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段辉高

作品数:8 被引量:5H指数:1
供职机构:兰州大学更多>>
发文基金:中国留学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇纳米
  • 3篇场发射
  • 2篇电子束曝光
  • 1篇电极
  • 1篇电流
  • 1篇电流密度
  • 1篇电子发射
  • 1篇电子束
  • 1篇电子束辐照
  • 1篇电子束光刻
  • 1篇电子束光刻技...
  • 1篇电子学
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨化
  • 1篇石墨烯
  • 1篇石墨烯纳米带
  • 1篇图案化
  • 1篇偏转
  • 1篇自组装
  • 1篇微悬臂梁

机构

  • 8篇兰州大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 8篇段辉高
  • 6篇谢二庆
  • 3篇赵建果
  • 3篇叶凡
  • 3篇刘延霞
  • 3篇王晓明
  • 2篇刘利新
  • 1篇徐显波
  • 1篇张洪亮
  • 1篇张永哲
  • 1篇韩立
  • 1篇白英良
  • 1篇蒋然
  • 1篇陈长城
  • 1篇周明

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2006
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
利用聚焦电子束制作高精度纳米孔及纳米孔阵列的方法
本发明提供了一种利用聚焦电子束简单、高效制作高精度纳米孔及纳米孔阵列的方法,该方法是在真空度为1×10<Sup>-7</Sup>~1×10<Sup>-10</Sup>Torr,工作电压为100kV~200kV下,采用强度...
段辉高谢二庆赵建果刘利新陈长城刘延霞
文献传递
基于微模塑复制技术的聚合物微悬臂梁的研制被引量:1
2008年
首先用电火花技术制作出不锈钢基座和悬臂梁,然后利用PDMS良好的柔性、弹性、复制分辨率以及良好的透气性能制作了过渡模版,通过二次复制的图形转移技术,制作了聚合物微悬臂梁。测试表明,所制作的聚合物悬臂梁基本满足悬臂梁工作的要求,利用该微模塑复制技术制备聚合物微悬臂梁的方法工艺简单、成本低、可批量生产,同时避免了刚性脱模带来的难题。根据实验,还给出了中温注射、低温固化、高温后固化的最佳工艺方法。
白英良段辉高韩立
关键词:微悬臂梁PDMS
10纳米以下图形电子束曝光的研究
电子束曝光是目前分辨率最高、使用最灵活的纳米加工技术,在纳米电子学、纳米光学、纳机械系统等领域具有广泛的应用。同时,随着集成电路的关键尺寸进入到22 nm节点,电子束曝光技术在整个半导体制造领域扮演着越来越重要的角色。 ...
段辉高
关键词:石墨烯纳米带
文献传递
电子束光刻技术制备图案化碳纳米结构材料的方法
本发明提供了一种采用电子束曝光聚甲基丙烯酸甲酯薄膜制备图案化碳纳米材料的方法。该方法是先在约1×10<Sup>-5</Sup>Pa的真空下,采用电子束曝光聚甲基丙烯酸甲酯薄膜,再用甲基异丁基酮和异丙醇的混合溶液显影聚甲基...
段辉高谢二庆刘延霞赵建果张洪亮张永哲
文献传递
氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能被引量:1
2008年
利用直流溅射法在Si、Zn、Ni三种不同衬底上沉积HfNxOy薄膜并测试了其场发射性能。扫描电子显微镜(SEM)显示HfNxOy薄膜表面由纳米颗粒组成,X射线衍射(XRD)说明薄膜中含有HfN和HfO2两种相。场发射测试结果显示,和金属衬底上的薄膜相比,Si衬底上的薄膜的开启电场小且发射电流密度大。文中对三种衬底上发射电流密度大小不同的原因进行了讨论。电流-时间的对应关系说明HfNxOy薄膜的场发射电流稳定。
王晓明谢二庆叶凡段辉高周明
关键词:场致电子发射
采用电子束辐照技术制备石墨烯的方法
本发明提供了一种采用电子束辐照技术制备层数和宽度可控的石墨烯的方法,该方法采用电子束辐照聚甲基丙烯酸甲酯纳米纤维,使聚甲基丙烯酸甲酯纳米纤维逐渐石墨化,形成有序的平行于电子束辐照方向的多层石墨烯。石墨烯的层数和宽度通过电...
段辉高谢二庆赵建果刘延霞徐显波刘利新
文献传递
稀土金属硅化物的场发射
2006年
用金属蒸发真空弧离子注入方法制备了各种稀土金属的硅化物,定义1μA/cm2时的电场为开启电场,发现它们的开启电场在15~20V/μm之间.用电子束对其进行退火处理后,开启电场降到10V/μm以下,而场发射密度可以提高一个数量级.它们良好的场发射性能归因于稀土金属硅化物本身热稳定性好,功函数低.用FN理论对场发射的机理进行了分析,发现其FN曲线明显分成了两段,这可能是因为在场发射过程中引起的温度效应.
段辉高谢二庆叶凡王晓明
关键词:场发射
HfOxNy的场发射特性被引量:1
2006年
用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用,这与高压"锻炼"下薄膜内部结构和表面性质的改变有关.对场发射机理的研究表明,HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.
段辉高谢二庆叶凡蒋然王晓明
关键词:场发射
共1页<1>
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