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许金通: 作品数：88 被引量：141H指数：5; 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金浙江省科技计划项目更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程医药卫生更多>>

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一种改善光谱平整度的红外探测器结构: 本发明公开了一种改善响应光谱平整度的红外探测器结构，它包括金属电极、衬底、光敏感区和其它介质，金属电极位于矩形光敏感区的左右两边，其它介质位于矩形光敏感区的上下两边；所述的其它介质采用与光敏感区相同的材料，电学上与金属电...; 许金通李向阳朱龙源王妮丽储开慧赵水平兰添翼

正、背照射日盲型肖特基探测器: 2010年; 在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法生长的i-Al0.45Ga0.55N/n-Al0.65Ga0.35N/AlN材料结构上,成功研制了零偏暗电流为10-13量级、峰值响应为0.02～0.03 AW-1的日盲型肖特基紫外探测器。对探测器正照射和背照射时的光谱特性的研究表明:正、背照射时器件的峰值响应大小变化不大;在短波方向,正照射时的器件由于界面层的存在,在峰值响应稍有回落后平滑响应,而背照射时的器件由于n层组分调制响应迅速下滑;在长波方向,正照射时器件在截止波长后的响应较大。; 储开慧许金通李向阳; 关键词：响应光谱

半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统: 本发明公开了一种半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统，它用于对半导体薄膜材料透过率均匀性的检测。测试系统由光源、单色仪、光学系统、二维步进扫描装置、信号接收装置、数据处理设备和计算机组成。系统利用紫外波段半导体外延材料...; 苏志国许金通张文静胡其欣袁永刚李向阳刘骥

一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法: 本专利公开了一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法，AlN材料结构包括：一衬底；一AlN缓冲层；一本征型AlN层。通过先在本征型AlN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15...; 储开慧许金通包西昌李向阳戴江陈长清

GaN基雪崩光电二极管及其研究进展: 越来越多的民用与军事对高灵敏度紫外探测的需求促进了GaN基雪崩光电二极管(APD)的快速发展。雪崩光电二极管工作在高反偏电压状态,器件内部载流子在高场下发生碰撞离化,从而使探测信号产生增益。本文首先对GaN基雪崩光电二极...; 刘福浩许金通王玲王荣阳李向阳; 关键词：雪崩光电二极管增益暗电流噪声盖革模式

高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器被引量：8: 2006年; 研究了Al0.1-Ga0.9N／GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能,P区采用Al组分含量为0．1的AlGaN外延材料形成窗口层，使340-365nm波段的紫外光可以直接透过P区到达i区并被吸收，有效提高了这个波段的响应率与量子效率,并且研究了不同P区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响，制备了两种不同P区厚度（0．1μm和0．15μm）的器件，测试结果表明，P区的厚度对200-340nm波段光吸收的量子效率影响较大，而i区的晶体质量的提高可以有效提高340-365nm波段光吸收的量子效率,并且当P区AlGaN厚度为0．15μm时，器件的峰值响应率达到0．214A／W，在考虑表面反射时外量子效率高达85．6％，接近理论极限，并且在零偏压时暗电流密度为3．16nA／cm^2,表明器件具有非常高的信噪比。; 游达汤英文赵德刚许金通徐运华龚海梅; 关键词：P-I-N 响应光谱紫外探测器

具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器: 李向阳许金通张燕刘向阳乔辉; 一种具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器器件，其结构为在衬底上依次生长，缓冲层、n型薄膜层、本征薄膜层、p型薄膜层和p型帽层，将p型帽层和部分p型薄膜层刻蚀形成p型微台面，该p型微台面为方形或圆形；沉积p包裹型欧姆...; 关键词：; 关键词：紫外探测器刻蚀工艺

一种可精确控温的垂直集成式制冷型碲镉汞探测器组件: 本发明公开了一种可精确控温的垂直集成式制冷型碲镉汞探测器组件，其结构从下往上依次为三级半导体制冷器，环氧胶，锰钴镍氧热敏电阻，环氧胶，碲镉汞探测器；其中锰钴镍氧热敏电阻结构从下往上依次为蓝宝石衬底，锰钴镍氧薄膜，以及热敏...; 刘福浩龚玮杨晓阳许金通罗毅蒋科陈心恬乔辉李向阳

GaN基p-i-n型紫外探测器钝化工艺研究: 2023年; 钝化层膜系的选择及其工艺的优化对降低GaN基紫外探测器的漏电流和提升其可靠性是至关重要的。文章采用多种钝化层:等离子体增强化学气相沉积生长的Si_(3)N_4(PECVD-Si_(3)N_4)、电感耦合等离子体化学气相沉积生长的Si_(3)N_4(ICPCVD-Si_(3)N_4)和SiO_(2)(ICPCVD-SiO_(2))以及等离子原子层沉积生长的Al_(2)O_(3)(PEALD-Al_(2)O_(3)),分别制备了GaN基金属-绝缘体-半导体(MIS)器件,并对MIS器件的电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)特性进行了对比研究。采用PECVD-Si_(3)N_4作为钝化层的GaN基MIS器件具有较低的漏电流;在双层PECVD-Si_(3)N_4钝化层中插入PEALD-Al_(2)O_(3)薄膜可以进一步降低界面态密度:平均界面态密度从3.94×10^(13) eV^(-1)·cm^(-2)降低到3.52×10^(11) eV^(-1)·cm^(-2)。利用这种“三明治结构”钝化膜,制作p-i-n型GaN基紫外雪崩探测器,与单层膜系的探测器相比,在113 V反向偏压下的暗电流从3.73×10^(-8) A降至3.34×10^(-8) A。; 杨富城杨帆许金通; 关键词：GAN 钝化界面态密度