简文翔
- 作品数：7 被引量：6H指数：2
- 供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目湖北省自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 适用于射频识别标签的64-kbit嵌入式阻变存储器被引量：2
- 2011年
- 设计并实现了一颗适用于射频识别(RFID)标签的低功耗嵌入式64-kbit阻变存储器芯片。提出了新型的带尖峰电流控制功能的高压稳压电路,在提供稳定编程电压的同时降低了芯片电源上的瞬态大电流,改善了存储器电路的可靠性;设计了适用于2T2R(2 Transistors and 2 Resistive cells)单元的敏感放大器,实现了低功耗读出。芯片在640 kb/s数据率下的读功耗为2.2μA,在5 kb/s的写数据率下的写功耗为18.5μA。芯片采用SMIC 0.13μm标准CMOS工艺制造,存储器总面积为0.39 mm2。
- 毕中裕简文翔金钢彭巍闫娜闵昊林殷茵
- 关键词：低功耗射频识别标签电容分压
- 65nm标准CMOS工艺阈值电压系统波动检测方案设计
- 2013年
- 设计了一种标准CMOS工艺下的阈值电压系统波动检测电路,其检测电路核心部分是工作在亚阈值区的环形振荡器(SRO)。该方案包括8种级数、2种尺寸共16种SRO,并以8种级数、2种尺寸共16种传统环形振荡器(RO)作对比,在SMIC 65nm标准CMOS工艺上流片验证。芯片测试结果表明:新方案相对传统检测方案具有更高的灵敏度,更直观;且阈值电压的系统波动随器件尺寸增大而略微减小。
- 袁瑞董庆简文翔林殷茵
- 关键词：亚阈值环形振荡器
- BUCK变换器建模与效率研究
- 开关变换器以其高效率、通用性等特点而得到广泛应用,并不断朝着低功耗、小体积、高集成度的方向发展。开关电源涉及开关控制、模拟IC和功率器件等课题,所以对开关电源的研究和设计具有重大的理论和应用价值。本文以BUCK型开关变换...
- 简文翔
- 关键词：开关变换器峰值电流
- 文献传递
- 基于Cu_xSi_yO阻变材料的RRAM抗总剂量辐照性能
- 2013年
- 研究了基于CuxSiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60 Co释放出的γ射线模拟空间辐照环境.在辐照总剂量达到3 000Gy的条件下,单元仍然可以保持原有的存储信息,高低阻态的阻值、写电压、良率等性能几乎没有任何衰减.良好的辐照特性使得RRAM有望在抗辐射领域中得到广泛应用.
- 朱伟简文翔薛晓勇林殷茵
- 关键词：总剂量辐照
- 65nm SRAM传统静态指标的测试方案及研究被引量：2
- 2011年
- 65nm及其以下工艺,工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏,对于预测SRAM良率有着重要的作用。采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限(即SRAM传统静态指标),该测试结构能够测量65nm SRAM在保持、读、写三种操作下的指标:Hold SNM,RSNM,N-curve,WNM。为了解决其它测试方法存在的测试工作量大和IR drop(压降)等问题,该测试结构采用四端结构引出SRAM的内部存储结点,通过译码器选中特定的SRAM单元进行测试,解决了端口复用问题。提出的测试结构已在SIMC65nm CMOS标准工艺上流片验证,并测得相应数据。
- 陈凤娇简文翔董庆袁瑞林殷茵
- 关键词：工艺波动静态随机存取存储器
- 基于CuxSiyO阻变材料的RRAM抗总剂量辐照性能
- 了基于Cux SiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60Co释放出的y射线模拟空间辐照环境.在辐照总剂量达到3000Gy的条件下,单元仍然可以保持原有的存储信息,高...
- 朱伟简文翔薛晓勇林殷茵
- 弛张振荡器在高精度体温计芯片中的应用被引量：2
- 2008年
- 设计了一款基于弛张振荡器的温度测量电路,通过参考/感应振荡器电路,将热敏电阻的阻值变化转变成数字化的频率信号送系统处理。弛张振荡器使用了具有施密特触发器相同功能的RS触发器,降低了芯片对工艺的要求,便于在低电压和宽温度范围正常工作。该温度测量电路被成功地应用于一款便携式电子体温计芯片,芯片采用0.5μm 1.5 V DMSP CMOS工艺,面积为1 250μm×1 260μm,在1.1 V的低电压下测量精度高达0.05°C,工作电流为30μA,待机电流为0.2μA。
- 邹志革邹雪城简文翔
- 关键词：温度测量弛张振荡器RS触发器施密特触发器体温计
