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肖祥

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 19篇晶体管
  • 19篇薄膜晶体
  • 19篇薄膜晶体管
  • 11篇沟道
  • 10篇接触电极
  • 7篇金属
  • 6篇氧化物
  • 6篇自对准
  • 5篇淀积
  • 5篇源区
  • 5篇栅电极
  • 5篇金属氧化物
  • 4篇氧化物半导体
  • 4篇刻蚀
  • 4篇半导体
  • 3篇氧化物薄膜
  • 3篇栅介质
  • 3篇介质层
  • 3篇金属氧化物半...
  • 3篇金属氧化物薄...

机构

  • 21篇北京大学
  • 1篇北华航天工业...

作者

  • 21篇肖祥
  • 21篇张盛东
  • 15篇邵阳
  • 10篇贺鑫
  • 3篇冷传利
  • 3篇邓伟
  • 2篇王漪
  • 2篇姚建可
  • 2篇王龙彦
  • 2篇王国英
  • 2篇宋振
  • 2篇周晓梁
  • 2篇张乐陶
  • 2篇卢慧玲
  • 1篇韩德栋
  • 1篇廖聪维

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2019
  • 4篇2017
  • 6篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
金属氧化物薄膜晶体管制备方法
本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其步骤：选取衬底，在衬底制作栅电极；在衬底上生长一层绝缘介质或高介电常数介质，并覆盖在栅电极上作为栅介质层；在栅介质层上生成一层第一金属层；在第一金属层上生成一层第二金属层；在...
张盛东邵阳肖祥贺鑫
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一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
本发明提供一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法，其步骤包括：在衬底上淀积一厚的高电阻率金属氧化物半导体层，以及一薄的低电阻率金属氧化物层，形成双层沟道；光刻和刻蚀双层沟道，形成有源区图形；在双层沟道上形成栅...
张盛东肖祥迟世鹏冷传利邵阳
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薄膜晶体管及其制作方法
本发明涉及一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在一衬底的第一表面形成栅电极；在衬底的第一表面形成覆盖栅电极的栅介质层；在栅介质层上形成一金属氧化物半导体层；对金属氧化物半导体层进行处理，使金属氧化物半导体层露出一沟道区；阳...
张盛东邵阳贺鑫肖祥
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金属氧化物薄膜晶体管制备方法
本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其步骤：选取衬底，在衬底制作栅电极；在衬底上生长一层绝缘介质或高介电常数介质，并覆盖在栅电极上作为栅介质层；在栅介质层上生成一层第一金属层；在第一金属层上生成一层第二金属层；在...
张盛东邵阳肖祥贺鑫
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一种自对准薄膜晶体管及其制备方法
发明公开了一种自对准薄膜晶体管及其制备方法，包括以下步骤：将淀积了有源层、栅介质和栅电极的衬底置于电解液中，其中栅介质覆盖有源层的一部分，栅电极至少覆盖栅介质的一部分，对暴露在电解液中的有源层通过电解水的方法进行掺氢处理...
张盛东邵阳肖祥周晓梁
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一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
本发明提供一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法，其步骤包括：在衬底上淀积一厚的高电阻率金属氧化物半导体层，以及一薄的低电阻率金属氧化物层，形成双层沟道；光刻和刻蚀双层沟道，形成有源区图形；在双层沟道上形成栅...
张盛东肖祥迟世鹏冷传利邵阳
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薄膜晶体管及其制作方法
本发明涉及一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在一衬底的第一表面形成栅电极；在衬底的第一表面形成覆盖栅电极的栅介质层；在栅介质层上形成一金属氧化物半导体层；对金属氧化物半导体层进行处理，使金属氧化物半导体层露出一沟道区；阳...
张盛东邵阳贺鑫肖祥
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一种金属氧化物薄膜晶体管制作方法
本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管制作方法，其步骤为：选取衬底，在衬底上制作栅电极；在衬底上生长一层绝缘介质或高介电常数介质，并覆盖在栅电极上作为栅介质层；在栅介质层上生长一层金属层；在金属层中间位置上制备沟道区，在常压...
张盛东邵阳肖祥贺鑫
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一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法
本发明涉及一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于：采用本发明的制备方法制备的背沟道刻蚀型薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、有源区、源区、漏区、钝化层、源区接触电极和漏区接触电极；栅电极设置在衬底上，栅介质...
张盛东肖祥邵阳邓伟王国英宋振贺鑫
p-Si（100）衬底上反应磁控溅射制备HfO2薄膜的工艺和性能研究
2019年
我们采用反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了Hf O2薄膜。我们对制备的工艺进行了摸索。设计了不同的实验条件。分别在不同的工艺条件下制备得到Hf O2薄膜。在不同氧分压条件下制备了一组Hf O2薄膜,在不同的溅射功率条件下制备了一组Hf O2薄膜,在不同的溅射时间条件下制备了一组Hf O2薄膜,不同的衬底温度下制备了一组Hf O2薄膜。最后,将不同条件下制备的Hf O2薄膜在不同温度下退火,并对这些样品进行了性能的测试和表征。根据测试结果分析了其性能,制备的Hf O2薄膜是高质量的。
李霞姚建可邓伟肖祥贺鑫张盛东
关键词：反应磁控溅射HFO2
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