杨国兵
- 作品数:2 被引量:2H指数:1
- 供职机构:合肥工业大学更多>>
- 发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于面积扩张与散热硅通孔的三维集成电路热量优化研究
- 随着集成电路工艺的发展,在后摩尔时代,芯片上的晶体管集成度越来越大。在传统的二维集成电路(Two-Dimensional Integrated Circuit,2D IC)不能负载的情况下,人们开始转向对三维集成电路(T...
- 杨国兵
- 关键词:三维集成电路
- 文献传递
- 通过面积扩张和散热硅通孔的3DIC热量的优化被引量:2
- 2014年
- 随着集成度的增加,高密度的3D IC的发热问题变得越来越严重,温度过高的热斑不仅影响芯片的性能,甚至对芯片的可靠性带来严重的威胁。从两个方面来优化三维芯片的热量问题,通过模拟退火算法把电路模块划分到合适的层,使得热斑块在整体芯片的分布较为均;在x/y方向上对热斑块适当的面积扩张来降低热斑块的功耗密度,然后在z方向上插入散热硅通孔来转移芯片内部的热量。仿真结果表明,通过该优化后的芯片最高温度可以进一步减小,在电路ncpu第二层中优化前后最高温度降低了11.98°;热量分布更加均衡,层内最高温度与最低温度之间的差距进一步缩小最大可以缩减11.82,有效地控制了芯片的温度。
- 王伟杨国兵杨国兵方芳陈田刘军
- 关键词:热量