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王辰伟

作品数：117 被引量：156H指数：6
供职机构：河北工业大学更多>>
发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项河北省自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 77篇期刊文章
  • 36篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 74篇电子电信
  • 9篇金属学及工艺
  • 8篇化学工程
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 59篇CMP
  • 47篇抛光液
  • 37篇抛光
  • 36篇阻挡层
  • 27篇碱性抛光液
  • 26篇平坦化
  • 24篇化学机械抛光
  • 24篇机械抛光
  • 21篇化学机械平坦...
  • 20篇去除速率
  • 15篇铜布线
  • 14篇活性剂
  • 14篇碱性
  • 13篇螯合剂
  • 12篇互连
  • 11篇铜
  • 10篇电偶
  • 10篇离子
  • 9篇碟形
  • 8篇乙二胺

机构

  • 117篇河北工业大学
  • 5篇天津晶岭微电...
  • 4篇华北理工大学
  • 2篇河北大学
  • 1篇中国建筑材料...
  • 1篇河北科技大学
  • 1篇华润集团有限...
  • 1篇中芯国际集成...
  • 1篇天津城建大学
  • 1篇天津冶金职业...
  • 1篇中建材衢州金...

作者

  • 117篇王辰伟
  • 92篇刘玉岭
  • 24篇牛新环
  • 19篇高宝红
  • 16篇王胜利
  • 14篇高娇娇
  • 12篇闫辰奇
  • 11篇何彦刚
  • 11篇檀柏梅
  • 11篇孙鸣
  • 9篇潘国峰
  • 8篇洪姣
  • 8篇周建伟
  • 7篇蔡婷
  • 7篇曹阳
  • 6篇栾晓东
  • 6篇陈蕊
  • 6篇张文倩
  • 6篇邓海文
  • 6篇李祥州

传媒

  • 48篇微纳电子技术
  • 11篇半导体技术
  • 8篇功能材料
  • 2篇电镀与涂饰
  • 2篇高分子材料科...
  • 2篇稀有金属
  • 1篇塑料工业
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇河北工业大学...
  • 1篇微电子学

