蒋中伟
- 作品数：10 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 半导体自旋电子学的研究与应用进展被引量：1
- 2007年
- 自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科.自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有不挥发、低功耗和高集成度等优点.本文介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、自旋注入、自旋探测以及自旋输运等.本文综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用.
- 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳陈弘周均铭
- 关键词：半导体自旋电子学磁性半导体
- 用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料被引量：1
- 2007年
- 采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.
- 刘林生王文新刘肃赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭
- 关键词：分子束外延砷化镓衬底
- 带有InGaAs覆盖层的InAs量子点红外探测器材料的发光与光电响应被引量：6
- 2009年
- 利用分子束外延技术(MBE),在GaAs(001)衬底上自组织生长了不同结构的InAs量子点样品,并制备了量子点红外探测器件。利用原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)光谱研究了量子点的表面结构、形貌和光学性质。渐变InGaAs层的插入有效地释放了InAs量子点所受的应力,抑制了量子点中In组分的偏析,提高了外延层的生长质量,降低了势垒高度,使InAs量子点荧光波长红移。伏安特性曲线和光电流(PC)谱结果表明,生长条件的优化提高了器件的红外响应,具有组分渐变的InGaAs层的探测器响应波长发生明显红移。
- 吴殿仲王文新杨成良蒋中伟高汉超田海涛陈弘姜宏伟
- 关键词：INAS量子点光致发光分子束外延红外探测器
- GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装InAs量子点的生长
- 2009年
- 研究了GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装生长的InAs量子点.在2MLGaSb/1MLGaAs复合应力缓冲层上获得了高密度的、沿[100]方向择优分布量子点.随着复合应力缓冲层中GaAs层厚度的不同,量子点的密度可以在1.2×1010cm-2和8×1010cm-2进行调控.适当增加GaAs层的厚度至5ML,量子点的发光波长红移了约25nm,室温下PL光谱波长接近1300nm.
- 蒋中伟王文新高汉超李辉何涛杨成良陈弘周均铭
- 关键词：自组装量子点分子束外延
- As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响被引量：3
- 2007年
- 用分子束外延设备(MBE)在GaAs(100)衬底上生长了InSb型界面的AlSb/InAs超晶格,界面生长过程中采用了As保护下不同的中断时间.运用掠入射X射线反射技术(GIXRR)对样品进行了测量,并对测量结果进行了模拟和分析,发现As保护下生长中断20s能获得最平整的AlSb/InAs界面.结合分析显微镜下观察到的样品形貌,过短的界面中断时间会导致界面富In并形成In点,而过长的中断时间会导致AlAs型界面的形成,两者都使界面变得粗糙.另外,还讨论了生长中断在分子束外延生长中的应用.
- 李志华王文新刘林生蒋中伟高汉超周均铭
- 关键词：分子束外延超晶格
- GaAs(110)量子阱的电子自旋弛豫
- 2007年
- 采用固态源分子束外延的方法在GaAs(110)取向衬底上生长了GaAs/Al GaAs多量子阱结构.对样品进行了低温光致发光谱和时间分辨光致发光谱的测量,结果表明激发功率和激发波长对室温下量子阱内电子的自旋弛豫时间有强烈的影响.对于常见的GaAs(100)量子阱起支配作用的D'yakonov-Perel'(DP)自旋弛豫机制,在GaAs(110)量子阱材料里被充分地抑制了.对于缺失了DP相互作用的GaAs(110)多量子阱,电子-空穴相互作用对自旋弛豫时间随激发功率变化有重要的影响.
- 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利高汉超蒋中伟王佳黄庆安陈弘周均铭
- 关键词：多量子阱分子束外延
- 关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究
- 2007年
- 在GaAs(110)衬底上生长的半导体材料有诸多优良性能,使得在非极性GaAs(110)衬底上获得高质量各类异质结材料,成为近年来分子束外延生长关注的课题.考虑GaAs(110)表面是Ga和As共面,最佳生长温度窗口很小;反射式高能电子衍射的(1×1)再构图案对生长温度和V/Ⅲ束流比不敏感,难于通过观察再构图案的变化,准确地找到最佳生长条件.作者在制备GaAs(110)量子阱过程中,观察到反射式高能电子衍射强度振荡呈现出的单双周期变化.这意味着不同工艺条件下,在GaAs(110)衬底上量子阱有单层和双层两种生长模式.透射电子显微镜和室温光致荧光光谱测量结果表明:在双层生长模式下量子阱样品光学性能较差,而在单层生长模式下量子阱光学性能较好,但是界面会变粗糙.利用这一特点,我们采用反射式高能电子衍射强度振荡技术,找到了一种在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱的可行方法.
- 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭
- 关键词：反射高能电子衍射分子束外延
- 一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法
- 本发明提供了一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点结构，包括依次在基底上分子束外延的砷化镓过渡层、砷化铟自组装量子点层、第一砷化镓覆盖层、锑化镓覆盖层、第二砷化镓覆盖层。该材料结构所获得量子点的室温光致发光达到1....
- 蒋中伟王文新陈弘周均铭郭丽伟贾海强李卫高汉超
- 文献传递
- Sb对InAs量子点性能的影响以及高In组分InAlAs渐变缓冲层的生长
- 半导体量子点是半导体领域的研究热点之一，它因具有诸多的量子效应而获得广泛的应用。本文主要研究了Sb对于InAs量子点性能的影响。另外，讨论了生长条件对高In组分(In-75％)InAlAs渐变缓冲层的影响。主要研究内容和...
- 蒋中伟
- 关键词：半导体量子点INAS量子点晶体生长
- GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性被引量：2
- 2007年
- GaAs(110)衬底上生长GaAs外延层时,不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式,对应反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡呈现出单双周期的变化。通过透射电子显微镜(TEM)、室温和低温光荧光谱(PL谱)对两种生长模式下的样品进行了测量。结果表明,量子阱样品在双层生长模式下光学性能较差,单层生长模式下光学性能比较好,但是量子阱界面会变得粗糙。利用这一特点,采用RHEED强度振荡技术,能够实现在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱。
- 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭
- 关键词：光荧光谱砷化镓分子束外延
