赵飞
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术经济管理更多>>
- 用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备技术
- 本发明公开了一种可用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备方法。其主要包括以下工艺：(1)以硅单晶片或玻璃片或陶瓷片等为基板；(2)利用磁过滤真空蒸气弧等离子沉积技术或磁控溅射技术在基板上进沉积催化剂薄...
- 程国安赵飞陈科帆邓建华
- 文献传递
- 碳、硅基复合纳米阵列及其场发射性能研究
- 一维纳米材料由于具有良好的力学性能、光学性能、电学性能和磁学性能等特性，在很多领域具有广泛的应用前景。硅纳米线阵列、碳纳米管阵列由于具有大的长径比，在场发射性能方面具有良好的表现。利用各种方式对硅纳米线以及碳纳米管进行改...
- 赵飞
- 关键词：硅纳米线复合结构场发射性能
- 基于SPSS的广东省各城市经济发展水平评价被引量：1
- 2014年
- 根据因子分析的原理并采用SPSS计算机手段,对广东省22个地市级城市经济水平绩效评价,根据评价排序,找出形成区域经济发展水平差异的关键因素。提出对广东省整体的区域经济协调发展的政策建议。
- 赵飞
- 关键词：SPSS
- Zn离子注入对多壁碳纳米管结构和场发射性能的影响
- 2010年
- 利用MEVVA离子源在多壁碳纳米管阵列中注入Zn元素,实现多壁碳纳米管阵列的Zn离子掺杂,分析Zn离子注入对多壁碳纳米管结构和场发射性能的影响.研究发现:Zn离子注入会使多壁碳纳米管顶端产生结构损伤,由多层石墨结构的碳纳米管转变为无定形碳纳米线,Zn与C形成C:Zn固溶复合结构.较低注入剂量下形成的C:Zn复合结构使有效功函数降低,场电子发射的开启电场和阈值电场分别由0.80和1.31V/μm降低到0.66和1.04V/μm,提高了多壁碳纳米管阵列的场发射性能.大注入剂量造成的严重结构损伤会降低场增强因子,使场发射性能下降.
- 陈科帆邓建华赵飞程国安郑瑞廷
- 关键词：多壁碳纳米管离子注入场发射性能
- 用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备技术
- 本发明公开了一种可用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备方法。其主要包括以下工艺：(1)以硅单晶片或玻璃片或陶瓷片等为基板；(2)利用磁过滤真空蒸气弧等离子沉积技术或磁控溅射技术在基板上进沉积催化剂薄...
- 程国安赵飞陈科帆邓建华
- 文献传递