年份

  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 4篇2020
  • 5篇2019
  • 4篇2018
  • 15篇2017
  • 20篇2016
  • 15篇2015
  • 7篇2014
  • 16篇2013
  • 12篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
共 117 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
阴离子聚合PS-b-PDMS嵌段共聚物的制备及其改性环氧涂料的研究
环氧树脂具有众多优异的性能,其作为涂料的基体材料在防腐蚀领域应用广泛,但是环氧树脂形成的涂层固化后表面能较高且因为环氧树脂固化后存在大量亲水性基团,导致涂层的吸水量太高,极易降低对金属底材的保护性能。聚硅氧烷具有良好的柔...
王辰伟
关键词：环氧树脂涂料共混
文献传递
阻挡层CMP中盐酸胍对铜和钽抛光速率的影响被引量：5
2013年
在铜互连超大规模集成电路(ULSI)中,由于铜和钽的物理化学性质的差异造成两者的去除速率不同,导致布线晶圆表面抛光后出现碟形坑等缺陷。针对该问题,研究了盐酸胍(CH5N3·HCl)对Cu和Ta去除速率选择性的影响。根据Cu和Ta的CMP机理,通过在有氧化剂和无氧化剂环境下的实验对比,以及不同质量分数的盐酸胍对Cu和Ta去除速率选择性的影响,对盐酸胍在钽CMP中的作用进行了定性和定量分析,确定并优化了盐酸胍及氧化剂的含量,使钽的去除速率快于铜的去除速率。应用上述抛光液对300mm布线晶圆进行阻挡层抛光实验,通过对碟形坑的检测,证明了该种抛光液能够高速、有效地修正碟形坑。
李海龙刘玉岭王辰伟张宏远高娇娇
关键词：阻挡层
磷酸作为pH调节剂在阻挡层抛光过程中的应用
2013年
通过大量实验,研究了一种Ta高去除速率下的高选择性阻挡层抛光液,实现对碟形坑的有效修正以及表面粗糙度的有效降低。采用磷酸作为pH调节剂,改变pH值考察Ta和Cu选择性的变化规律,进而选取Ta高去除速率下的高选择性阻挡层抛光液。通过XP-300台阶仪及原子力显微镜等测试手段,表征此抛光液对碟形坑的修正能力及对Cu表面形貌的影响,结果表明,Ta和Cu材料的去除速率随pH值增大上升明显,可以通过调节pH值有效控制Ta和Cu的去除速率,实现Ta的去除速率明显大于Cu,并且实现碟形坑的有效修正及粗糙度的明显降低。
高娇娇刘玉岭王辰伟曹阳陈蕊蔡婷
关键词：磷酸PH调节剂高选择性
TSV Cu CMP碱性抛光液及工艺被引量：5
2013年
穿透硅通孔(through silicon via,TSV)技术采用铜作为互连材料,晶圆表面沉积了一层厚厚的铜膜,对铜去除速率提出了新要求。从化学机械平坦化(CMP)过程的机理出发,对影响铜去除速率的因素,如磨料、活性剂、氧化剂、螯合剂以及抛光工艺中抛头转速、转盘转速、抛光液流量、工作压力进行了单因素实验和规律分析。通过单因素实验得出,在磨料、活性剂、氧化剂和螯合剂的体积分数分别为50%,1.5%,0.5%和5%,抛头转速和转盘转速分别为105和100 r/min、抛光液流量为225 mL/min和工作压力为4 psi(1 psi=6 895 Pa)时,铜去除速率高达1.5μm/min。
蔡婷刘玉岭王辰伟牛新环陈蕊高娇娇
关键词：单因素抛光液
pH值对碱性抛光液速率稳定性的影响被引量：1
2013年
通过分析pH值对碱性抛光液抛光速率稳定性的影响,得出了碱性抛光液抛光速率相对稳定的pH值区间,并与酸性抛光液进行了对比,在酸性环境中至少稳定24 h,pH≤4时甚至可稳定6天。在碱性环境中pH为8时稳定性效果较好。研究得出了不同体积分数的螯合剂对碱性抛光液速率稳定性的影响,河北工业大学微电子所研制的螯合剂为多羟多胺有机碱,具有调节pH的作用。随螯合剂的体积分数逐渐增加,碱性抛光液抛光速率的稳定性逐渐变差,因此在研究碱性抛光液配比时应注意螯合剂的体积分数,以提高稳定性。观察和分析了碱性抛光液在全pH值范围内的速率稳定性变化,并将碱性抛光液的pH值调至7以下,在不产生凝胶的前提下观察其速率的稳定性。
曹哲刘玉岭王辰伟李海龙蔡婷
关键词：PH值碱性抛光液稳定性速率螯合剂
一种防雾霾管道吸附口罩
本发明涉及一种防雾霾管道吸附口罩，主要包括送风装置，管道和呼吸面罩，送风装置为风扇送风，空气通过管道进入呼吸面罩；管道两端为软管连接送风装置和呼吸面罩，管道中间为吸附管道部分，吸附管道的内壁植绒或涂覆高粘性材质，吸附管道...
高宝红王辰伟孙鸣刘玉岭
文献传递
多羟多胺在TSV铜膜CMP中的应用研究被引量：7
2013年
对自主研发的多羟多胺络合剂(FA/O)在硅通孔技术(Through-silicon-via,TSV)化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)进行了应用研究。结果表明,FA/O络合剂较其它常用络合剂在碱性CMP条件下对铜有较高的去除速率,抛光液中不加FA/O络合剂时,铜的去除速率仅为45.0nm/min,少量FA/O的加入迅速提高了铜膜去除速率,当FA/O含量为50mL/L时,铜去除速率趋于平缓。在TSV Cu CMP中应用表明,FA/O对铜的去除率可高达2.8μm/min,满足微电子技术进一步发展的要求。
王辰伟刘玉岭蔡婷马锁辉曹阳高娇娇
关键词：络合剂TSV化学机械平坦化抛光速率
多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法
本发明公开了一种多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法，旨在提供一种能够延长抛光液的使用期限，有利于增强器件可靠性的多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法。按质量百分比计由下述组分组成：硅溶胶5‑20％，螯合剂0.1‑5％，杀菌...
王辰伟刘玉岭罗翀周建伟牛新环王如
文献传递
氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理被引量：3
2015年
为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析。通过对不同体积分数的氧化剂电化学实验进行钝化机理的研究,从而得到最佳的氧化剂体积分数,再进行铜的静态腐蚀实验和抛光实验对铜的去除速率进行验证。实验结果表明,氧化剂体积分数为0.5%时铜具有较高的去除速率,能够满足工业需要。最后,对CMP过程机理和钝化机理进行分析,进一步验证了氧化剂在TSV铜化学机械平坦化中的作用。
张燕刘玉岭王辰伟闫辰奇邓海文
关键词：去除速率开路电位氧化剂
螯合剂在TSV CMP中对铜膜抛光效果的影响
2015年
化学机械抛光(CMP)是硅通孔(TSV)工艺中的关键步骤之一,抛光工艺和抛光液是影响抛光效果的两大决定因素。主要研究了抛光液中螯合剂在TSV CMP中对铜膜去除速率及抛光后铜膜表面粗糙度的影响,由实验结果可知,随着抛光液中螯合剂体积分数的增加,铜膜去除速率先增加后趋于平衡,螯合剂体积分数为5%时铜膜的去除速率最大,约为1 450 nm/min;随着抛光液中螯合剂体积分数的增加,抛光后铜膜表面粗糙度先减小后增大,螯合剂体积分数为5%时铜膜表面粗糙度最小,约为1.77 nm。
洪姣刘玉岭牛新环王辰伟闫辰奇张金张燕
关键词：螯合剂碱性抛光液去除速率
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