许丽萍
- 作品数：26 被引量：31H指数：3
- 供职机构：华北工学院理学系更多>>
- 发文基金：山西省自然科学基金山西省回国留学人员科研经费资助项目教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程文化科学电子电信更多>>
- 晶体及超晶格中的压电场分布被引量：1
- 1997年
- 本文纠正了教科书上只有压电效应时关于Ｅ，Ｐ，Ｄ之间关系的一个错误，并从麦克斯韦方程组出发，讨论了一般情况下受有应力（应变）作用的平板晶体及超晶格中的压电场分布。
- 许丽萍
- 关键词：晶体超晶格晶体物理
- 离散角对反射与透射系数的影响被引量：2
- 2002年
- 目的 研究离散角对反射与透射系数的影响 .方法 根据电磁场边值条件 ,分析光在两单轴晶体分界面处的反射和折射情况 .结果与结论 给出了光在两单轴晶体分界面反射与透射系数和离散角的关系 。
- 杨军许丽萍温廷敦
- 关键词：透射系数双折射单轴晶体光轴折射率反射系数
- 内建电场对应变多量子阱带阶的影响被引量：2
- 2003年
- 隧穿电流的大小依赖于带阶的大小。内建电场会改变多量子阱的结构 ,使其由方阱变为斜阱 ,导致其带阶发生改变。本文定量地给出了由内建电场导致的价带阶变化及其斜率。对沿任意方向生长的立方超晶格系统 ,当其特征厚度小于临界值 (欠临界系统 )时 ,给出了内建电场与应变的定量关系。针对不同的量子阱系统 ,当生长方向沿着 [111]方向时 ,计算了三种类型、2 1种组分、由内建电场引起的价带阶变化量。所有结果在线性领域及没有相变的情况下都是适用的。
- 许丽萍
- 关键词：内建电场多量子阱隧穿电流
- 应变多量子阱中内建电场的温度响应
- 2002年
- 目的研究应变多量子阱中内建电场对温度的响应,探索其温度传感特件.方法针对沿任意方向生长的应变多量子阱材料,讨论应变随着温度的变化关系,进一步讨论内建电场随着温度的变化规律.结果与结论针对ZnSe/GaAs材料组合的应变多量子阱利料,给出了内建电场随温度的变化曲线图.在定范围内,内建电场随着温度呈近似线性关系.
- 许丽萍温廷敦
- 关键词：应变多量子阱内建电场
- 双语教学中遇到的问题
- 本文叙述了双语教学中遇到的问题,诸如教育理念、教材与教法、师生的适应程度、评价与考核等,讨论了解决相关问题的方法与途径.
- 许丽萍杨晓峰温廷敦
- 关键词：双语教学教育理念教法
- 文献传递
- 应变多量子阱中内建电场的温度响应
- 本文研究了应变多量子阱中内建电场对温度的响应,探索了其温度传感特件。文章针对沿任意方向生长的应变多量子阱材料,讨论了应变随着温度的变化关系和内建电场随着温度的变化规律，,给出了内建电场随温度的变化曲线图。
- 许丽萍温廷敦
- 关键词：应变多量子阱内建电场压电效应
- 文献传递
- 光在双层双折射系统中的传播过程
- 2000年
- 目的 研究正入射条件下光在双层双折射系统中的传播规律 .方法 利用该双层系统 ,光束每经过一次交接面 ,反射光和透射光的数目将是入射光束数目的两倍 ,用矩阵方式给出了其精确的传输过程 .结果与结论 光在该系统中的多次反射与透射 ,光束的数目成几何级数增加 。
- 许丽萍温廷敦
- 关键词：光束F-P干涉仪
- 长周期掺杂超晶格GaAs/Al_xGa_(1-x)As红外吸收的研究
- 2000年
- 目的 研究长周期掺杂超晶格 Ga As/Alx Ga1 - x As红外吸收的特性 ,尤其在 1 0 .6μm处的红外吸收 .方法 在有效质量的基础上 ,计算 Ga As/Alx Ga1 - x As系列超晶格材料能带及带间光吸收谱 .结果 发现当 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As的周期层厚为 1 8nm,Ga As层厚为 3nm时 ,在 1 0 .6μm处有一强的红外吸收峰 .
- 杨晓峰许丽萍温廷敦
- 关键词：红外吸收GAAS/ALXGA1-XAS超晶格
- 超晶格温度传感机理研究
- 本文针对沿任意方向生长的立方晶系超晶格材料,讨论内应变随温度的变化关系,并给出了应变分量与温度的解析关系;在此基础上进一步研究内压电场与温度的关系.结果表明:由于内应变与温度呈近线性关系,内压电场与温度也呈近线性关系,且...
- 王彩霞许丽萍温廷敦
- 关键词：超晶格温度传感纳米材料
- 文献传递
- 变化磁场产生涡旋电场的一般形式被引量：3
- 1999年
- 本文中引入矢量电势以给出变化磁场产生涡旋电场的一般表达式以及二维情形中的形式．
- 杨晓峰许丽萍
- 关键词：涡旋电场磁场
