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文献类型

  • 48篇中文专利

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 18篇探测器
  • 9篇电极
  • 9篇移频
  • 9篇扫描镜
  • 9篇太赫兹
  • 9篇赫兹
  • 8篇载流
  • 8篇载流子
  • 8篇光生
  • 8篇光生载流子
  • 7篇光纤
  • 7篇负电极
  • 6篇退火
  • 6篇热退火
  • 6篇刻蚀
  • 6篇快速热退火
  • 5篇数据拟合
  • 5篇太赫兹辐射
  • 5篇耦合器
  • 5篇光电

机构

  • 48篇中国电子科技...

作者

  • 48篇王兵兵
  • 48篇侯丽伟
  • 48篇王晓东
  • 42篇谢巍
  • 34篇周德亮
  • 33篇关冉
  • 32篇潘鸣
  • 30篇俞旭辉
  • 26篇刘素芳
  • 24篇汪瑞
  • 22篇鲁斌
  • 6篇曹德华
  • 3篇文新荣
  • 2篇文欣荣
  • 2篇胡伟达
  • 2篇袁毅

年份

  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 3篇2018
  • 13篇2017
  • 8篇2016
  • 14篇2015
  • 4篇2014
48 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种台面式硅掺砷阻挡杂质带探测器及其制备方法
本发明提供了一种台面式硅掺砷阻挡杂质带探测器及其制备方法,包括在高导硅衬底上外延生长硅掺砷吸收层,掺杂砷离子;在吸收层上外延生长高阻硅阻挡层;再通过光刻、离子注入、快速热退火、深硅刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、反应离子...
陈雨璐王兵兵王晓东张传胜谢巍侯丽伟潘鸣
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泡沫夹心结构轻质扫描镜及其制作方法
本发明公开了一种泡沫夹心结构轻质扫描镜及其制作方法,扫描镜为正面高反射率镜面铝板、中间发泡塑料和背面结构铝板的三明治结构,泡沫夹心结构轻质扫描镜的制作采用模具固定高发射率镜面铝板和结构铝板之后在中间填充发泡塑料成型的方式...
关冉谢巍侯丽伟曹德华周德亮刘素芳王兵兵臧元章邹锶俞旭辉王晓东
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补偿掺杂阻挡杂质带太赫兹探测器芯片及其制备方法
本发明公开了一种补偿掺杂阻挡杂质带太赫兹探测器芯片及其制备方法,包括在高导Si衬底上,采用化学气相沉积工艺外延生长硅掺磷吸收层,掺杂磷离子;在吸收层上通过补偿掺杂工艺外延生长高电阻率阻挡层,补偿掺杂硼离子;再通过光刻、离...
王兵兵王晓东潘鸣侯丽伟谢巍臧元章关冉
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一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器
本发明提供一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器,该方法首先通过数值模拟分别得到铟镓砷红外探测器件在不同情况下,其响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线,然后通过数据拟合得到铟镓砷红外探测器件响应率取最大值时吸收层...
王晓东王兵兵潘鸣侯丽伟谢巍臧元章周德亮俞旭辉邹锶刘素芳关冉鲁斌汪瑞
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基于螺旋阶梯反射镜的快速扫描光学延迟线
本发明公开了一种基于螺旋阶梯反射镜的快速扫描光学延迟线,包括螺旋阶梯反射镜和电机,螺旋阶梯反射镜为不规则圆柱形,圆柱形一端面为垂直于圆柱母线的平面结构,另一端面为沿圆周阶梯排列的多个小型平面反射镜,所述小型平面反射镜同圆...
关冉邹锶侯丽伟谢巍臧元章俞旭辉王晓东周德亮王兵兵刘素芳鲁斌汪瑞
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高速二维扫描机构
一种高速二维扫描机构,包括扫描镜、支撑架、第一电机轴、第一电机、方形框架、第二电机轴、第二电机、U形架、第三电机轴、第三电机,其中,扫描镜通过支撑架和第一电机形成转动副连接,支撑架和第一电机轴固定,扫描镜在第一电机的驱动...
关冉谢巍侯丽伟曹德华周德亮王兵兵刘素芳臧元章邹锶俞旭辉王晓东鲁斌汪瑞
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二维光机扫描器
本发明提供了一种二维光机扫描器,包括:底座、方位轴、十字型支撑架、扫描镜支撑架、扫描镜、俯仰轴、轴承、第一电机、第二电机、连杆、曲柄;十字型支撑架与底座之间通过方位轴连接,十字型支撑架能够绕方位轴转动;十字型支撑架与扫描...
关冉谢巍侯丽伟曹德华周德亮文欣荣王兵兵臧元章邹锶俞旭辉王晓东
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基于SOI阻挡杂质带探测器的制备方法
本发明是一种基于SOI阻挡杂质带探测器的制备方法,包括下述步骤:在SOI材料的顶硅层上采用原位掺杂工艺外延生长吸收层;在所述吸收层上重掺杂生长导电层;在所述导电层上键合高阻硅晶圆;通过深硅刻蚀工艺去除所述SOI材料的底硅...
王兵兵王晓东潘鸣侯丽伟谢巍臧元章关冉
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窄线宽的太赫兹探测器
本发明提供了一种窄线宽的太赫兹探测器包括第一激光器(1)、第一光纤耦合器(2)、第一光开关(3)、第一移频环(4)、第二关开关(5)或第一滤波器、第三光纤耦合器(6)和太赫兹探测部;其中,所述第一激光器(1)连接所述第一...
邹锶俞旭辉潘鸣侯丽伟谢巍臧元章周德亮王晓东王兵兵刘素芳关冉鲁斌汪瑞
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电场分布均匀的硅掺磷阻挡杂质带探测器及其制作方法
本发明提供了一种电场分布均匀的硅掺磷阻挡杂质带探测器及其制作方法,所述探测器包括高导硅衬底,所述高导硅衬底上包括环形凹槽区域、台面结构区域和外围区域,所示台面结构区域设置在环形凹槽区域中间,所示外围区域设置在环形凹槽区域...
张传胜王兵兵王晓东陈雨璐侯丽伟谢巍潘鸣
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