 8篇葛世慧
  • 7篇席力
  • 6篇杨宏春
  • 6篇李成贤
  • 4篇曾刚
  • 3篇吴建星
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  • 2篇张晓宇
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传媒

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年份

  • 1篇2014
  • 3篇2012
  • 1篇2010
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 3篇2004
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于冲击雷达的近炸引信控制电路原理与设计
2010年
基于冲击雷达原理,采用无载波亚纳秒窄脉冲发射技术精确测量脉冲传输时间从而得到弹目距离。高速脉冲锁存技术保障测量误差小于0.2 m。8位OOK(on-off keying)编码用于排除噪声和多弹间干扰。除收、发天线外,控制电路,包括编码单元、解码单元、比较单元、延时单元和定时同步等。主要阐述了窄脉冲发生、定时和解码单元的设计。
曾刚杨宏春杨啸林
关键词:近炸引信窄脉冲发生器
多晶La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3的低温输运性质和磁电阻效应被引量:12
2004年
详细研究了由纳米晶粒组成的块体多晶La0 7Sr0 3MnO3(LSM)的电阻率和磁电阻效应 ,以及它们的温度依赖性 .随着温度从室温降低 ,电阻率 (ρ)在 2 5 0K附近存在一最大值 ,低于该温度后 ,样品表现为金属导电特性 ,随后在 5 0K附近存在一极小值 .也就是说在低于 5 0K的温度范围内 ,随着温度降低 ρ反而升高 ,表现为绝缘体性的导电特性 .经研究发现 ,这种随温度降低 ρ反而增加的现象与隧穿效应的理论模型 (lnρ∝T- 1 2 )符合得很好 .这种现象是由于传导电子在通过邻近LSM晶粒间表面 界面层时的隧道效应所导致的 .这种低温下电阻率的极小值现象来源于隧穿效应和LSM晶粒本征的金属导电特性的相互竞争 .还详细研究了相应的隧道磁电阻效应的温度依赖性 .
席力葛世慧杨啸林李成贤
关键词:纳米晶粒磁电阻效应隧道效应
用于电穿孔效应实验的亚微秒脉冲电源
2012年
针对肿瘤细胞电穿孔效应的实验需求,用幅值可调的高压直流电源为电容充电,具有一定时间延时的两路TTL信号分别控制串联的两个IGBT模块的通与断状态,以便从电容放电曲线中截取适当脉宽电脉冲的方法,研制了一台输出脉冲电压0.5~3.5kV连续可调,脉宽300~800ns准连续可调,重频1~400Hz连续可调的亚微秒脉冲电源。实验测试结果表明,这种脉冲电源性能稳定可靠,可用于恶性肿瘤电穿孔实验。
谈亚芳杨宏春吴建星杨啸林张怡曾刚张晓宇
关键词:脉冲电源IGBT模块
Fe(Ni)Co-SiO<,2>纳米颗粒膜的高频软磁特性
本文利用射频磁控溅射方法制备了FeNi(Co)-SiO2系列纳米软磁颗粒膜。利用X-ray衍射和TEM得到了样品的基本结构信息;用VSM、SQUID和直流四端法等系统地研究了样品的电性和磁性;利用PFM-001型磁导计测...
杨啸林
关键词:纳米颗粒膜软磁薄膜软磁材料射频磁控溅射
文献传递
(La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3)_((1-x))(CoFe_2O_4)_x复合体中增强的室温磁电阻效应被引量:5
2008年
利用溶胶—凝胶法制备了(La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3)_((1-x))(CoFe_2O_4)_x复合体材料,并利用X射线衍射和^(57)Fe的穆斯堡尔谱详细研究了其结构和微结构.利用超导量子磁强计测量了样品的磁性.结构和磁性的测量表明(La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3)_((1-x))(CoFe_2O_4)_x复合体由La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3和CoFe_2O_4组成,两相之间没有反应.复合体的电阻率随着CoFe_2O_4的加入而逐渐升高.在室温条件下5kOe的磁场下得到了-5%的磁电阻效应,该值比同样晶粒大小的纯La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3样品的磁电阻效应大一倍.同时也比将非磁性的绝缘势垒如玻璃、CeO_2等引入La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3的室温磁电阻值大.表明一定量的铁磁性绝缘势垒的引入可以增强类钙钛矿锰氧化物的室温磁电阻效应.
席力田航刘杰葛世慧杨啸林李成贤
关键词:隧道效应磁电阻效应
用于高频的纳米磁性颗粒膜的制备及研究
<正>由尺寸在纳米量级的磁性金属颗粒弥散分布在绝缘介质中而形成的纳米颗粒膜,是一种新型的高频软磁材料。它兼备了铁磁性金属的高饱和磁感应强度(Bs)和绝缘介质的高电阻率(ρ)。如果颗粒间存在交换偶合,则颗粒的各项异性将被平...
葛世慧杨啸林席力李斌生寇晓明姚东升王新伟李成贤
关键词:颗粒膜软磁材料高频
用于电穿孔效应实验的亚微秒脉冲电源研制
2012年
针对肿瘤细胞电穿孔效应的实验需求,用幅值可调的高压直流电源为电容充电,具有一定时间延时的2路TTL信号分别控制串联的2个IGBT模块的通与断,以便从电容放电曲线中截取适当脉宽电脉冲的方法,研制了一台输出脉冲电压0.5~3.5kV连续可调、脉宽300~800ns准连续可调、重频1~400Hz连续可调的亚微秒脉冲电源。实验测试结果表明,该脉冲电源性能稳定可靠,可用于恶性肿瘤电穿孔实验。
吴建星杨宏春杨啸林张怡曾刚张晓宇
关键词:脉冲电源IGBT模块
基于高压场效应管的可调纳秒脉冲源设计
2012年
针对诸如变压器绕组形变的脉冲测试法等宽带测试需求,设计了一台由计算机控制并显示脉冲信号源工作参数、基于场效应管的可调纳秒脉冲信号源。实验测试表明,在50Ω负载上脉冲源能产生高斯上升沿20ns、指数下降沿40~200ns分档可调、重复频率0~5kHz连续可调、幅值0~1kV连续可调、体积为32×30×7cm3的纳秒脉冲电源,可满足变压器绕组形变的宽带测试需求。
曹园青吴建星杨宏春杨啸林
关键词:场效应管
溶胶-凝胶法制备室温铁磁性半导体Ti1-xCoxO2
<正>磁性半导体在自旋电子学中有很好的应用前景。在目前报道的各种磁性半导体中,将磁性元素掺入氧化物半导体中而得到的氧化物磁性半导体的居里温度可高于室温,有实用价值。这类材料多数是外延薄膜,其制备设备昂贵、成本高。虽有少数...
葛世慧王新伟寇晓明周雪云席力杨啸林李成贤
关键词:溶胶-凝胶法磁性半导体
Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究
2006年
利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属含量x的Fex(SiO2)(1?x)金属?绝缘体颗粒膜,系统地研究了薄膜的霍尔效应及其产生机理。在室温和1.3T的磁场下,当体积分数为0.52时,霍尔电阻率有最大值为18.5μ?·cm。样品的电阻率温度曲线研究表明异常霍尔电阻率可能来源于3d局域电子-电子的散射作用。在300℃以内的不同温度下将Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,饱和霍尔电阻率随温度的变化不大,样品具有良好的热稳定性,这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在300℃下的温度范围内有较好的应用前景。
杨啸林阮成礼葛世慧席力
关键词:颗粒膜磁性电阻率
共2页<12>
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