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翟书兵

作品数：5 被引量：14H指数：2
供职机构：东南大学微电子中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 3篇MOS器件
  • 2篇高温
  • 2篇MOS
  • 1篇温敏特性
  • 1篇物理参数
  • 1篇工作温度
  • 1篇硅材料
  • 1篇硅膜
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇SI
  • 1篇SOI
  • 1篇SOI材料
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应器件

机构

  • 5篇东南大学

作者

  • 5篇翟书兵
  • 4篇冯耀兰

传媒

  • 3篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1994
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
SOI材料MOS器件高温特性的模拟
1996年
本文介绍了ＳＯＩ材料ＭＯＳ器件内部特性（杂质浓度分布、载流子浓度分布、电流密度分布及电势分布）在３００Ｋ和５７３Ｋ条件下的模拟结果。
冯耀兰翟书兵
关键词：SOIMOS硅膜
硅材料基本物理参数的高温模型与计算被引量：1
1996年
介绍了硅材料本征载流子浓度ｎｉ、禁带宽度Ｅｇ、电子和空穴有效质量和及载流子迁移率μ的高温模型和计算结果。其中ｎｉ、Ｅｇ和、模型分别适用于３００～１２００Ｋ和３００～７００Ｋ，μ的模型在２５０～５００Ｋ定温区及１０１３～１０２０ｃｍ－３杂质浓度范围内，最大误差小于１３％。
冯耀兰翟书兵
关键词：硅材料物理参数
宽温区（27～300℃）MOS器件高温特性的模拟被引量：8
1995年
本文在研究ＭＯＳ器件高温特性的基础上，介绍了高温区器件模拟的特殊考虑及宽温区ＭＯＳ器件高温特性的模拟。经实测结果验证，基于ＭＩＮＩＭＯＳ４．０基本算法的高温ＭＯＳ器件模拟软件可模拟２７～３００℃宽温区ＭＯＳ器件的高温特性，而且模拟和实测结果基本相符。
冯耀兰翟书兵
关键词：MOS器件场效应器件
高温Si集成MOS器件模拟
翟书兵
MOS器件的最高工作温度及潜力开拓被引量：11
1994年
本文根据半导体材料物理参数、ＭＯＳ器件电学参数在高温下变化的理论分析和实验结果，提出了影响ＭＯＳ器件最高工作温度的主要因素及潜力开拓的途径。
冯耀兰翟书兵张晓波柯导明
关键词：MOS器件工作温度半导体材料温敏特性
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共1页<1>
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