苗一鸣
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京工业大学应用数理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市教育委员会科技发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 射频磁控溅射法制备氧化锌薄膜的研究
- 采用射频磁控溅射技术,利用Zn靶,在玻璃衬底上制备ZnO薄膜.通过X射线衍射(XRD)仪、傅立叶红外光谱仪、紫外-可见光分光光度计UV-3600对ZnO薄膜进行表征,分析氧气流量对氧化锌薄膜的影响.结果表明:氧气流量其对...
- 陈仁刚邓金祥崔敏孔乐陈亮苗一鸣庞天奇张紫佳
- 关键词：氧化锌薄膜射频磁控溅射法微观结构
- 文献传递
- 不同退火温度下氧化锌薄膜光学性能的研究
- 采用磁控溅射法在石英衬底上制备出结晶性良好的氧化锌薄膜,并在氧气气氛中不同的温度(100-800℃)下进行退火处理.然后利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、椭偏仪对其结晶性能和光学性能进行了表征,探讨了...
- 庞天奇邓金祥王吉有陈亮陈仁刚苗一鸣
- 关键词：退火温度折射率
- 文献传递
- 沉积时间对磁控溅射法制备宽禁带半导体薄膜材料ZnS物性及光学性质的影响被引量：1
- 2015年
- 在沉积时间分别为1 h、1.5 h、2 h及2.5 h的条件下,分别用磁控溅射法制备了Zn S薄膜,用XRD、SEM、台阶仪、椭偏仪等实验仪器进行物性检测,最终发现,沉积时间越长的薄膜,晶粒越小,密度越大,折射率越大;消光系数受晶粒大小、晶界多少、孔隙率等多种因素影响,呈现复杂变化。
- 苗一鸣邓金祥段苹陈仁刚杨倩倩高红丽
- 关键词：磁控溅射法宽禁带半导体
- 射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的椭圆偏振光谱研究被引量：1
- 2014年
- 在不同的衬底温度下,使用反应射频磁控溅射法,在玻璃衬底上制备了氮化锌薄膜样品.用X射线衍射仪、原子力显微镜和椭偏仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质进行了表征分析.薄膜的晶粒尺寸会随着衬底温度的升高先增大后减小,在200?C时薄膜的结晶性最好.用椭偏仪测试样品,建立物理模型计算出氮化锌薄膜在430—850 nm范围内的折射率和消光系数等光学参数.利用Tauc公式计算出氮化锌薄膜的光学带隙在1.73—1.79 eV之间.
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- 关键词：X射线衍射椭偏光谱光学参数
