毛明华
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- AllnN材料的生长及其紫外LED的研制
- GaN基材料的禁带宽度从0.7eV-6.2eV连续变化,其对应的辐射波长覆盖了紫外与可见光区域,因此其材料在航空、军事、民用等领域具有非常广泛的应用前景,其中采用GaN材料制作的器件已经在发光器件、激光器、光探测器以及高...
- 毛明华
- 关键词：金属有机化学气相沉积发光二极管X射线双晶衍射
- 文献传递
- GaN基发光二极管的电极优化
- ＜正＞由 AlN,GaN,InN 组成的Ⅲ-Ⅴ族氮化物及其合金的直接带隙可以从 InN 的0.7eV 到 AIN 的6.2eV 变化,因此由Ⅲ-Ⅴ族氮化物制备的各种器件的工作波长可以从红光一直延续到紫外波段,且Ⅲ-Ⅴ族氮...
- 毛明华尹以安刘宝林张保平
- 文献传递
- 无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器
- 无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种将光信号转换为电信号的铟铝镓氮/氮化镓(InAlGaN/GaN)PIN光电探测器。提供一种无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器。...
- 刘宝林张保平毛明华
- 文献传递
- 与GaN晶格匹配的AlInN薄膜的外延生长
- ＜正＞采用金属有机物气相外延法（MOVPE）,在蓝宝石衬底上,先淀积1μm的 GaN 缓冲层,然后外延生长出了与 GaN 晶格匹配的 AlInN 薄膜,厚度在0.5 μm左右。样品的 X 射线双晶衍射摇摆曲线（0002）...
- 尚景智毛明华方志来刘宝林张保平
- 关键词：ALINNMOVPEXRDSEM表面形貌
- 文献传递
- 无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器
- 无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种将光信号转换为电信号的铟铝镓氮/氮化镓(InAlGaN/GaN)PIN光电探测器。提供一种无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器。...
- 刘宝林张保平毛明华
- 文献传递
- 优化GaN基发光二极管的电极被引量：1
- 2007年
- 针对以蓝宝石为衬底的GaN基发光二极管出现的电流扩展不均的问题,采用有限元方法建立了GaN基发光二极管的三维网络模型,并对四种常见结构的器件进行数值模拟,发现影响二极管电流的因素不仅与发光二极管电极的位置有关,而且依赖于器件的结构参数。以电流扩展不均为指标确定出这四种器件中最佳的电极位置分布,同时对最佳电极位置分布的器件进行了结构参数优化,结果表明当p型金属层方块电阻与n型GaN的方块电阻接近时,电流扩展均匀性最好,且p-GaN的接触电阻和厚度越小,电流扩展越不均匀。
- 毛明华尹以安刘宝林张保平
- 关键词：有限元方法电极电流扩展
- AlInN基紫外LED的研制
- 利用LP-MOCVD系统在AlO衬底上生长了与GaN晶格匹配的AlInN材料和AlInN/AlInN多量子阱结构的LED。通过HRXRD,PL等测量方法研究了生长参数对材料的结构质量、组分等的影响。研究发现,在室温65m...
- 尹以安毛明华张保平刘宝林李述体
- 关键词：MOCVD
- 文献传递
- 用p-InGaN/p-GaN超晶格做接触层获得低阻欧姆接触的研究
- 可靠性良好的低阻欧姆接触是制备高温大功率 LED、LD 等的基础．高质量的 p-GaN 欧姆接触是提高器件性能的关键。但 GaN 基材料的低电阻 P 型欧姆接触主要受到以下两个方面的制约：缺乏合适的接触金属材料,p-Ga...
- 尹以安毛明华朱丽虹刘宝林张保平
- 文献传递
