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杨海涛
作品数:
8
被引量:42
H指数:5
供职机构:
武汉工业大学
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发文基金:
“九五”国家科技攻关计划
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相关领域:
冶金工程
化学工程
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合作作者
杨国涛
武汉工业大学
黄培云
中南工业大学粉末冶金研究所
徐润泽
武汉工业大学材料科学与工程学院...
袁润章
武汉工业大学
肖钢
株洲硬质合金集团有限公司
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化学工程
4篇
冶金工程
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机构
8篇
武汉工业大学
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中南工业大学
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株洲硬质合金...
作者
8篇
杨海涛
4篇
杨国涛
3篇
徐润泽
3篇
袁润章
3篇
黄培云
2篇
肖钢
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金正中
1篇
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1篇
汤宇凌
传媒
3篇
硬质合金
3篇
中国有色金属...
1篇
清华大学学报...
1篇
人工晶体学报
年份
2篇
1999
2篇
1998
1篇
1997
3篇
1996
共
8
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MgO─CeO2烧结助剂对常压烧结氮化硅陶瓷致密化和性能的影响
被引量:13
1996年
系统研究了MgOCeO2烧结助剂对常压烧结氮化硅陶瓷致密化过程及其性能的影响,发现MgOCeO2是一种非常有效的烧结助剂,其致密化效果比单独用MgO或CeO2要好得多,常压烧结的Si3N4MgOCeO2陶瓷,相对密度为98.5%,室温强度可达948MPa。
徐润泽
黄培云
黄培云
关键词:
致密化
氮化硅陶瓷
碳化钨对常压烧结氮化硅陶瓷致密化的影响
被引量:9
1997年
研究碳化钨对常压烧结Si3N4-MgO-CeO2陶瓷致密化和性能的影响,通过球磨引入适量的碳化钨对烧结氮化硅陶瓷的致密化和性能是有利的,通过控制球磨时间和球料比可控制磨入的碳化钨的含量,当碳化钨含量为3.9wt%时,效果最好,烧结氮化硅陶瓷的相对密度为98.5%,室温抗弯强度为948MPa。
杨海涛
徐润泽
黄培云
袁润章
关键词:
氧化硅陶瓷
致密化
碳化钨
先进陶瓷的现状及进展
被引量:1
1999年
简要综述了先进陶瓷的现状与进展。介绍了目前先进陶瓷的主要材料、应用及市场情况,同时表述了先进陶瓷目前的形势、面临的问题及发展趋势。
杨海涛
高玲
金正中
肖钢
杜水根
关键词:
先进陶瓷
电子陶瓷
结构陶瓷
复合材料
氮化硅陶瓷烧结过程中的致密化与相变
被引量:6
1996年
讨论了Si3N4MgOCeO2陶瓷常压烧结过程中的致密化与相变。指出:对于Si3N4MgOCeO2陶瓷,在1500~1550℃为快速致密化阶段,在1550℃致密化过程已接近完成,αSi3N4→βSi3N4的相转变过程滞后于致密化过程,在1550~1600℃为β相转变百分数急剧增加阶段,在1600℃,α→β相变接近完成,α→β相变与其致密化并无直接。
杨海涛
汤宇凌
徐润泽
黄培云
关键词:
氮化硅
致密化
相变
陶瓷
粉末
氮化硅陶瓷烧结过程中玻璃相的自动析晶
被引量:15
1998年
发现了Si3N4MgOCeO2系陶瓷在烧结过程中玻璃相自动析晶现象。对于Si3N4MgOCeO2系陶瓷,在1450℃,MgOCeO2与Si3N4颗粒表面的SiO2反应形成硅酸盐液相,冷却后成为玻璃相保留在烧结体中;当烧结温度高于1550℃时,发现CeO2仍留在玻璃相中,但MgO会自动析晶出来,其结果是大大减少了烧结体中严重影响其高温性能的玻璃相的含量,MgOCeO2是氮化硅陶瓷很理想的烧结助剂。
杨海涛
杨国涛
袁润章
关键词:
氮化硅
析晶
玻璃相
陶瓷
Si_3N_4-MgO-CeO_2陶瓷烧结过程中的致密化与相变
被引量:6
1999年
氮化硅陶瓷有极大的应用潜力,但由于其强共价键,很难烧结致密化。采用了一种新的MgO-CeO2复合烧结助剂,利用X射线衍射、透射电镜等手段研究了MgO-CeO2复合烧结助剂对氮化硅陶瓷致密化和相变过程的影响,结果发现对Si3N4-MgO-CeO2陶瓷,在1450℃就会有大量液相出现,1500~1550℃为快速致密化阶段,而α-Si3N4→β-Si3N4相变主要发生在1550~1600℃,相变过程滞后于致密化过程。常压烧结Si3N4-MgO-CeO2陶瓷,强度达948MPa,因此,MgO-CeO2是一种非常有效的氮化硅的烧结助剂。
杨海涛
杨国涛
袁润章
关键词:
氮化硅
致密化
相变
陶瓷
氮化硅──氧化镁──二氧化铈的无压烧结
被引量:2
1996年
对氧化硅-氧化镁-二氧化铈无压烧结的研究表明:MgO-CeO_2是一种非常有效的氮化硅助烧剂,MgO-CeO_2的含量及烧结工艺对氮化硅的致密化及机械性能有强烈的影响,本文讨论了这些影响规律,当氧化镁与氧化铈共存时,二氧化铈更容易与氮化硅颗粒表面的二氧化硅反应形成难熔的窗铈的玻璃相,无压烧结的氮化硅-氧化镁-二氧化铈陶瓷,其相对密度可超过98%,强度超过920MPa,这在目前的各种无压烧结的氮化硅材料中,是非常高的,Si-Mg-Ce-O-N系统在理论研究和实用上都有极大的价值。
杨海涛
杨国涛
肖钢
谢继祥
杜水根
关键词:
氮化硅
氧化镁
二氧化铈
无压烧结
氮化硅陶瓷在TEM观察过程中的分形生长
被引量:3
1998年
本文报道了直接利用透射电子显微镜(TEM)中的透射电子束辐射氮硅使之分解,从而可利用TEM在纳米尺度上直接观察到氮化硅分解出的硅蒸气在挥发凝聚过程中产生的分形生长全过程,为深入研究分形生长这一自然界最普遍的现象提供了极佳的实验范例。
杨海涛
杨国涛
袁润章
关键词:
分形
TEM
氮化硅陶瓷
晶须
陶瓷
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