王长安
- 作品数：27 被引量：74H指数：6
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜被引量：13
- 2001年
- 为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器，低温（＜６００℃）制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点．本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺：金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法．在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜，并光刻形成铝膜图形，而后于氮气保护中退火．利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法，研究了Ａｌ诱导下非晶硅薄膜的晶化过程，结果表明；在５６０℃退火６ｈ后；铝膜下的非晶硅已完全晶化，确定了所制备的是多晶硅薄膜．初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理．
- 饶瑞徐重阳孙国才王长安曾祥斌
- 关键词：金属诱导晶化非晶硅薄膜多晶硅薄膜金属铝晶化机理
- 实现多晶硅薄膜等离子氢化的新工艺被引量：1
- 2000年
- 根据多晶硅薄膜氢化的微观机理 ,提出改进氢化效果的工艺方法 ,在不增加设备投资的情况下 ,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果 ,从而提高薄膜晶体管的性能 ,ION/IOFF从 10 3量级增加到 10 5量级 ,氢化工艺的处理时间也相应缩短。
- 曾祥斌徐重阳王长安饶瑞赵伯芳周雪梅
- 关键词：多晶硅薄膜氢化工艺薄膜晶体管
- 液晶微棱镜阵列工艺结构研究
- 2005年
- 本文对液晶微棱镜阵列的设计与工艺的基本问题进行了讨论。针对TFT的优势,试制了激光晶化底栅结构的poly-SiTFT为构造核心的液晶微棱镜,对其工艺结构和液晶的光学性能进行了探讨。实验表明,尽管TFT液晶微棱镜工艺复杂,但具有一定的优点值得深入研究。
- 张洪涛徐重阳王长安
- 关键词：液晶阵列光通信
- 一种制备铁电薄膜或厚膜的方法
- 本发明公开了一种制备铁电薄膜或厚膜的方法，该方法包括：在衬底上刻出凹槽阵列；配制粉末溶胶，即把铁电微粉与相应的铁电材料溶胶混合，得到粉末溶胶；将配制好的粉末溶胶涂于衬底上，用流延法制备薄膜或厚膜，流延设备中的刀片与有凹槽...
- 张五星王长安周雪梅赵伯芳尹盛
- 文献传递
- 微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究被引量：6
- 2002年
- 为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化 ,低温 (<6 0 0°C)、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导 a- Si薄膜横向晶化工艺中 ,成功实现了低温快速制备多晶硅薄膜。通过薄膜电阻率的测试 ,分析了多晶硅薄膜的电学特性。
- 饶瑞徐重阳曾祥斌王长安赵伯芳周雪梅
- 关键词：低温晶化多晶硅薄膜电阻率
- 低温多晶硅TFT技术的发展被引量：14
- 2003年
- 本文综述低温多晶硅(LTPS)TFT技术的最新进展情况。该技术目前的研究前沿是:(1)制作高性能的TFT;(2)在柔性衬底上制作LTPSTFT;(3)驱动有机发光器件的TFT;(4)LTPSTFT的新应用。同时还展望了LTPSTFT技术的未来发展趋势。
- 尹盛刘陈钟志有王长安徐重阳
- 关键词：TFT低温多晶硅薄膜晶体管平板显示液晶显示LTPS
- UFPA探测单元的热学分析被引量：2
- 2003年
- 用有限元方法对非致冷红外焦平面阵列(UFPA)的探测单元进行了有限元热分析,分析结果表明,微桥的结构可以显著地影响探测单元的热学性能,而且还得到了钛酸锶钡(BST)薄膜与红外辐射强度之间的线性关系、热饱和时间以及降温过程。利用得到的结果对探测单元尺寸进行了优化,制备出介电量热型UFPA探测单元,并分析了输出信号比期望值小的原因。
- 张五星钟志有尹盛刘陈王长安邹雪城
- 关键词：有限元非致冷红外焦平面阵列铁电薄膜钛酸锶钡
- 退火对聚合物有机发光器件的影响被引量：5
- 2003年
- 制作了结构为ITO/MEH PPV/Al的单层聚合物有机发光器件(PLED),在镀铝电极前后分别对器件进行高于MEH PPV玻璃化温度的退火处理。结果表明,镀铝电极后的退火处理可使器件的效率提高30%左右,器件的寿命增加40%左右;而镀铝电极前的退火处理对器件影响不大。
- 尹盛刘卫忠刘陈钟志有王长安
- 关键词：退火PLED平板显示温度
- 溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡薄膜被引量：8
- 2003年
- 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备钛酸锶钡(BST)薄膜,采用快速热处理(RTA)对薄膜进行烧结。利用DSC、XRD、SEM等技术分析了钛酸锶钡凝胶的热解过程,以及不同溶胶浓度下薄膜的晶粒、晶相、介温特性。实验表明:低浓度的溶胶(0.05mol/L)所制备的薄膜具有较大的介电反常,其晶相具有(111)取向性;而用0.3mol/L的溶胶制备的BST薄膜,晶粒没有(111)取向;用0.05mol/L溶胶制备,使BST薄膜的介温特性得到很大的改善,介温变化率dε(ε·dT)在11°C左右可达6%。
- 张五星徐重阳王长安赵伯芳
- 关键词：溶胶-凝胶钛酸锶钡介电常数
- 纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象被引量：3
- 2002年
- 对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂 ,B掺杂效率比P高 ,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer Neldel规则 ,并有反转Meyer Neldel规则出现 .掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一 .非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献 .
- 张洪涛徐重阳邹雪城王长安赵伯芳周雪梅曾祥兵
- 关键词：碳化硅薄膜掺杂电导率
