赵旭
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>
- BST组分梯度薄膜的性能研究
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了上组分梯度、下组分梯度及单层BST薄膜,对比研究了三种结构BST薄膜的电、热性能。实验表明:下组分梯度BST薄膜的介电性能最优(优值因子为66.2),温度稳定性能最佳(在25～80℃范围内,介温变化率为7.8%)。此外,实验还运用X射线衍射仪、场发射电子扫描显微镜和透射电子显微镜对BST薄膜的晶体结构进行了研究,运用EDS能谱仪对BST薄膜的组分梯度进行了验证。
- 赵旭胡作启李园园谢子健王宇辉
- 关键词：梯度薄膜磁控溅射温度稳定性
- 用于FBAR的C轴取向AlN压电薄膜的研制被引量：4
- 2012年
- 用射频(RF)反应磁控溅射法,在硅基片上制备出了具有较低表面粗糙度、C轴择优取向的AlN压电薄膜.讨论了溅射功率对AlN压电薄膜结构和形貌的影响、氮气含量对AlN压电薄膜成分的影响以及低温退火对薄膜表面粗糙度的影响.XRD和SEM结果表明:随溅射功率增大,AlN压电薄膜C轴择优取向增强;当功率为350W时,AlN压电薄膜(002)面摇摆曲线半高宽为4.5°,薄膜表现出明显的柱状结构.EDS成分分析表明:随氮气含量的提高,AlN压电薄膜的元素比接近于化学计量比.低温退火工艺的引入将薄膜表面的均方根粗糙度由4.8nm降低到2.26nm.
- 胡作启王宇辉谢子健赵旭
- 关键词：薄膜体声波谐振器低温退火表面粗糙度
- 相变存储单元RESET多值存储过程的数值仿真研究
- 2012年
- 使用数值仿真方法对相变随机存储器存储单元的RESET操作的多值存储过程进行了研究,建立了三维存储单元模型,用有限元法解Laplace方程及热传导方程以模拟电脉冲作用下的存储单元物性变化过程.计算出单元内相变层的相态分布及单元整体电阻,分析了单元内部尺寸变化对多值存储过程及状态的影响.结果表明,通过精确控制输入电脉冲,相变存储单元能够实现4值存储;多值存储状态受单元内相变层厚度及下电极接触尺寸变化的影响较大;存储状态在80℃的环境温度下均可保持10年以上不失效.
- 谢子健胡作启王宇辉赵旭
- 关键词：相变随机存储器数值仿真有限元法
- La_2O_3掺杂BST/Mg_2TiO_4微波复合陶瓷的制备和性能被引量：2
- 2011年
- 用固相烧结法制备掺杂La_2O_3的Ba_(0.55)Sr_(0.45)TiO_3/Mg_2TiO_4微波复合陶瓷,研究了掺杂对其微观结构、微波(f=10 GHz)介电性能和调谐率的影响。结果表明:当掺杂La_2O_3量(质量分数)为1.2%时,La^(3+)进入BST晶格,且抑制了BST/Mg_2TiO_4中Ti从+4向+3价转化;La_2O_3的掺入比较明显地降低了介电常数和微波损耗,当掺杂La_2O_3量为1.2%时介电常数为52,损耗角为0.0011(f=10 CHz),调谐率13.6%(3 kV/mm)。
- 王成胡作启伍双杰王庆赵旭
- 关键词：无机非金属材料固相烧结法
