许金通
- 作品数：85 被引量：132H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金浙江省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程医药卫生更多>>
- 一种改善光谱平整度的红外探测器结构
- 本发明公开了一种改善响应光谱平整度的红外探测器结构，它包括金属电极、衬底、光敏感区和其它介质，金属电极位于矩形光敏感区的左右两边，其它介质位于矩形光敏感区的上下两边；所述的其它介质采用与光敏感区相同的材料，电学上与金属电...
- 许金通李向阳朱龙源王妮丽储开慧赵水平兰添翼
- 文献传递
- 正、背照射日盲型肖特基探测器
- 2010年
- 在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法生长的i-Al0.45Ga0.55N/n-Al0.65Ga0.35N/AlN材料结构上,成功研制了零偏暗电流为10-13量级、峰值响应为0.02～0.03 AW-1的日盲型肖特基紫外探测器。对探测器正照射和背照射时的光谱特性的研究表明:正、背照射时器件的峰值响应大小变化不大;在短波方向,正照射时的器件由于界面层的存在,在峰值响应稍有回落后平滑响应,而背照射时的器件由于n层组分调制响应迅速下滑;在长波方向,正照射时器件在截止波长后的响应较大。
- 储开慧许金通李向阳
- 关键词：响应光谱
- 半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统
- 本发明公开了一种半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统，它用于对半导体薄膜材料透过率均匀性的检测。测试系统由光源、单色仪、光学系统、二维步进扫描装置、信号接收装置、数据处理设备和计算机组成。系统利用紫外波段半导体外延材料...
- 苏志国许金通张文静胡其欣袁永刚李向阳刘骥
- 文献传递
- 一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法
- 本专利公开了一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法，AlN材料结构包括：一衬底；一AlN缓冲层；一本征型AlN层。通过先在本征型AlN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15...
- 储开慧许金通包西昌李向阳戴江陈长清
- 文献传递
- GaN基雪崩光电二极管及其研究进展
- 越来越多的民用与军事对高灵敏度紫外探测的需求促进了GaN基雪崩光电二极管(APD)的快速发展。雪崩光电二极管工作在高反偏电压状态,器件内部载流子在高场下发生碰撞离化,从而使探测信号产生增益。本文首先对GaN基雪崩光电二极...
- 刘福浩许金通王玲王荣阳李向阳
- 关键词：雪崩光电二极管增益暗电流噪声盖革模式
- 文献传递
- 氮化镓基紫外探测器的新进展
- 许金通
- 高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器被引量：8
- 2006年
- 研究了Al0.1-Ga0.9N／GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能,P区采用Al组分含量为0．1的AlGaN外延材料形成窗口层，使340-365nm波段的紫外光可以直接透过P区到达i区并被吸收，有效提高了这个波段的响应率与量子效率,并且研究了不同P区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响，制备了两种不同P区厚度（0．1μm和0．15μm）的器件，测试结果表明，P区的厚度对200-340nm波段光吸收的量子效率影响较大，而i区的晶体质量的提高可以有效提高340-365nm波段光吸收的量子效率,并且当P区AlGaN厚度为0．15μm时，器件的峰值响应率达到0．214A／W，在考虑表面反射时外量子效率高达85．6％，接近理论极限，并且在零偏压时暗电流密度为3．16nA／cm^2,表明器件具有非常高的信噪比。
- 游达汤英文赵德刚许金通徐运华龚海梅
- 关键词：P-I-N响应光谱紫外探测器
- 一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法
- 本发明公开了一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法。该工艺方法包括以硝酸、三氯化钌或硫化钠为钝化液，对洁净的氮化镓及氮化镓三元合金进行第一次钝化；第一次钝化清洗后外延生长二氧化硅或氮化硅薄膜进行第二次钝化；器件成型后以...
- 李浩杰刘向阳张燕王玲许金通李向阳
- 文献传递
- GaN基雪崩光电二极管及其研究进展被引量：4
- 2014年
- 越来越多的民用与军事对高灵敏度紫外探测的需求促进了GaN基雪崩光电二极管（APD）的快速发展。雪崩光电二极管工作在高反偏电压状态，器件内部载流子在高场下发生碰撞离化，从而使探测信号产生增益。首先对GaN基雪崩光电二极管的研究进展进行了回顾，然后重点报道了器件的增益最大可达3＆#215;105，介绍了本征层厚度与器件暗电流的关系，简单介绍了正在组建的基于相敏探测的交流增益测试系统，并研究了过剩噪声与调制频率之间的关系，发现在低频波段（30~2 kHz），过剩噪声呈现1/f噪声特性。最后，对盖革模式的雪崩光电二极管的研究进展及应用前景进行了简单介绍。
- 刘福浩许金通王玲王荣阳李向阳
- 关键词：雪崩光电二极管增益暗电流噪声盖革模式
- 氮化镓基雪崩光电二极管的研究
- 氮化镓基宽禁带半导体材料由于其化学性质稳定、直接带隙以及带隙可调范围大等特点，因此在高功率、高频电子器件以及发光器件、紫外探测器等方面具有巨大的潜在和现实应用。
本文从研制氮化镓基雪崩光电二极管的目的出发，对氮化镓...
- 许金通
- 关键词：氮化镓雪崩光电二极管湿法腐蚀持续光电导宽禁带半导体材料紫外探测器
