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沈良

作品数:3 被引量:19H指数:3
供职机构:中国科学院新疆物理研究所更多>>
相关领域:理学化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇化学工程
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇BATIO
  • 2篇电性质
  • 2篇溶胶
  • 2篇溶胶-凝胶法
  • 2篇介电
  • 2篇介电性质
  • 2篇SOL-GE...
  • 2篇SOL-GE...
  • 1篇导体
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸钡
  • 1篇介电常数
  • 1篇介电特性
  • 1篇半导化
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇PTCR

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇烟台大学

作者

  • 3篇宋世庚
  • 3篇沈良
  • 2篇陶明德
  • 2篇贾锐
  • 1篇曲风钦

传媒

  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇功能材料
  • 1篇新疆大学学报...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇2000
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Y掺杂对BaTiO_3系半导化薄膜PTCR特性的影响被引量:12
2001年
介绍了Y掺杂对BaTiO3 系半导化薄膜PTCR特性的影响。实验发现 ,当Y掺杂浓度在 0 .1mol%~ 1.5mol%时 ,薄膜的室温电阻为 10~ 5 0Ω ,突变温区为 1℃。在 [Y3 + ] =0 .7mol%时 ,薄膜的升阻比达 10 6。实验结果表明 :薄膜的转变温度、升阻比和室温电阻与Y掺杂浓度有关。
沈良曲风钦宋世庚
关键词:PTCR钛酸钡半导体薄膜
BaTiO_3薄膜的Sol-gel法制备及其介电特性研究被引量:4
2000年
以钛酸四丁酯和乙酸钡为主要原料 ,以乙二醇独甲醚为溶剂 ,采用溶胶凝胶法成功地配制出了BaTiO3 溶胶 ,溶胶清晰稳定 ,保存时间长。并用XRD分析了沉积在Si(1 0 0 )低阻硅片上的薄膜的结构 ,发现薄膜在 60 0℃时结晶状态已良好。文中同时对薄膜的介电性质进行研究 ,并讨论了退火温度对薄膜介电性质的影响。
沈良宋世庚贾锐陶明德
关键词:溶胶-凝胶法介电性质
BaTiO_3薄膜的Sol-gel法制备及对其介电特性的研究被引量:4
2000年
以钛酸四丁酯和乙酸钡为主要原料,以乙二醇独甲醚为溶剂,采用溶胶凝胶法在(100)低阻硅片上制备了BaTiO-3薄膜电容,用XRD分析了该薄膜的结构,发现薄膜在硅片上取向生长,同时又对薄膜的介电性质进行研究,结果表明。
沈良宋世庚贾锐陶明德
关键词:溶胶-凝胶法介电性质介电常数
共1页<1>
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