程湘爱
- 作品数：144 被引量：445H指数：14
- 供职机构：国防科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 光导型光电探测器瞬变行为的仿真被引量：17
- 2004年
- 较强功率的激光辐照半导体探测器时既产生光电效应又产生热效应 ,提出了反映光电效应的载流子输运模型和反映热效应的热扩散模型。计算了不同激光辐照功率密度下PC型HgCdTe探测器内的光生载流子浓度和热平衡载流子浓度 ,由此对探测器的瞬变行为进行了仿真计算 。
- 马丽芹陆启生杜少军唐松生程湘爱
- 关键词：光电子学光生载流子仿真
- 军队工程硕士《光电成像技术》课程研讨式教学模式探讨被引量：5
- 2009年
- 如何在教学过程中提高学员的理论水平和实践能力是工程硕士培养主要关心的问题之一。本文基于军队工程硕士《光电成像技术》课程性质、当前教学中存在的主要问题以及学员的特点,提出并实践了一种以研讨式教学方法为主的课程教学模式,并取得了较好的效果。
- 王泽锋侯静吴武明程湘爱
- 关键词：军队工程硕士教学模式研讨式教学
- TDI-CCD的特性及改进方法分析被引量：3
- 2005年
- 介绍了时间延迟积分电荷耦合器件(TDI-CCD)的工作原理及特点,分析了改善其噪声的大小、带宽、信噪比、动态范围、灵敏度等各个性能参数的几种基本方法,结合DALSA公司实现的TDI-CCD器件,说明从电路及制造工艺,用一些新方法能在几个参数中进行平衡,以实现器件最佳的性能。
- 李文煜程湘爱赵伊君
- 关键词：TDI-CCD信噪比灵敏度电路
- 激光焦点定位系统及将材料定位于激光焦点处的方法
- 本发明公开了一种激光焦点定位系统，包括激光器、会聚透镜和材料平移装置，激光器输出的激光束入射到会聚透镜上，经聚焦后入射到材料平移装置上装夹的光学材料表面，激光束经聚焦后产生等离子体亮点，该亮点通过光学材料表面形成一亮点镜...
- 朱志武程湘爱江天许中杰黄良金郑鑫邱伟成刘泽金
- 文献传递
- 高功率微波对YBCO超导材料临界电流密度J_c的影响
- 2000年
- 用固相反应法制备了三组 1 2 3相YBCO超导块材 ,利用高功率微波对三组样品进行辐照处理 ,分别测量其临界电流密度Jc ,实验结果表明 ,适当的微波辐照有利于提高超导样品的临界电流密度Jc ,一次照射与未照射的样品相比较 ,Jc
- 余般梅程湘爱胡心薛晓东钟辉煌
- 关键词：YBCO高功率微波临界电流密度超导材料
- 波段外CW CO_2激光辐照HgCdTe探测器热效应研究被引量：24
- 2003年
- 报道了用波段外连续波CO2 激光辐照HgCdTe探测器 (PC ,PV)时 ,观察到的一些与波段内激光辐照探测器时大不相同的实验现象。研究表明 ,波段内激光辐照探测器时 ,探测器的主要响应机制是光效应 ,而波段外激光辐照探测器时 。
- 李修乾程湘爱王睿马丽芹陆启生
- 关键词：CWCO2激光HGCDTE探测器
- 光伏型探测器在强光辐照下的响应机理研究
- 系统地研究了PV型探测器在波段内连续激光辐照下的非线性响应机理和波段外连续激光辐照下的响应机理.在波段内连续激光辐照方面,发现并对比研究了两种典型的过饱和现象.从等效电路模型出发,剖析了两种过饱和现象的发生条件,建立了数...
- 程湘爱江天许中杰
- 超短脉冲激光对单晶硅太阳能电池的损伤效应被引量：10
- 2012年
- 太阳能是未来的主要能源之一,关于太阳能电池的研究也逐渐成为热点。长期以来,人们对太阳能电池的高能粒子辐射特性进行了广泛的研究,对其激光辐照损伤特性的研究却很少。随着光电对抗技术的发展,对这方面的研究需求也越来越迫切。研究了532 nm、20 ns和300 ps脉冲激光对单晶硅太阳能电池的辐照效应,分析了超短脉冲激光对单晶硅太阳能电池的损伤机理。对比了超短脉冲激光和长脉冲激光、连续激光的损伤机理的异同。阐述了在激光单脉冲能量一定的情况下,损伤效果与脉宽和重频的关系。通过分析,指出了太阳能电池损伤的主因,激光对太阳能电池的破坏主要是依靠热效应。
- 邱冬冬王睿程湘爱张震江天
- 关键词：超短脉冲激光单晶硅太阳能电池
- 一种瞬态吸收光谱和磁光偏振并行测量系统及方法
- 本发明属于超快光谱技术领域，具体涉及一种瞬态吸收光谱和磁光偏振并行测量系统及方法，其中瞬态吸收光谱和磁光偏振并行测量系统包括：飞秒激光器、第一分光器、泵浦脉冲调节组件、探测脉冲调节组件、第二分光器、合束器、聚焦及成像装置...
- 韦可刘祺瑞江天郝昊唐宇翔李思维程湘爱
- HgCdTe探测器Pt电阻测温分析被引量：5
- 2007年
- 研究了PV型HgCdTe探测器在1.319μm连续激光辐照下的温升效应。根据探测器的分层结构及测温Pt电阻的位置(冷面上),推断Pt电阻测得的温度并不直接反映HgCdTe芯片的温度,而是比芯片温度低很多。实验测量了Pt电阻的温升,数值模拟了Pt电阻温度随时间的变化以及探测器各层结构的温升情况,理论分析结果与实验结果相一致。
- 王飞程湘爱
- 关键词：温升
