苏含
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
- 供职机构：武汉工程大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 基片温度对纳米金刚石薄膜制备的影响被引量：2
- 2012年
- 采用多模谐振腔微波等离子体CVD在不同基片温度下制备了纳米金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱测试,研究了基片温度对纳米金刚石薄膜性能的影响.结果表明:在其他工艺条件不变时,基片温度对薄膜性能具有较大的影响,较低的基片温度更有利于制备高质量的纳米金刚石薄膜,实验所获得的优化基片温度为720℃左右.
- 江川汪建华熊礼威翁俊苏含刘鹏飞
- 关键词：微波等离子体化学气相沉积纳米金刚石薄膜沉积温度
- 大气微波等离子体射流装置研究及实验分析
- <正>大气压微波等离子体具有设备成本低、无电极污染和适合于工业化生产等优点,有着非常广阔的应用前景。目前大气压等离子体射流装置主要从放电方式、电极结构和功率源三个方面进行设计和优化。本研究在电磁场分布理论的指导下用Ans...
- 苏含刘长林熊礼威刘繁
- 文献传递
- 纳米金刚石薄膜的制备与掺硼研究
- 纳米金刚石(Nano-crystallinediamond,NCD)薄膜具有与微米金刚石相似的较高的热导率、高的弹性模量、高的介质击穿场强和高的载流子迁移率等特性,在高功率及高频半导体器件领域有着非常广阔的应用前景。目前...
- 苏含
- 关键词：纳米金刚石薄膜化学气相沉积
- 应用于半导体器件的掺杂纳米金刚石膜被引量：2
- 2011年
- 金刚石膜有着高的热导率、宽禁带、高的介质击穿场强、高的载流子迁移率等优点,是非常理想的半导体材料.本文介绍了掺杂纳米金刚石薄膜作为半导体器件工作层的优点,综述了金刚石p型掺杂和n型掺杂的研究现状,并对影响纳米金刚石薄膜生长的因素进行了探讨.指出了金刚石膜在半导体器件的应用趋势,并对其应用前景进行展望.
- 苏含汪建华熊礼威刘鹏飞江川
- 关键词：半导体器件掺杂
- 大面积金刚石膜生长过程中的缺陷和内应力被引量：4
- 2012年
- 采用甲烷和氢气作为气源,在直径为50 mm的抛光单晶硅片上,利用新型微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置制备出金刚石膜.用扫描电子显微镜观测金刚石膜的表面形貌,利用激光Raman光谱表征金刚石膜的质量以及X射线衍射检测金刚石膜的成分和晶界缺陷.结果表明V(CH4)/V(H2)为1%,基片温度为845℃时,生长金刚石膜的质量较好,并且具有完整的晶体形貌,但是扫描电子显微镜图×5 000倍时,观察到金刚石膜中明显的晶体缺陷存在,同时X射线衍射图表明金刚石膜的内应力较大.
- 汪建华刘鹏飞熊礼威刘繁江川苏含
- 关键词：金刚石膜微波等离子体化学气相沉积内应力
