王莎
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：河北师范大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目河北省应用基础研究计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 共沉淀法制备Co掺杂纳米ZnO及其表征被引量：2
- 2010年
- 以ZnCl2、CoCl2和NaOH为原料,采用共沉淀法制备了纯ZnO和Co掺杂ZnO(ZnO∶Co)纳米粉体。利用XRD、EDS和FESEM对样品的结构和形貌进行了表征,利用光致发光光谱(PL)研究了样品的发光性质。结果表明,控制退火温度600℃煅烧2h能得到纯度较高的ZnO∶Co纳米粉体,此粉体属于六方纤锌矿结构;部分Co2+取代了Zn2+进入ZnO的晶格,掺入量为2.2at%;Co掺杂对产品的形貌影响不大,掺杂前后均为准球形颗粒,掺杂后颗粒粒径略有减小;Co掺杂使ZnO的禁带宽度变窄,紫外发光峰位产生显著红移。
- 王莎李平秦玫魏雨
- 关键词：ZNOCO掺杂共沉淀光致发光
- ZnO纳米半导体材料的亚微结构调控与发光性能研究
- 李平王庆飞秦玫李纪标郝红静王莎
- 发展了一条简单新颖的液相合成路线，以不同锌盐、过渡金属盐和NaOH为原料，采用常压下的沸腾回流法合成了系列高质量ZnO:M(M=Co、Ni、Mn)纳米粉体，实现了过渡金属元素掺杂纳米ZnO的可控合成。通过系统研究不同掺杂...
- 关键词：
- 关键词：半导体材料纳米材料发光性能
- 关于两类Ramsey数的研究
- 1930年英国数学家FrankRamsey发表论文OnaProblemofFormalLogic,这被视为Ramsey理论的开端.给定图G1,…,Gk,Ramsey数r(G1,…,Gk)是满足如下条件的最小正整数n.对K...
- 王莎
- Co掺杂纳米ZnO的制备与光学性能研究
- 纳米ZnO是一种具有压电和光电特性的宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,保证了其在室温下较强的激子发光。ZnO优异的光电特性使得它在发光/(激光/)二极管、紫外探测器、气敏元件、...
- 王莎
- 关键词：CO掺杂光学性质
- 文献传递
