郜志华
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划香港特区政府研究资助局资助项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- ECR CVD沉积制备六角氮化硼薄膜
- 本文对ECR CVD沉积制备六角氮化硼薄膜进行了阐述。采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR CVD)系统，以逐层沉积技术(LBL)制备氮化硼(BN)薄膜。在500℃沉积温度下，以BF3-Ar-He-N2-...
- 邓金祥郜志华崔敏陈光华
- 关键词：氮化硼薄膜气相沉积
- 文献传递
- 立方氮化硼薄膜注入Be的Hall效应研究被引量：2
- 2008年
- 本文应用RF溅射法,在n型Si（100）衬底上制备BN薄膜。首次用离子注入工艺,将铍（Be）离子注入到BN薄膜中使之成为p-型。我们用范德堡方法对该薄膜进行了室温下的霍尔效应测量,薄膜为p型导电,电阻率为10^-3Ω.cm左右,迁移率14-28 cm^2/V.S,载流子浓度10^19-10^20cm^-3,霍尔系数10^-1cm^-3/C左右,用此法制备的p-BN/n-BN异质结,有明显的整流特性。
- 何斌陈光华郜志华邓金祥张文军
- ECR CVD制备立方氮化硼薄膜及性能研究
- 本文主要研究了立方氮化硼(c-BN)的制备、生长机理和退火相转变机理。
ECR CVD是沉积薄膜的一种新型技术，在低温低压下能够形成高密度、高电离度的等离子体，使气体很容易实现化学反应而沉积薄膜。该系统制备薄膜...
- 郜志华
- 关键词：立方氮化硼薄膜光学带隙
- 文献传递
- 氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素
- 2006年
- 用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-Si:H薄膜光衰退稳定性的因素:一方面,非晶硅网格中氢含量、氢硅键合方式以及氢的运动情况均对非晶硅材料的稳定性起着十分重要的作用,另一方面,在非晶硅的基体上生长少量微晶硅,可提高薄膜的稳定性.最终希望能通过两者的结合来探讨如何制备高光敏性和低光致衰退的非晶硅薄膜.
- 马占洁陈光华何斌刘国汉朱秀红张文理李志中郜志华宋雪梅邓金祥
- 关键词：A-SI:H微晶硅
- 采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜
- 2006年
- 针对氢化微晶硅薄膜吸收系数较低、制备需要较高厚度,从而需要较高沉积速度的问题,考虑到压强对沉积速度及晶化比的重要影响,在分析了单一压强法制备薄膜优缺点的基础上,提出了采用两步法来制备高质量微晶硅薄膜的方法。即先采用高压制备薄膜2m in,减小非晶转微晶的孵化层厚度,然后再采用低压制备薄膜18m in,提高薄膜的致密度及减小氧含量,最后制备出了光敏性较高,晶化比较大并且光照稳定性也较好的优质氢化微晶硅薄膜。
- 朱秀红陈光华刘国汉丁毅何斌张文理马占洁郜志华李志中
- 关键词：微晶硅稳定性
- 热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究
- 2006年
- 采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性;薄膜的沉积速率随着沉积压强的增加和热丝温度的上升而增加.通过光致衰退实验,将样品衰退前后的红外吸收谱图进行基线拟合和高斯函数拟合,计算得到薄膜的氢含量基本不发生变化,但Si-H与Si-H2组态的相对含量改变.
- 张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅
- 关键词：A-SI:H薄膜沉积速率
- MW-ECR CVD制备立方氮化硼薄膜
- 采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(MW-ECR CVD)法,BF3-H2-N2-Ar为反应气体,制备立方氮化硼薄膜。应用傅立叶红外光谱 (FTIR),定性地研究通入的H2和N2流量对制备的立方氮化硼薄膜结构的...
- 郜志华陈光华李志中邓金祥丁毅
- 关键词：立方氮化硼
- 文献传递
