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杨雯

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 11篇中文专利

主题

  • 5篇电路
  • 5篇阻挡层
  • 5篇集成电路
  • 4篇淀积
  • 4篇铜互连
  • 4篇扩散阻挡层
  • 4篇互连
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体集成
  • 4篇半导体集成电...
  • 3篇铜
  • 2篇等离子体
  • 2篇电迁移
  • 2篇甲胺
  • 2篇甲胺基
  • 2篇胺基
  • 2篇衬底
  • 1篇氮含量
  • 1篇等离子体制备
  • 1篇等效氧化层厚...

机构

  • 11篇复旦大学

作者

  • 11篇张卫
  • 11篇杨雯
  • 11篇孙清清
  • 8篇王鹏飞
  • 3篇耿阳
  • 3篇卢红亮
  • 3篇周鹏
  • 2篇陈琳
  • 2篇房润辰
  • 1篇江安全
  • 1篇郑珊

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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基于应变硅技术的深耗尽沟道晶体管
本发明属于半导体器件结构领域，具体涉及一种基于应变硅技术的深耗尽沟道晶体管及其制备方法。应变硅技术是通过利用硅和锗之间4.2%的晶格差异来发挥作用，能大幅提高空穴和电子迁移率，并增强跨导和驱动电流，可以提高整个硅基CMO...
孙清清郑珊王鹏飞杨雯张卫周鹏
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在扩散阻挡层上制备超薄铜籽晶层的方法及其应用
本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种在扩散阻挡层上制备超薄铜籽晶层的方法及其应用。本发明采用原子层沉积方式制备超薄铜籽晶层，包括如下步骤：将双（六氟乙酰丙酮）合铜吸附在扩散阻挡层上，气流量为100-500标...
卢红亮耿阳杨雯孙清清张卫
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砷化镓表面自体氧化物清洗、纯化及淀积Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介质的方法
本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种砷化镓表面自体氧化物清洗、纯化及淀积Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介质的方法。该方法包括：使用新型的硫钝化剂，与砷化镓表面的自体氧化物发生反应而清洗，并生成...
孙清清房润辰杨雯王鹏飞张卫
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一种基于全低温工艺的柔性透明1T1R的制造方法
本发明属于低温原子层淀积技术领域，具体为一种柔性透明1T1R存储单元的制造方法。本发明通过全低温工艺在柔性衬底上生长全透明的1T1R存储单元，包括透明的氧化层介质、透明电极和透明衬底，这些透明层通过低温工艺淀积到一起，实...
孙清清房润辰杨雯王鹏飞张卫
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一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统和方法
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统和方法。本发明提出的原位沉积系统包括沉积系统，进气、排气系统，管路控制系统，等离子体发生系统等。本发明所提出的采用原位沉积的铜互连流程包括：刻蚀出需要沉积...
卢红亮耿阳杨雯孙清清张卫
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一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统和方法
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统和方法。本发明提出的原位沉积系统包括沉积系统，进气、排气系统，管路控制系统，等离子体发生系统等。本发明所提出的采用原位沉积的铜互连流程包括：刻蚀出需要沉积...
卢红亮耿阳杨雯孙清清张卫
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一种利用含氮的等离子体制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的方法
本发明属于集成电路工艺领域，具体涉及一种利用含氮的等离子体制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的方法。由于α-Ta更容易生长于氮含量丰富的氮化钽层之上，通过用含氮的等离子体对氮化钽层进行处理，可以显著得提升氮化钽层中的氮含量，从...
孙清清杨雯王鹏飞张卫周鹏
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一种用于纳米集成电路的铜扩散阻挡层的制备方法
本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种铜的扩散阻挡层的制备方法。本发明选用合适的反应前躯体，采用原子层沉积技术在TaN层上生长Co或者Ru，可以得到用于32nm或以下工艺节点中的互连中的扩散阻挡层，克服PVD淀积T...
孙清清陈琳杨雯王鹏飞张卫
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一种利用等离子体释放费米能级钉扎的方法
本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种利用含氟（F）等离子体释放金属栅/高k栅介质体系费米能级钉扎的方法。高k栅介质中缺陷的主要类型是氧空位，F具有较小的离子半径能够对氧空位进行填补，它是电负性最强的元素，也是唯一...
孙清清杨雯王鹏飞张卫江安全
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利用三氟化氮抑制高介电常数栅介质层和硅衬底之间界面层生长的方法
本发明属于半导体集成电路工艺技术领域，具体涉及一种利用NF<Sub>3</Sub>抑制高k栅介质层和硅衬底之间界面层生长的方法。本发明在淀积高k栅介质层前先用NF<Sub>3</Sub>等离子体对硅衬底进行预处理，能够有...
孙清清杨雯王鹏飞张卫周鹏
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