谭寿洪
- 作品数：164 被引量：1,082H指数：22
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术理学冶金工程更多>>
- 氮化硅结合碳化硅耐火材料的氧化被引量：9
- 1994年
- 氮化硅结合碳化硅耐火材料高温氧化后，其抗折强度有所提高，但经扫描电镜观察，材料断面结构已发生了明显的变化。该材料长时间在氧化气氛中使用，可靠性将下降。
- 潘裕柏江东亮谭寿洪
- 关键词：碳化硅氮化硅耐火材料
- 氧化铝粉体在硅溶胶中分散行为的研究被引量：34
- 2001年
- 利用 ζ电位、沉降实验、流变学测试研究了氧化铝粉体在硅溶胶中的分散行为 .研究发现 ,硅溶胶分散的氧化铝浆料在pH =10附近沉降最低和粘度最小 ,表明氧化铝在硅溶胶中分散的最佳 pH条件为 pH =10左右 .还发现氧化铝在硅溶胶中分散受硅溶胶浓度的影响较大 ,其浆料粘度随硅溶胶浓度的增加而减小 ,在其质量分数为 10 %～ 15 %之间达到最低 ;当浓度进一步增加时 ,其粘度呈现微小的增加 .为此 ,本研究指出 ,氧化铝在硅溶胶中分散机理为静电位阻稳定 ,这是由于带负电荷的氧化硅胶粒在氧化铝颗粒表面形成一包覆层 。
- 朱新文江东亮谭寿洪张兆泉
- 关键词：氧化铝粉体硅溶胶流变学陶瓷
- 真空脱气处理对网眼多孔陶瓷力学性能的改善被引量：19
- 2001年
- 采用有机泡沫浸渍工艺制备了碳化硅基网眼多孔陶瓷．研究了真空脱气处理对浆料流变特性和烧结体的力学性能及显微结构的影响．结果表明；脱气处理改善了浆料的流变特性，使浆料在有机泡沫体上的涂覆量增加和结构均匀性得到改善；压汞仪测试数据和ＳＥＭ观察表明脱气处理明显地消除了孔筋内的孔径为１００μｍ左右的大气孔；经脱气处理后，材料的抗弯强度从２．３４ＭＰａ提高到３１８ＭＰａ．脱气处理对网眼陶瓷强度的改善主要来自两方面的贡献：一是相对密度的增加，二是孔筋中大气孔的消除，但后者是最主要的贡献，这个结果与目前建立的开孔陶瓷泡沫的力学模型吻合得很好．
- 朱新文江东亮谭寿洪
- 关键词：网眼多孔陶瓷机械强度真空脱气碳化硅浆料力学性能
- PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究被引量：3
- 1996年
- 利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉积条件下沉积的碳化硅薄膜可以使基体强度提高２０％达到８５０ＭＰａ，沉积氮化硅薄膜使强度提高３０％达到９００ＭＰａ，改性的效果很明显．
- 谭寿洪陆忠乾黄玉珍沈月华钟伯强
- 关键词：氮化硅表面改性碳化硅陶瓷
- SiC晶须增强陶瓷基复合材料的研究被引量：11
- 1992年
- 用不同的Al_2O_3粉料,采用SiC晶须补强以及加入第三相SiC粒子弥散增韧的方式,研究了SiC晶须Al_2O_3基复合材料的力学性能,得到强度σ_f=780MPa,K_(Ic)=7.6MPa·m^(1/2)的结果。通过不同的分敌途径,对晶须分散效果进行了实验观察和探讨;并讨论了晶须的分散均匀性对力学性能的影响。同时,就晶须团聚体在增韧过程中所起的作用提出了一种新的、可能的增韧机制,合理地解释了实验结果。最后,就三元复合系统中晶须补强和弥散增韧两种途径的迭加效果进行了讨论。
- 黄政仁江东亮谭寿洪
- 关键词：碳化硅晶须氧化铝陶瓷复合材料
- 低温烧结高耐火度网眼碳化硅陶瓷过滤器及制备方法
- 本发明涉及低温烧结高耐火度网眼碳化硅陶瓷过滤器及制备方法。其特征在于采用MgO－Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>－SiO<Sub>2</Sub>体系作为助烧体系，实现对网眼多孔碳化硅陶瓷的烧结。Mg...
- 姚秀敏谭寿洪黄政仁江东亮
- 文献传递
- Ｎｉ－ＴｉＣ复合材料的研究
- 潘裕柏谭寿洪
- 关键词：碳化钛金属陶瓷
- 碳化硅晶须补强莫来石复合材料的SPS烧结致密化研究被引量：23
- 2001年
- 采用SPS工艺制备了SiC晶须增强莫来石基复合材料。SEM分析结果表明 ,SiC晶须在莫来石基体中分布均匀 ,看不到晶须团聚 ,晶粒中可看到由于快速烧结而导致的微气孔残留 ;晶须的拔出、解离非常明显 ,是主要的晶须增韧机制。SiC晶须的取向 ,在热压烧结条件下呈各向异性。在不同方向的裂纹扩展、亦即材料的断裂韧性 ,也表现出明显的各向异性。采用 3 0vol%SiC晶须增强莫来石 ,SPS烧结条件下材料强度比热压高 10 %左右 ,为 5 70MPa ,KIC为 4.5MPa .m1/ 2 ,比纯莫来石提高 10 0 %以上。同HP法烧结相比 。
- 黄政仁沈志坚凌律巍谭寿洪Mats Nygren江东亮
- 关键词：碳化硅晶须补强烧结致密化陶瓷材料
- β-SiC 烧结过程中的显微结构观察被引量：2
- 1992年
- 用 XRD、光学显微镜和 TEM 观察β-SiC 在常压烧结过程中相组成和显微结构的变化,结果表明:β-SiC 在1900℃左右开始转变成α相,并随保温时间和温度的增大而增大,其中以6H-SiC 多型体为主.同时,在<2000℃的温度下,晶粒没有明显生长;>2050℃以后,晶粒生长加快.最终晶粒大小可达几十μm,并成板状晶粒.TEM 观察表明,在>2050℃时,晶粒生长是各向异性的;晶界上无明显的液相或第二相存在.这些现象都说明烧结趋向于固态烧结的传质过程.同时也观察到SiO_2对β-SiC 烧结的阻碍作用.
- 杨熙江东亮郭景坤谭寿洪
- 关键词：碳化硅显微结构
- 反应热解法制备Si-O-C/TiN复相陶瓷的研究
- 选用聚硅氧烷为Si-O-C陶瓷的前驱物、Ti粉为活性充填剂,表征了聚硅氧烷在热解过程中的失重规律、热解产物的化学成分和晶相组成:并测试分析了由反应热解法所制得的陶瓷材料的物理性能。同时,选用了惰性充填剂α-SiC粉做对比...
- 周游江东亮谭寿洪郭景坤
- 文献传递
