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王宏

作品数：23 被引量：1H指数：1
供职机构：河北大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信轻工技术与工程医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 4篇学位论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 6篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 12篇存储器
  • 7篇量子
  • 7篇量子点
  • 6篇石墨
  • 6篇隧穿
  • 5篇氧化石墨
  • 5篇氧化石墨烯
  • 5篇石墨烯
  • 5篇突触
  • 5篇溅射
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇底电极
  • 4篇损失量
  • 4篇退火
  • 4篇钛酸
  • 4篇钛酸锶
  • 4篇俘获
  • 4篇高温退火
  • 3篇光电

机构

  • 23篇河北大学

作者

  • 23篇王宏
  • 17篇闫小兵
  • 5篇王淑芳
  • 4篇杨涛
  • 4篇周振宇
  • 4篇赵建辉
  • 2篇任德亮
  • 2篇张园园
  • 1篇陈明敬
  • 1篇乔双

传媒

  • 2篇河北大学学报...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2021
  • 5篇2020
  • 1篇2019
  • 6篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2010
  • 1篇2004
  • 1篇1992
  • 1篇1991
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于氧化石墨烯量子点的大存储窗口电荷俘获存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于氧化石墨烯量子点的大存储窗口电荷俘获存储器及其制备方法，该存储器的结构是在Si衬底上依次形成氧化物介质层和Pd电极膜层；所述氧化物介质层包括依次所形成的二氧化硅隧穿层、ZnO/GOQDs/ZnO电荷俘...
闫小兵贾信磊王宏杨涛
基于二维窄带隙铋碲硒材料的光电阻变存储器及其制备方法和应用
本发明公开了一种基于二维窄带隙铋碲硒材料的光电阻变存储器及其制备方法和应用，其结构是在Si衬底上依次形成有SiO<Sub>2</Sub>层、Bi<Sub>2</Sub>Te<Sub>3‑</Sub><Sub>x</Sub...
闫小兵王宏于天奇陈明敬乔双王淑芳
文献传递
一种柔性阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种柔性阻变存储器，其结构从下到上依次为：云母柔性衬底、InGaZnO底电极膜层、ZrHfO介质膜层和TiN顶电极膜层。还公开该阻变存储器的制备方法：以一定厚度的云母材料作为柔性衬底，通过磁控溅射的方法在柔性...
闫小兵周振宇赵建辉王宏
文献传递
基于Pd导电细丝的仿生物突触器件及其制备方法和应用
本发明提供了一种基于Pd导电细丝的仿生物突触器件及其制备方法和应用。该仿生器件由掺铌钛酸锶（NSTO）衬底、硒化锡（SnSe）功能层和Pd顶电极层共同构成。本发明高质量SnSe层和Pd层分别是应用脉冲激光沉积和磁控溅射技...
闫小兵王宏王淑芳
一种嵌入式电荷俘获型存储器及其制备方法
本发明提供了一种嵌入式电荷俘获型存储器及其制备方法，其是在Si衬底上依次形成有SiO<Sub>2</Sub>隧穿层、GQODs/Zr<Sub>0.5</Sub>Hf<Sub>0.5</Sub>O<Sub>2</Sub>俘...
闫小兵王宏
文献传递
一种基于氧化石墨烯量子点的三态电荷俘获存储器及其制备方法
本发明提供了一种基于氧化石墨烯量子点的三态电荷俘获存储器及其制备方法，所述存储器是在Si衬底上依次形成氧化物介质层和Pd电极膜层；所述氧化物介质层依次由形成于Si衬底上的二氧化硅隧穿氧化层、ZnO/GOQDs/ZnO电荷...
闫小兵贾信磊王宏杨涛
文献传递
一种二维铁电忆阻器、其制备方法及应用
本发明提供了一种二维铁电忆阻器、其制备方法及应用。本发明所提供的二维铁电忆阻器是基于Bi掺杂的二维层状SnSe的铁电忆阻器，用来模拟生物神经元和突触行为特性。本发明在功能层SnSe中掺杂Bi，使得其矫顽电压的对称性大大增...
王宏闫小兵王淑芳唐雨松
基于Pd导电细丝的仿生物突触器件及其制备方法和应用
本发明提供了一种基于Pd导电细丝的仿生物突触器件及其制备方法和应用。该仿生器件由掺铌钛酸锶（NSTO）衬底、硒化锡（SnSe）功能层和Pd顶电极层共同构成。本发明高质量SnSe层和Pd层分别是应用脉冲激光沉积和磁控溅射技...
闫小兵王宏王淑芳
文献传递
一种嵌入式电荷俘获型存储器及其制备方法
本发明提供了一种嵌入式电荷俘获型存储器及其制备方法，其是在Si衬底上依次形成有SiO<Sub>2</Sub>隧穿层、GQODs/Zr<Sub>0.5</Sub>Hf<Sub>0.5</Sub>O<Sub>2</Sub>俘...
闫小兵王宏
一种基于氧化石墨烯量子点的三态电荷俘获存储器及其制备方法
本发明提供了一种基于氧化石墨烯量子点的三态电荷俘获存储器及其制备方法，所述存储器是在Si衬底上依次形成氧化物介质层和Pd电极膜层；所述氧化物介质层依次由形成于Si衬底上的二氧化硅隧穿氧化层、ZnO/GOQDs/ZnO电荷...
闫小兵贾信磊王宏杨涛
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