赵素芬
- 作品数：17 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 用于制备MRAM的高磁电阻磁性隧道结
- 利用金属掩膜法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,金属掩膜的狭缝宽度为100μm。采用4 nm厚的CoFe为铁磁电极和1 nm或0.8 nm厚的铝氧化物为势垒膜,可直接制备出室温磁电阻比值为30～48%的磁性隧道结。例...
- 韩秀峰李飞飞王伟宁彭子龙赵素芬詹文山
- 文献传递
- 纳米Co阵列的磁化过程
- 利用数值计算研究了纳米Co阵列（array）的磁反转过程。由微磁学模拟结果得知,由于相邻磁性单元之间的静磁耦合,使得纳米Co阵列的磁化行为不同于一个孤立的纳米Co单元,阵列内的每个纳米Co单元的磁化行为也不尽相同。此外计...
- 赵素芬韩秀峰
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- 一种碳纳米管磁随机存取存储器
- 本发明公开了一种以碳纳米管作为势垒层的磁随机存取存储器，该MRAM单元中的磁性薄膜存储单元为以碳纳米管作为势垒层的磁性隧道结(MTJ)，MRAM单元中的信息写入操作由一个平行于磁性薄膜存储单元的电流以及另一个垂直于磁性薄...
- 魏红祥曾中明王天兴赵素芬彭子龙韩秀峰
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- 纳米晶NdFeB磁滞回线微磁学有限元计算中的剖分单元尺寸效应
- 在纳米晶NdFeB永磁材料磁滞回线的微磁学有限元计算中,剖分单元尺寸对计算的结果影响很大.其中<,i>H<,c>最小值所对应的剖分单元尺寸约为畴壁厚度的三分之一.
- 赵素芬金汉民韩秀峰
- 关键词：纳米晶磁滞回线微磁学有限元尺寸效应
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- 利用金属掩膜法制备高磁电阻磁性隧道结
- 利用金属掩膜法,优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,同时利用狭缝宽度为100μm的金属掩膜直接制备出室温磁电阻比值为41.5﹪的磁性隧道结,其结电阻为1.87Ω,结电阻和结面积的积矢为1.87×10<'4>Ωμm<'2...
- 韩秀峰王伟宁李飞飞赵素芬彭子龙詹文山
- 关键词：磁性隧道结磁电阻
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- 纳米晶NdFeB单相磁体退磁曲线的微磁学研究
- 该文用微磁学有限元法研究了各向同性纳米晶NdFeB单相磁体的退磁曲线.主要结果如下:(1)我们发现了退磁曲线的晶粒数效应,考虑到了剖分密度和剖分均匀度的影响,在前人定性的基础上,建立了定量计算纳米晶NdFeB单相磁体退磁...
- 赵素芬
- 关键词：退磁曲线
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- 纳米晶NdFeB磁滞回线微磁学有限元计算中的晶粒数效应
- 金汉民王学凤赵素芬
- 关键词：钕铁硼永磁材料纳米晶磁滞回线
- 利用光刻法制备高磁电阻磁性隧道结
- 通过优化制备磁性隧道结的实验和光刻工艺条件,制备出具有室温高磁电阻和低电阻的高质量磁性隧道结,300℃退火前后其室温磁电阻比值、结电阻、结电阻和结面积的积矢及自由层的偏转场分别达到22﹪和50﹪、31和41Ω、3100和...
- 韩秀峰李飞飞张爱国赵素芬王伟宁詹文山
- 关键词：光刻法磁性隧道结磁电阻
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- Nd_2(Co_(1-x)Fe_x)_(17-y)Cr_y化合物的结构和磁性研究被引量：2
- 2002年
- 利用 X射线衍射和磁性测量研究 Nd2 ( Co1- x Fex) 17- y Cry 化合物的结构和磁性 .实验结果表明 ,这些化合物都具有 Th2 Zn17型结构 ,Cr和 Fe替代 Nd2 Co17化合物中 Co并未改变晶体结构 ,但能引起晶格膨胀 .所有化合物在室温下都表现为易面各向异性 .化合物的居里温度随着 Fe含量的增加和稳定元素 Cr含量的减小而升高 ,在 x=0 .5和 y=3 .3时达到最大值 。
- 苏峰王文全王向群王学凤赵素芬杜晓波闫羽金汉民
- 关键词：居里温度磁化强度
- 一种碳纳米管磁随机存取存储器
- 本发明公开了一种以碳纳米管作为势垒层的磁随机存取存储器，该MRAM单元中的磁性薄膜存储单元为以碳纳米管作为势垒层的磁性隧道结(MTJ)，MRAM单元中的信息写入操作由一个平行于磁性薄膜存储单元的电流以及另一个垂直于磁性薄...
- 魏红祥曾中明王天兴赵素芬彭子龙韩秀峰
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